详解恒温晶振的使用环境注意事项

时间： 2024-08-18 来源：赛思官网

技术问答

选型帮助

研发客服

商务客服

一、引言

在电子设备中，晶振扮演着至关重要的角色。特别是恒温晶振，这种特殊的晶振能在各种温度环境下稳定工作，是许多精密电子设备中不可或缺的一部分。然而，为了保证恒温晶振的正常工作和设备的稳定性，我们需要理解并遵循一些特定的使用环境注意事项。下面赛思将详细介绍这些注意事项。

二、避免极端温度

恒温晶振的最基本要求就是在一定的温度范围内工作。过高或过低的温度都可能对晶振的工作性能产生不良影响。因此，应尽量避免将恒温晶振暴露在极端的温度环境中，如高温或低温环境。同时，也要防止恒温晶振长时间处于温度快速变化的环境中，这可能会引起晶振性能的不稳定性。

三、避免强磁场

强磁场同样会对恒温晶振的工作产生负面影响。强磁场会改变晶振中的电流分布，导致频率偏移，甚至可能引发电路故障。因此，在使用恒温晶振时，应将其远离强磁场源，如电磁铁、电动机、手机等。

四、注意电源电压和电流

恒温晶振对电源的要求较为严格，需要提供稳定的电压和电流。如果电源电压或电流异常，可能会引起恒温晶振的工作不正常，甚至损坏晶振。因此，在使用恒温晶振时，应确保电源电压和电流符合晶振的技术规格要求。

五、定期检查和维护

即使在使用恒温晶振的过程中遵循了上述所有注意事项，仍建议进行定期的检查和维护，以确保晶振的正常工作和长期稳定性。例如，可以定期测量晶振的工作频率和稳定性，以及检查电路连接是否牢固等。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Vicky转载自赛思官网，原文标题为:恒温晶振的使用环境注意事项，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

详解有源晶振与无源晶振的区别

晶振作为我们掌握电子设备同步节拍的关键，它的主要作用是产生稳定的频率信号。传统意义上，我们通常将晶振分为有源晶振和无源晶振，有源晶振和无源晶振各有优势和劣势，选择哪种类型的晶振取决于具体的应用需求。本文赛思详细介绍了有源晶振和无源晶振的区别。

技术探讨发布时间 : 2024-03-19

关于晶振的市场行业分析

晶振是一种被广泛使用的电子部件，用于电子设备中的时钟电路，包括计算机、手机、通讯设备等。晶振行业市场作为电子行业中成长最快的一种行业，已经成为各种电子设备的核心之一。本文将对晶振行业市场进行分析报告。

技术探讨发布时间 : 2024-07-09

关于32.768kHz晶振的封装选择

本文中TROQ创捷电子来为大家介绍32.768kHz晶振的封装选择相关知识要点，希望对各位工程师朋友有所帮助。

技术探讨发布时间 : 2024-09-13

赛思（Saisi）晶振/谐振器/振荡器/原子钟选型指南

描述- 浙江赛思电子科技有限公司是一家专注于研制高性能时钟芯片、晶振、原子钟、时钟服务器、时钟模块及大型时空信息管理的综合时频解决方案的国内TOP级时频科技企业。

型号- T2016,T3225,SW6035,VC3225,R2520,D2020,T0705,TF2012,SW5032,SW7050,T2520,LSPXO3225,QT55,SW2520,O3838,R2016,PSPXO3225,T5032,PSPXO2016,O5050,O2020,O4560,TF1610,R1612,SW3225,QT45,SW2016,O3627,O1409,O9282,QT40G,D6565,SPXO7050,SPXO2520,49B,SPXO5032,O2522,O2525,SW1210,QT31,SW1612,49S,O0907,O0705,T1409,SPXO2016,SPXO3225,D3627,TF3215

选型指南 - 赛思 - 2024/3/20 PDF 中文下载

扬兴晶振推出一系列低抖动、高精度、高频率、微型化、耐高温的差分晶振，提供高度可靠的时钟解决方案

为满足高速数据传输与处理场景日益严格的时序信号需求，YXC推出一系列低抖动、高精度、高频率、微型化、耐高温的差分晶振产品，为相关应用场景提供高度可靠的时钟解决方案。

器件选型发布时间 : 2024-09-13

赛思晶振选型表

赛思提供以下晶振选型：时钟晶振、恒温晶振、温补晶振的选型，频点（MHz）：8.192-125，电压(V)：3.3-12，波形：HCMOS、LVCMOS、方波、正弦波等参数选型

产品型号	品类	频点（MHz）	电压(V)	封装尺寸(mm)	温度稳定度(℃)	相噪(K)	日老化(ppb)	波形
D2020ABBY-10.00MHz	时钟模组	10	3.3V	20*20	±0.2ppb@-40~85℃	≤-150@1K	≤0.5ppb	LVCMOS