基本半导体亮相PCIM并重磅发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET等系列新品
6月11-13日，全球最大的功率半导体展会——PCIM Europe 2024在德国纽伦堡盛大开启。基本半导体再度亮相展会，并正式发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、车规级碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B等系列新品，向世界展示了中国功率器件创“芯”与“智“造的最新成果，吸引了海内外行业人士的驻足参观与深入交流。
多款新品 热力来袭！
基本半导体此次发布的新品主要涵盖分立器件和功率模块两大单元，新产品性能大幅提升，产品规格和应用范围也更加丰富，并在产品封装上进行了大胆拓新，产品可广泛应用于新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等领域，为行业实现更高能源效率和应用可靠性增添助力。
01、2000V/1700V高压碳化硅MOSFET
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，基本半导体基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
其中，1700V 600mΩ碳化硅MOSFET可适配于组串式光伏逆变器和储能系统辅助电源的反激开关拓扑中，在提高辅助电源效率的同时，使辅助电源更安全可靠运行。
02、1200V 18mΩ碳化硅MOSFET
为满足电机驱动、储能系统、大功率充电桩等领域的大功率应用需求，基本半导体研发推出了1200V 18mΩ碳化硅MOSFET B2M018120Z，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点，可通过开尔文连接驱动，降低驱动回路的杂散电感。
03、车规级碳化硅MOSFET
针对新能源汽车的应用需求，基本半导体研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
04、第三代碳化硅MOSFET
B3M040120H/Z是基本半导体基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
05、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B
MF240R12E2G3是基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
06、工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块
B2M040120T和B2M080120T是基本半导体基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
基本半导体推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。
PCIM现场直击
PCIM Europe 2024以电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理四大主题为核心，涵盖从半导体、元器件及传感器，到电机和整流器，再到电源管理系统，模拟和设计软件的电力电子行业全链条，全方位展示电力电子领域的最新技术成果和创新产品。展会有超过600家品牌参展，参观人次超16000人。
PCIM Europe 2024展会圆满举办，基本半导体再度续写辉煌，展会现场人流涌动，洽谈不断，战果喜人。感谢广大海内外新老客户对基本半导体的信任与支持，我们将继续深耕碳化硅功率器件领域，通过不断的技术创新和产品升级，为全球客户提供更高性能、更可靠的产品，打造享誉世界的功率半导体品牌，为中国“智”造添砖加瓦！
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行业资讯 发布时间 : 2024-11-18
碳化硅很好，但为什么碳化硅IGBT很少见？
为什么市场上少有碳化硅IGBT？这和碳化硅的材料特性息息相关。与标准硅材料相比，碳化硅最大的优势是耐高温、耐高压、损耗低，这也使其成为目前高压大功率应用中的半导体材料首选。总的来说，因制备成本太高，且性能过剩，因此碳化硅IGBT在大多数应用场合都“毫无竞争力”。
技术探讨 发布时间 : 2024-06-07
【元件】基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块，更好满足客户对高功率密度需求
基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB基板等技术，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
产品 发布时间 : 2024-10-28
世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品
蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。
签约新闻 发布时间 : 2023-09-06
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展
基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。
应用方案 发布时间 : 2024-07-17
纳芯微可再生能源与电源系统解决方案
型号- NSI6801,NSI1311,NSI1312,NSI6601,NSIP884X,NSR2240X,NPD0X0N120A,NCA8244,NSM2017,NIRSP31,NSI33085,NSM2019,NSM2013,NSIP83086,NSM2015,NSI68515,NSM2011,NSI8300XE,NSR28C4X,NSR33XXX,NSOPA9XXX,NSI1300,NSI6801M,NSI824X,NSIP21,NSREF31XX,NSCSA24X,NPS0X0N065A,NSI10,NSR7808,NSR EF30XX,NSI8100,NSHT3X,NSD7312,NSD2621,NIRS21,NSIP8942,NSOPA8XXX,NCA9555,NSI1200C,NSIP31,NSI823X,NSIP894X,NSD1026V,NCA1042B,NSCSA21X,NPC0X0N120A,NCA1042E,NCA3176,NSI83086,NSI83085,NSI6602V,NSM2311,NSM2113,NST235,NSR31XXX,NSIP1042,NSD1624,NS16801,NPI030N065A,NST20,NSR35XXX,NSR104XX,NIRS31,NSD1224,NSREF30XX,NCA1043(B),NSI1042,NS0PA9XXX,NSI6611,NSI1400,NSI822X,NS0PA8XXX,NCA1051A,NSI6601M,NCA3485,NCA1042B2,NST1002,NST1001,NSM211X,NSI82XX,NSI8200,NSI1050,NSI3190
派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
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提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 成都 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
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