本文由ll转载自德普微电子公众号,原文标题为:产品推荐 | DP045N03MTL TRMOS N-MOSFET 30V,3.9mΩ,60A,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
沁恒USB PD快充协议转发芯片CH220,3.3-22V宽电压输入,支持PD协议电压、电流限制功能
沁恒CH220为USB PD快充协议转发芯片,用于在两个Type-C接口间进行USB PD协议的转发,并实现电压限制、电流限制、功率扣除和过流保护功能,且相关参数可自由定制。CH220内置有高侧VBUS通路NMOS及栅极驱动,可使用内置NMOS进行VBUS电源通路控制,亦可驱动外置N-MOSFET,以实现更低的导通内阻。CH220提供QFN16(QFN16-3*3)封装形式。
德普微电子内置PLL倍频16通道64扫的PWM恒流驱动芯片DP3264S无点间距限制,最大电流36mA
DP3264S是德普微电子推出的内置PLL倍频16通道64扫PWM恒流驱动芯片。本文对其介绍。
德普微电子DPM32三大系列MCU解读,满足多层次市场需求
德普微电子面向不同层次市场需求,已正式推出了三大系列MCU:DPM32M08X旗舰系列具有极致的可靠性和强大的算力,丰富的存储资源和通讯接口以及多样化的封装适用于高性能电机驱动应用场景;DPM32M05X主流系列功能全面,兼具价格优势满足主流市场需求;DPM32M03X 超值系列集成必要外设,保证产品质量稳定、可靠提供极致性价比。
德普微电子MOSFET选型表
德普微电子提供以下参数的P沟道增强模式MOSFET和N沟道增强模式MOSFET及N+P-MOSFET选型,Vᴅss:-100V~800V,ID(A):-56A~414A,
产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
Configuration
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
Vth(V)
|
VGS4.5V.TYP(V)
|
VGS4.5V.MAX(V)
|
VGS2.5V.TYP(V)
|
VGS2.5V.MAX(V)
|
DP8202
|
N-MOSFET
|
CSP 4L
|
Dual
|
12V
|
±10V
|
6A
|
0.8V
|
6.8V
|
8.5V
|
10V
|
12.5V
|
选型表 - 德普微电子 立即选型
DP70R900DJ SJ N-MOSFET 700V,0.82Ω,6A
描述- DP70R900DJ是一款700V、0.82Ω、6A的Super Junction N-MOSFET,采用TO-252封装。该产品具有低导通电阻、高浪涌能量、低FOM等优点,适用于功率因数校正、充电器和LED照明等领域。
型号- DP70R900DJ
DP65R300AJ SJ N-MOSFET 650V,0.26Ω,15A
描述- DP65R300AJ是一款650V、0.26Ω、15A的Super Junction N-MOSFET,采用TO-220F封装。该产品具有低导通电阻、高 avalanche 能量、低 FOM 等特性,适用于功率因数校正、充电器和 LED 照明等领域。
型号- DP65R300AJ
【应用】日清纺提供输入电压4.5至30V的DC-DC芯片用于车载以太网摄像头,满足AEC-Q100认证
笔者在开发一款车载以太网摄像头的设计中,选择了NISSHINBO的DC-DC芯片R1245S003E作为12V转3.3V的电源方案,最大输入电压范围4.5V至30V,工作温度范围-40℃至105℃,内部集成N-MOSFET,完全满足车载以太网摄像头要求。
DP70R900AJ SJ N-MOSFET 700V,0.82Ω,6A
描述- DP70R900AJ是一款700V、0.82Ω、6A的Super Junction N-MOSFET,采用TO-220F封装。该器件具有低导通电阻、高浪涌能量和低FOM,适用于功率因数校正和充电器等应用。
型号- DP70R900AJ
DP016N10TGN2 DPMOS N-MOSFET 100V,1.4mΩ,342A
描述- DP016N10TGN2是一款100V、1.4mΩ、342A的DPMOS N-MOSFET,采用先进的沟槽MOSFET-DPMOS技术,具有极低的导通电阻和优异的QgxRDS(on)产品性能。该产品符合JEDEC标准,适用于电机控制、电池管理和不间断电源等领域。
型号- DP016N10TGN2
DP030N10BGN,DP030N10PGN DPMOS N-MOSFET 100V,2MΩ,220A
描述- 本资料介绍了DP030N10BGN和DP030N10PGN两款DPMOS N-MOSFET产品,包括其产品特性、应用领域、电气特性、热阻、封装信息等。
型号- DP030N10PGN,DP030N10BGN
DP70R360AJ SJ N-MOSFET 700V,0.34Ω,12A
描述- DP70R360AJ是一款700V、0.34Ω、12A的Super Junction N-MOSFET,采用TO-220F封装。该产品具有低导通电阻、高 avalanche 能量、低 FOM,适用于功率因数校正、充电器和LED照明等领域。
型号- DP70R360AJ
DP038N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V,3.3mΩ,93A
描述- 本资料详细介绍了DP038N04FGL型DPMOS N-MOSFET器件,包括其产品特性、应用领域、电气特性、热阻、封装信息等。该器件采用先进的MOSFET-DPMOS2技术,具有极低的导通电阻和优秀的QgxRDS(on)产品特性,适用于多种电子设备。
型号- DP038N04FGL
DP020N03FTL TRMOS N-MOSFET 30V,1.5mΩ,100A
描述- 本资料详细介绍了DP020N03FTL型号的TRMOS N-MOSFET,这是一种30V、1.5mΩ、100A的MOSFET。资料涵盖了产品概述、特性、应用领域、电气特性、典型性能特性、封装信息等内容。
型号- DP020N03FTL
DP65R550DJ SJ N-MOSFET 650V,0.45Ω,8A
描述- DP65R550DJ是一款650V、0.45Ω、8A的Super Junction N-MOSFET,采用TO-252封装。该产品具有低导通电阻、高浪涌能量、低FOM(导通电阻与栅极电荷乘积)等特点,适用于功率因数校正、充电器和LED照明等领域。
型号- DP65R550DJ
DP013N04TGL DPMOS N-MOSFET 40V,1.1mΩ,200A
描述- 本资料介绍了DP013N04TGL型号的DPMOS N-MOSFET,该器件具有40V耐压、1.1mΩ导通电阻和200A电流承载能力。资料详细描述了产品的特性、应用领域、电气特性、热阻、封装信息等。
型号- DP013N04TGL
电子商城
登录 | 立即注册
提交评论