【产品】漏源电压为650V的N沟道MOSFET器件12N65，其连续漏极电流为12A，可提供四种封装选项
固得沃克公司推出的12N65系列是一款连续漏极电流12A、漏源电压650V的N通道MOSFET。其栅源电压为±30V，脉冲漏极电流为48A，单脉冲雪崩能量为900mJ，工作结温和储存温度范围均为-55℃~150℃，反向二极管的dV/dt为5.5V/ns。该系列产品可提供四种封装分别为：ITO-220AB、TO-220AB、TO-262和TO-263，具体如下图。
图1 12N65封装
图2 12N65等效电路图
产品特点：
●漏极电流12A，漏源电压650V
●漏源导通电阻RDS(ON)为0.65Ω（@VGS=10V/6A）
●低栅极电荷
●低输入电容
●快速开关
●100%雪崩测试
●改进的dv/dt能力
热特性参数：
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型号- 1A1,1A2,1A3,1N4743A,1A4,1A5,1A6,1A7,SMAJ40CA,SK58A,SK58B,ES6EC,NUP2105L,MUR830CT,5.0SMDJ170A,SK58C,RSЗAC,1N4742A,MMBT2222,RS3BBF,K53,SMDJ78CA,K52,K55,K54,ES2JBF,K56,RSЗAB,K58,S2MB,S2MA,ES6DC,MBR60150PT,SMCJ14CA,S2MF,1N4745A,ES24B1LA10,5.0SMDJ85A,100P03NF,R4000,SMCJ100CA,SR140S,ES6CC,SMBJ300A,5KP30A,1N4746A,SMF120CA,SMBJ150CA,1N4744A,MUR1680,SK815C,SR140L,SK815B,SMDJ170A,ES24B1LA06,ESD9X7.0A,FR603,FR604,FR605,FR607,SMDJ58A,SS320BF,ES6BC,MBRD10100,SMCJ30A,15N10,MBRF880,2SA1036,MBR20150,MBRF20L60CT,1SMA4731A,ES6AC,SK54C,1F1,1N4748A,1F2,SR180,SK54A,1F3,SK54B,1F4,1F5,1F6,1F7,SMAFJ130A,BZT52C33WS,US8MC,P6KE8.2CA,SMAJ100A,MUR1660,SS210L,SIK,P4KE180A,1SMA4730A,SK53B,5.0SMDJ170CA,SK53C,SS210B,SS210A,SS210F,SK53A,1N4747A,BZT52C20WS,US8JC,SMDJ54A,MBRD20L150CT,SMDJ160CA,SMBJ400CA,SMF36CA,MBRD10150,1SMA4733A,GK3012GD,HER108WS,1H1,1H2,SMAFJ30CA,SK56A,1H3,SK56B,1H4,P4KE22CA,SK56C,1H5,1H6,1H7,1H8,ES05B1LB10,MSB20M,SMCJ220CA,ES38D1MA10,A733,MUR1640,MUR3030PT,1SMA4732A,SK810C,1.5KE51A,SK55A,MBRF1080CT,1N4749A,SK55B,SK810B,SR190,SK55C,KBL606,MBR10L150CT,KBL608,1.5KE36CA,PC817,5KP36A,1SMA4735A,SMAJ18CA,KBL610,1.5KE170CA,MBR20100CT,90N10NF,R1800,5KP90CA,ESD9B3V3A,SMDJ51A,SR1045L,1SMA4734A,SR3200,1.5KE56A,SMCJ188CA,RS2AB,1SMA4737A,RS2AF,5KP24CA,GK280R65F,SK1045C,SK1045B,SMBJ90A,US1B,SMF64A,US1A,SMBJ12CA,BZT52C3V9W,US1J,MUR520,MURF840CT,US1G,ES07S1HB16,US1E,US1D,1SMA4736A,RBS210,US1M,US1K,ES06D1HA03,SMBJ5.0A,SS520A,SS520B,MBR4045PT,MBRD20L45CT,ES3EBF,SS520C,1SMA4739A,SS520F,MBR40L200CT,P6KE180CA,SS1060LB,SS1060LC,ES36D1LA03,ESD5B36C,BZT52C3V3W,MURF1660CT,UMSB30B,UMSB30A,MUR540,1SMA4738A,SS215A,UMSB30K,UMSB30J,SMAFJ440A,5.0SMDJ78CA,MUR16100CT,UMSB30G,SS215B,UMSB30D,BZT52C3V6W,P4KE400A,UMSB30M,SMAFJ90A,1.5KE10CA,SM15,S35VB100,SS215F,SM12,SMF60A,P6KE27CA,5KP33A,20A10,MBRF30200,SM05,MUR560,5KP11CA,AMS1117-2.85,MBR3045,P4KE6.8CA,RS2GB,UG2KB80,SMAFJ12CA,RS2GF,SM36,FDS4559,SMF70A,P4KE20A,KBPC5006W,SMAJ6.5C 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型号- 12N65B,12N65,12N65F,12N65H
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型号- 120N06
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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