德普微电子高可靠超低功耗锂电池保护芯片DP6801系列，工作时消耗电流为0.5μA，待机时间可达27个月
目前，智能穿戴设备已逐步普及应用，为生活、工作带来了舒适和便利。智能穿戴设备均采用锂电池进行供电，因此，锂电池的安全性和续航能力也成为评价终端产品质量的重要指标。
现有技术下，锂电池过度充电、放电电流过大容易引起燃烧甚至爆炸，过度放电则会导致特性劣化、使用寿命下降，需要高可靠性的保护芯片来防止相关情况发生，同时，保护芯片工作过程中，也需要尽可能地降低功耗，延长锂电池单体待机时间，以提升终端产品使用体验，解决终端用户“电量焦虑”。
SOT-23-6封装外形 DFN1814封装外形
基于以上需求，德普推出了全新的高可靠、超低功耗锂电池保护芯片——DP6801系列，工作时消耗电流为0.5μA，休眠时消耗电流≤20nA，采用了SOT-23-6和DFN1814两种封装外形，前者工艺传统，精度和性价比高，后者在保证高精度的同时，减少了空间尺寸，更加适用于小体积产品。
功耗/待机时间对比 (理论计算)
相同电池容量，搭载DP6801系列超低功耗锂电池保护芯片，待机时间可达27个月，是普通功耗芯片的近7倍，效果提升惊人。
产品选型
DP6801系列兼容锂电池全部电压平台，差异化的封装外形为终端产品提供了更加丰富的选择。同时，DP6801系列还支持为客户进行定制开发，以满足更多个性化需求。
近年来，依托于自有研发基地和封测工厂，德普坚持以市场需求为导向、以技术创新为驱动，产品种类、性能、质量持续提升，市场份额不断扩大。未来，德普将继续加大研发投入，为客户提供更安全、更可靠、更高效的芯片解决方案。
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产品型号
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品类
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VGS4.5V.MAX(V)
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VGS2.5V.TYP(V)
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ID(A)
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Vth(V)
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VDS(V)
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Configuration
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VGS(V)
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VGS2.5V.MAX(V)
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VGS4.5V.TYP(V)
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封装/外壳/尺寸
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DP8202
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N-MOSFET
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8.5V
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10V
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6A
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0.8V
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12V
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Dual
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±10V
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12.5V
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6.8V
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CSP 4L
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