德欧泰克N沟道MOSFET DI075N04PT-AQ为敞篷车车顶马达提供驱动，最大导通电阻仅2.9mΩ
尽情享受开着敞篷车朝日出方向行驶的乐趣。打开和关闭车顶只需要按下一个按钮，其余的都是由那些小小的看不见的助手安全地全自动完成的。
德欧泰克的N沟道MOSFET DI075N04PT-AQ为车顶马达提供驱动。DI075N04PT-AQ具有1.2V-2.5V的逻辑兼容的阈值电压，可以直接由微控制器驱动，从而节省了电路板。具有最大导通电阻低至2.9mΩ，采用了小巧且节省空间的QFN3x3封装，为有限的电路板空间提供了高性能。
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DI110N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI110N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、参数和应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷和良好的热性能，适用于DC/DC转换器、电源、电机驱动、电动工具、同步整流器等商业和工业应用。
型号- DI110N04PQ,DI110N04PQ-AQ
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI255N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI255N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、参数和应用领域。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI255N04PQ
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DI025N20PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI025N20PQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、应用领域和机械数据。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、驱动器、电动工具和同步整流器等领域。
型号- DI025N20PQ
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DI280N10TL N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI280N10TL型N通道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、雪崩特性等。该器件适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动、电动工具等领域。
型号- DI280N10TL,DI280N10TL-Q
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型号- DI040N10D1-AQ,DI040N10D1
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型号- DI318N06PQ
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型号- DI350N08TL-AQ
DI050N04PT N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI050N04PT型号的N沟道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸、应用领域等。该器件适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI050N04PT,DI050N04PT-AQ
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
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