德普微电子DP中压TOLL系列MOS采用封装凹槽设计具有375W耗散功率,最大300A电流承载能力

2024-07-25 德普微电子公众号
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德普微电子推出的DP中压TOLL系列MOS采用封装凹槽设计,管脚尺寸9.9*11.7mm,375W耗散功率,最大300A电流承载能力,主要应用于电机驱动、电池保护板及不间断电源等高功率、大电流需求场景。


采用封装凹槽设计,能够提高AOI设备的识别准确率,有效减少因为管脚焊接不良造成的缺陷,提高产品质量和生产效率。

与TO263封装相比,TOLL系列管脚尺寸减少了23%,耗散功率提升近2倍,配以最大300A电流承载能力,可在更小的空间内承受更大的电流负载,同时提供更稳定的输出电压和电流,有效提高产品的集成度和可靠性。

设计、制造过程中遵循严格的质量控制和测试流程,保证了自身的高品质和高可靠性。


产品列表


DP中压TOLL系列MOS的推出,也标志着德普在高功率、大电流领域的技术实力得到了进一步提升。后续,德普将持续加大研发投入,不断推陈出新,为客户提供更加优质的产品和服务。


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