用德欧泰克200A/100V MOSFET DI200N10D2升级电信系统，可提供增强的同步整流性能
现代计算和电信应用需要高密度的电源。在电信数据中心中，48V是一种众所周知且有效的配电架构。由于电源电流高，这就要求在DC/DC转换器中采用同步整流器解决方案。它们效率高，在这些全天候运行的应用程序中是必不可少的。
德欧泰克的新出的MOSFET DI200N10D2是一款200A/100V N沟道功率MOSFET，提供增强的同步整流性能。与现有的工业标准相比，它的Rds(on)j降低了约10%，从而提高了功率密度。其Rds(on)非常低，典型值为1.9mΩ，允许在高达950A的峰值漏极电流下正常运行。同步整流器的总功率损耗可以降低到最小。
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI5A7N65D1K N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI5A7N65D1K型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有高漏源电压、低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于电源供应、功率因数校正（PFC）、高压直流驱动和电池管理系统（BMS）等领域。
型号- DI5A7N65D1K,DI2A2N100D1K-AQ
DIW038N65K N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DIOTEC公司的DIW038N65K型号N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动器等领域。
型号- DIW038N65K
DI280N10TL N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI280N10TL型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它是一种高性能的电子元件，适用于各种电源转换器和工业应用。资料详细说明了其静态和动态特性，包括导通电阻、开关时间、漏极电流、阈值电压等关键参数。
型号- DI280N10TL,DI280N10TL-Q
DI170N03PQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI170N03PQ型号的N沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。该器件适用于直流/直流转换器、电源供应、电机驱动等领域。
型号- DI170N03PQ
DI050N06D1 N沟道功率MOSFET\n
描述- 本资料介绍了DI050N06D1型N沟道功率MOSFET的特性和应用。该器件采用先进的 trench 技术制造，具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点。适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI050N06D1-AQ,DI050N06D1,DI050N06D1-Q
DI045N10PQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI045N10PQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流转换器、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI045N10PQ,DI045N10PQ-Q
DI001N65PTK N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI001N65PTK型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、小尺寸封装等特点，适用于电源校正（PFC）、反激转换器、直流驱动等领域。
型号- DI001N65PTK-AQ,DI001N65PTK
DI100N10PQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI100N10PQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、电机驱动等领域。
型号- DI100N10PQ
DI2A7N70D1K N沟道功率MOSFET
描述- 该资料为DI2A7N70D1K型N沟道功率MOSFET的数据手册。内容包括产品特性、静态与动态特性曲线、热特性参数、封装尺寸和典型应用领域。
型号- DI2A7N70D1K
DI074N06D1K N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI074N06D1K型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于直流转换器、电源供应、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI074N06D1K,DI074N06D1K-Q
DI100N04D1 N沟道功率MOSFET\n
描述- 本资料介绍了DI100N04D1型N沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、尺寸和典型应用。该器件采用先进的槽区技术，具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点。
型号- DI100N04D1-AQ,DI100N04D1
DI7A5N65D2K N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI7A5N65D2K型号的N沟道功率MOSFET的特性、应用领域和相关数据。该器件采用先进的 trench 技术制造，具有低导通电阻、快速开关时间和符合RoHS标准等特点。
型号- DI7A5N65D2K-AQ,DI7A5N65D2K
DI198N15D2 N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI198N15D2型N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流/直流转换器、电源、电机驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI198N15D2
DI070N10D2 N沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DI070N10D2型N沟道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸和典型应用。该产品适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等商业和工业领域。
型号- DI070N10D2
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
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