展会前沿 | 基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展
6月13-15日,SNEC第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会在国家会展中心(上海)隆重举办。本届展会汇聚了超过3500家全球光伏产业链企业,共同展示最前沿的科技成果和技术产品,吸引逾50万专业观众参与。
基本半导体携2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E1B、工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块等系列新品,以及旗下全系列碳化硅二极管、门极驱动芯片、功率器件驱动器等产品亮相展会,全方位展示基本半导体在功率器件领域的创新技术实力。
现 场 盛 况
共鉴新品 以创新技术驱动能源未来
近年来,随着全球“双碳”战略的实施,作为新能源产业的重要方向,光伏行业持续快速发展,市场对功率器件的规格和散热要求也越来越高。碳化硅功率器件以其高效、耐高温、耐高压等特性,在新能源领域发挥着不可替代的作用。凭借在碳化硅领域的深厚积累和持续创新,基本半导体自主研发的众多性能卓越、品质可靠的碳化硅功率器件产品,被批量应用于光伏储能、直流快充、新能源汽车、工业及通信电源等领域,得到了市场的广泛认可。
01. 2000V/1700V高压碳化硅MOSFET
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求,基本半导体基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET,产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
其中,1700V 600mΩ碳化硅MOSFET可适配于组串式光伏逆变器和储能系统辅助电源的反激开关拓扑中,在提高辅助电源效率的同时,使辅助电源更安全可靠运行。
02. 1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET
为满足电机驱动、储能系统、大功率充电桩等领域的大功率应用需求,基本半导体研发推出了1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET B2M018120Z,产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点,可通过开尔文连接驱动,降低驱动回路的杂散电感。
03.第三代碳化硅MOSFET
B3M040120H/Z是基本半导体基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品,该系列产品进一步优化钝化层,提升可靠性,相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
04.工业级碳化硅功率模块Pcore™2 E1B/E2B
继推出首款工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B以来,获得了工业市场的广泛关注。展会上,基本半导体继续推出PcoreTM2 E1B工业级碳化硅半桥MOSFET模块,产品采用集成的NTC温度传感器、PressFit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB,在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
05.工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块
B2M040120T和B2M080120T是基本半导体基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块,主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
06. 工业级碳化硅半桥MOSFET模块Pcore™2 ED3
针对工业应用,基本半导体推出的工业级碳化硅半桥MOSFET模块Pcore™2 ED3系列模块具有低开关损耗、可高速开关、降低温度依赖性、高可靠性等特点,结温可达175℃,与传统硅基模块具有相同的封装尺寸,可在一定程度上代替相同封装的IGBT模块,从而有效缩短产品开发周期,提高工作效率。
基本半导体推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通,还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。
展会现场,基本半导体展位人头攒动,前来交流洽谈碳化硅功率器件技术和产品的客户络绎不绝。未来,基本半导体将继续秉承“创新、品质、服务”的理念,不断加大研发投入,推出更多高性能、高品质的碳化硅功率器件产品,与全球合作伙伴携手共进,共同助力能源结构的绿色转型与可持续发展。
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型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
B2M040120T SiC MOSFET
描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品,包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点,适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。
型号- B2M040120T
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数明半导体(Sillumin)直流充电桩芯片选型指南
型号- SILM5350SABCA-DG,SILM5350RABCA-DG,SILM8243BBCG-DG,5ILM5350MABCA-DG,SILM824X系列,SILM8244BBCG-DG,SILM82XX,SLMI8234HDDCP-DG,SLMI8234HBDCG-DG,SILM8244ABCP-DG,SLMI8235HBDCP-DG,SILM5150SDC-DG,SILM5350SDBCA-DG,SILM5350RDBCA-DG,SILM8244GBCP-DG,SILM8243GBCP-DG,SILM5350PABCA-DG,SILM5350HABCA-DG,SILM8243DBCP-DG,SILM8244DBCP-DG,SLMI8230DDCG-DG,SILM27624HGB-DG,SILM5341TCR-DG,SLMI8232DDCG-DG,SILM52XX,SILM5350FABCA-DG,SILM5350RGBCA-DG,SILM5350PGBCA-DG,SILM5721CM-DG,SILM105XS,SILM5350HDBCA-DG,SILM5350PDBCA-DG,SLM27523GB-DG,SILM5350FDBCA-DG,SLMI8231BDCG-DG,SILM5722FCA-DG,SILM5211CM-DG,SILM1044SEN-DG,SLMI8233BDCG-DG,SLMI8235BDCG-DG,SLMI823X系列,SLM2762X系列,SILM1044SCA-DG,SILM5350HGBCA-DG,SILM8245BBCG-DG,SILM5741FCG-DG,SILM27624HCA-DG,SILM8244GBCG-DG,SILM824X,SLMI8233HBDCG-DG,SILM5721FCA-DG,SILM105XS系列,SILM5740CG-DG,SLM27523CA-DG,SLMI8233HDDCP-DG,SILM5350系列,SLM27524GB-DG,SILM10575CA-DG,SILM5742FCG-DG,SILM8245BBCP-DG,SILM8243BBCL-DG,SILM8244BBCL-DG,SILM27624,SILM5150,SLMI8235DDCG-DG,SILM5350MBDCM-DG,SILM5346TCR-DG,SILM1050SCA-DG,SILM5350HBDCM-DG,SILM5720CM-DG,SILM5350SGBCA-DG,SLMI8231DDCG-DG,SILM1051SCA-DG,SILM5350PBBCA-DG,SLM346CK-DG,SLM343CK-DG,SILM5350PGDCM-DG,SLM340CK-DG,SILM104XS,SILM5350RDDCM-DG,SILM8243ABCG-DG,SILM5350MDBCA-DG,SLMI8230BDCG-DG,SILM5722CA-DG,SILM57XX,SLMI8234BDCG-DG,SILM8245DBCG-DG,SILM5150SCG-DG,SILM5350FDDCM-DG,SILM5350HBBCA-DG,SLM34X,SILM534X系列,SILM27624MGB-DG,SILM5350PADCM-DG,SLMI8235HDDCG-DG,SILM5350HADCM-DG,SILM5345TCR-DG,SILM8243GBCG-DG,SILM5340TCR-DG,SILM1042SCA-DG,SILM5350HGDCM-DG,SILM5350FGDCM-DG,SILM8245ABCL-DG,SILM1050SEN-DG,SILM27624LCA-DG,SILM10575EN-DG,SILM1040SEN-DG,SILM8243ABCL-DG,SILM8244ABCL-DG,SLM27525CA-DG,SILM5350MGDCM-DG,SILM5742CG-DG,SILM5200CM-DG,SILM8243DBCL-DG,SILM8244DBCL-DG,SILM5722FCM-DG,SILM8245DBCL-DG,SILM5740FCG-DG,SILM8244GBCL-DG,SILM8245GBCL-DG,SILM5720FCA-DG,SILM5350RBDCM-DG,SILM8244ABCG-DG,SILM27624LGB-DG,SILM5350MDDCM-DG,SILM8243GBCL-DG,SILM52XX系列,SLM27524,SILM5741CG-DG,SILM5350SGDCM-DG,SILM5350PBDCM-DG,SILM10515EN-DG,SILM5150S,SILM5343TCR-DG,SILM534X,SILM5350MADCM-DG,SILM5350SDDCM-DG,SLMI8234HDDCG-DG,SLM341CK-DG,SLMI8234HBDCP-DG,SILM8244DBCG-DG,SILM10405CA-DG,SILM5721CA-DG,SILM5350MBBCA-DG,SILM5150SCM-DG,SILM5350SADCM-DG,SILM53505BBCA-DG,SILM8245GBCG-DG,SILM572X系列,SILM5350FGBCA-DG,SLM345CK-DG,SILM5350,SLMI8235HBDCG-DG,SLM27525GB-DG,SILM8244BBCP-DG,SILM8243BBCP-DG,SILM5720CA-DG,SILM5720FCM-DG,SLMI823X,SILM8245BBCL-DG,SLM2762X,SILM5350FBDCM-DG,SILM104XS系列,SLMI8235HDDCP-DG,SLMI8233DDCG-DG,SLMI8234DDCG-DG,SILM1042SEN-DG,SILM8245ABCG-DG,SILM5350FADCM-DG,SILM27624MCA-DG,SILM5350RBBCA-DG,SILM5350SBDCM-DG,SILM5350RGDCM-DG,SLM34X系列,SILM572X,SILM5350HDDCM-DG,SILM5350PDDCM-DG,SLMI8232BDCG-DG,SLMI8233HDDCG-DG,SILM5722CM-DG,SILM5721FCM-DG,SLMI8233HBDCP-DG,SILM8243DBCG-DG,SILM5350MGBCA-DG,SILM5350FBBCA-DG,SLM27524CA-DG,SILM5202CM-DG,SILM5350RADCM-DG,SLM8243ABCP-DG
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型号- B2M030120N
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型号- GPT080M0120HBMXT1
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制三防平板尺寸范围5~15.6寸,win10/11/安卓90/10.0/110/120/Linux/麒麟系统等多系统定制,IP65防尘防水,在-10°C~50°C稳定运行,支持一维/二维、NFC等功能模块、指纹识别模块自由选配。
最小起订量: 1台 提交需求>
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