森国科携全新的产品及解决方案即将亮相2024第六届深圳国际半导体展

时间： 2024-06-18 来源：森国科公众号

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SEMI-e作为华南极具影响力和专业性的重要展会平台之一，聚焦芯片设计、晶圆制造与封装，半导体专用设备与零部件，先进材料，第三代半导体/IGBT，汽车半导体为主的半导体产业链，全面展示半导体行业的新技术、新产品、新亮点、新趋势。本次展出面积共计60000㎡，预计将迎来60000+观众。

森国科将与华力微、长电科技、比亚迪半导体、中电四十五所、天科合达、通富微电等800+优质企业一同亮相展区，届时将为观众们带来全新的产品及解决方案，零距离与工程师们进行现场交流、洽谈，欢迎到访。

展览信息——森国科

展位号：4A30
时间：2024.6.26-28（周三-周五）
地点：深圳国际会展中心（宝安）4/6/8展馆

森国科展品

01、SiC二极管

森国科碳化硅二极管产品选型是目前国内选型最齐全、封装最多样化的，可为工业电源、快充、充电桩、光伏逆变器等领域提供服务。

02、碳化硅MOSFET

森国科推出的碳化硅MOSFET产品具备了高耐压、低导通电阻、高开关速度以及低电容等特性，采用带有单独驱动源引脚的优化封装，有利于节省开关损耗，提高电源转换效率。在减少寄生电感和优化栅极驱动效率上也表现突出，无卤素，符合RoHS标准。

森国科碳化硅MOSFET产品适用于太阳能逆变器、电动汽车电机驱动、高压直流变换器、开关电源等多个应用场景。

03、碳化硅模块

森国科推出了1200V碳化硅二极管模块、碳化硅MOSFET模块，凭借其超低损耗特性、高工作频率能力、零关断拖尾电流的高效性能以及常闭保护和高安全性能，广泛应用于充电桩、光伏发电系统、高效转换器/逆变器、电机驱动系统以及智能电网和分布式发电系统。这些特性使得它们在提高系统效率和可靠性方面表现出色，为用户带来了显著的优势。

04、SJ MOS

森国科的超结MOS场效应晶体管实现了低导通电阻，显著降低了开关与导通过程中的能量损耗，同时具备了较低的开关噪音。该系列产品已顺利通过雪崩测试，验证了其出色的性能和可靠性，非常适合应用于需要高性能功率管理的场景，如硬交换和软交换拓扑、PFC电路、工业和消费电源中。

05、功率芯片＆板卡＆方案

森国科功率IC产品采用了先进的高压特色工艺，包括功率管及模块的驱动、BLDC电机驱动。其团队在BCD工艺，UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累，成功推出了MCU、预驱芯片、GateDriver、IPM功率模块等多款产品，并提供配套的高性能、高性价比的多款智能小家电解决方案。

06、行车记录仪板卡＆方案

面向网约车视频监控市场，森国科推出了国内领先的视频处理芯片及4G记录仪方案。方案采用了先进的图像处理技术和脱敏技术，能够在各种驾驶环境下捕捉高清晰度的图像，为驾驶场景提供了安全、可靠的记录。同时，设计考虑到了与车辆原有系统的安装对接，使得整车可以更加方便地将记录仪功能集成到车辆中。随着产品型号及方案的逐渐完善，使得森国科在AI DVR领域中的市场占有率得到了进一步的提高。

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目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G

2021 - 美浦森 - 选型指南 - REV.01 代理服务技术支持采购服务

中瑞宏芯SiC MOSFET为40kw充电桩电源模块提供更高的耐压等级和热导率，增强了充电桩的稳定性

碳化硅模块提供了更高的耐压等级和热导率，增强了充电桩的稳定性，使直流充电桩能以更高频率运行，提升了近30%的输出功率，并降低了约50%的损耗。中瑞宏芯成功研发并量产了多款适用于充电桩电源模块领域的产品。型号包括但不限于：HX1D40120H1、HX2M040120K、HX2M030120K等，旨在为客户提供更加高效、稳定的充电解决方案。

2024-12-19 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

华润微电子SJ MOS和SiC二极管器件满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求

华润微电子针对充电桩、大功率电源等应用开发的的第四代、第五代SJ MOS，采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好的特点。另外，新材料SiC二极管器件，具有导通损耗小，开关损耗小，抗雷击浪涌能力强的特性，在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

2024-07-06 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

东海半导体授权世强硬创，代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS

40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

2023-09-18 - 签约新闻代理服务技术支持采购服务

GPT080M0120HBMXT1碳化硅MOSFET

描述- 本资料详细介绍了GPT080M0120HBMXT1型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。

型号- GPT080M0120HBMXT1

2024/8/13 - 泰科天润 - 数据手册 - Rev. X.0 代理服务技术支持采购服务

蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展

基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。

2024-07-17 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。

SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

代理服务线上商城技术资料

G2M080120D7碳化硅MOSFET

描述- 本资料详细介绍了G2M080120D7型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。

型号- G2M080120D7

2024/8/12 - 泰科天润 - 数据手册 - Rev. X.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

【视频】虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT，提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案

型号- HM01N100PR,HMS11N70Q,HMS7N80,HMS5N80,HMS5N90R,HM4N65R,HMS5N70R2,HMS20N80,HM3N150,HM8N100F,HMG20N65F,HMS5N70R,HMG20N65D,HMS10N80,HMS13N65Q,HMS15N80D,HM40N120AT,HMS11N65Q,HMG40N65AT,HMS5N65R,HM3N100,HM1N60R,HMS5N90R2,HM0565MR,HMN9N65D,HMS5N65R2,HMN11N65D,HM3N120,HM2N65R,HM40N120FT,HMG40N65FT,HM4N60R

虹美功率半导体 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

G2M060120N碳化硅MOSFET

描述- 本资料详细介绍了G2M060120N型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作、快速反向恢复体二极管等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。

型号- G2M060120N

2024/8/12 - 泰科天润 - 数据手册 - Rev. X.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

HI-SEMICON（深鸿盛）碳化硅肖特基二极管选型表

目录- 碳化硅肖特基二极管

型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D

2022/9/28 - HI-SEMICON - 选型指南代理服务技术支持采购服务