德普微电子DP中压TOLL系列MOS采用封装凹槽设计具有375W耗散功率，最大300A电流承载能力

时间： 2024-07-25 来源：德普微电子公众号

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德普微电子推出的DP中压TOLL系列MOS采用封装凹槽设计，管脚尺寸9.9*11.7mm，375W耗散功率，最大300A电流承载能力，主要应用于电机驱动、电池保护板及不间断电源等高功率、大电流需求场景。

采用封装凹槽设计，能够提高AOI设备的识别准确率，有效减少因为管脚焊接不良造成的缺陷，提高产品质量和生产效率。

与TO263封装相比，TOLL系列管脚尺寸减少了23%，耗散功率提升近2倍，配以最大300A电流承载能力，可在更小的空间内承受更大的电流负载，同时提供更稳定的输出电压和电流，有效提高产品的集成度和可靠性。

设计、制造过程中遵循严格的质量控制和测试流程，保证了自身的高品质和高可靠性。

产品列表

DP中压TOLL系列MOS的推出，也标志着德普在高功率、大电流领域的技术实力得到了进一步提升。后续，德普将持续加大研发投入，不断推陈出新，为客户提供更加优质的产品和服务。

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德普微电子MOSFET选型表

德普微电子提供以下参数的P沟道增强模式MOSFET和N沟道增强模式MOSFET及N+P-MOSFET选型，Vᴅss：-100V~800V，ID(A)：-56A~414A,

产品型号	品类	封装/外壳/尺寸	Configuration	VDS(V)	VGS(V)	ID(A)	Vth(V)	VGS4.5V.TYP(V)	VGS4.5V.MAX(V)	VGS2.5V.TYP(V)	VGS2.5V.MAX(V)
DP8202	N-MOSFET	CSP 4L	Dual	12V	±10V	6A	0.8V	6.8V	8.5V	10V	12.5V