德普微电子宽供电高频QR集成GAN的功率开关DP221X系列,具有9V-85V宽范围工作电压

2024-07-23 德普微电子公众号
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DP221X德普微电子推出的一款宽供电高频QR集成GAN的功率开关,本文对其介绍。


产品概述

  • 专为PD/快充应用优化的高频QR功率开关

  • 9V-85V的VCC工作电压,可以覆盖PD/PPS从3.3V-21V的输出范围,且不需额外的VCC绕组或线性降压电路。

  • 针对PD/快充具有多个不同的输出电压,采用了自适应的多模式。在不同负载及不同输出下,调整工作于DCM/QR;轻载时则会工作于Burst模式,以提升效率。

  • 提供了全面的保护功能。有输出过压保护,过功率保护,VCC过压保护,Brown in/out,还提供了副边同步整流短路保护,CS短路保护等。


产品特点

  • 内置650V GANFET

  • 宽范围VCC工作电压(9V-85V)

  • 最高可达130KHZ的开关频率

  • 专有软启动电路可降低SR Vds应力

  • 优化的各点效率,容易满足能效标准

  • 同步整流短路保护

  • Brown in/Brown out功能

  • VCC过压/输出过压保护

  • 支持PPS宽范围输出



产品应用

  • AC/DC PD适配器

  • 高功率密度电源

应用原理图


 产品封装


产品选型


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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目录- OVER-VOLTAGE PROTECTION DEVICES    MV & LV MOSFET    POWER MOSFET    IC PRODUCTS   

型号- WE05DUCF,WMS140N06LG2,WMK043N10HGS,WEOS61089-17Q,WMM80R1K0S,WMB190DN10LG2,WMN26N65C4,WMQ30N04TS,WS4.5DPMF-BH,WMO35N06T1,WS6.3DFVH,WE05D5LC-B,SMF10CA,WS6.0P30SMC-B,SM4F36CA-AT,WMJ30N80M3,P8S24CA,WMN10N65C4,WS03D-B,WEOS4-100/300AS,WMN90R830S,WES806S,WMO048NV6LG4,WS18P6SMB,WMM12N80M3,WMM13N65EM,WECM5212Q,GDTN2RS3-470,WMK072N12LG2,WEOS4-150/270AS,WMLL025N10HGS,WMO80R480S,WMM90R360S,WMLL029NV8HGS,WMK05N70MM,WMK080N10LG2,WMN18N50C4,WS15D-B,WMR050N03LG4,5.0SMDJ20CAS,WMN15N60F2,WMN26N65F2,WMB120P06TS,WS64P6SMB-B,WEOS61089 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选型指南  -  WAYON  - 2023/6/12 PDF 英文 下载

亚成微电子股份有限公司ACDC电源管理方案

型号- RM341XSH,RM6163D,RM6717S,RM3413SH,RM671X系列,RMG65R380SN,RM6801X,RM3364S,RM3352S,RM6601SNX,RMA65R2K5SN,RMC65R380SN,RMG65R280SN,RM3368S,RM3365D,RM6801S,RM6514S,RM673XS,RM335X系列,RM671XS,RM6801X系列,RM3401SH,RMC65R650SN,RM3405SH,RM3353S,RM3430T,RM65R1K6SG,LM3290,RM3410T,RM4100,RM335X,QFE4100,RM65R1K6SD,RM6801SNX,RMG65R650SN,RM6601,RM671X,RMA65R1K0SN,HUSB339,RM6601SN,RM343X,RM3366D,RM6715S,RM3412SH,RM6601X,RM343XSH,RMC65R1K0SN,RMA65R1K6SN,RMG65R1K6SN,RM6601X系列,RM343X系列,RM6517D,RMG65R1K0SN,RM3100,RM442D2,RM6601系列,RMA65R650SN,RM50055,RM6601S,RMA65R380SN,RM6801SNX系列,RM65R2K5SD,RM6801SN,RMX65R950SN,SW3517,RMX65R600BN,RM3402SH,RMC65R280SN,QET6100,RM6601SNX系列,RM67XX系列,RM4141N,RM6710S,RM65R2K5SG,SW3516,RM50085,RMA65R280SN,RM3400T,RMG65R2K5SN,RM67XX

商品及供应商介绍  -  亚成微电子  - 2021/6/1 PDF 中文 下载

磁集成技术在电力电子行业开关电源中的应用

磁性元件是开关电源的核心部件,主要实现储能、转换、滤波和电绝缘等功能。随着磁性元件和器件的不断发展,微型和高频磁性技术得到进一步发展。作为一种应用技术,集成磁技术将在提高功率密度、减小变压器体积和重量等方面发挥着越来越重要的作用。磁集成技术将是未来磁性元件的发展方向,并为电力电子行业的发展带来创新和突破。

技术探讨    发布时间 : 2024-07-06

用于适配器GAN MOS开关噪声(100MHz~200MHz)抑制的顺络磁珠与平面变压器

型号- PZ3225U601-3R0TF,SDNT0603C103F3380FTF,MPH201210S4R7MT,MPL2012S3R3MHT,MWSA1206S-330MT,MWLA1206S-470MT,MPH252010S2R2MT,MPH201210S3R3MT,MWSA1206S-270MT,MZAS3225D681-4R0TF,MPL2520S2R2MWT,SDNT1005X104F4250FTF,MZAS4532D102-5R0TF,MWLA1206S-330MT,MPH252010C3R3MT,MZAS2520D601-4R0TF,MPL2016S3R3MHT,SDNT1005X103F3380FTF,MPL2520S4R7MWT,ED18,MZAS2016G301-3R0TF,MPL2016S4R7MHT,MPL2012S4R7MHT,MPL2520S3R3MHT,MPL2016S2R2MHT,MWSA1206S-180MT,MPL2012C2R2MHT,MPL2012S2R2MYT,MPH252010S4R7MT,MWLA,MPH201210S2R2MT,MPL2012S4R7MYT,MPL2012S2R2MHT,MWLA1206S-220MT,PZ3225D601-3R0TF,SDNT0603C473F4050FTF,MPH252010S3R3MT,MPH252010C2R2MT,MWSA1206S-150MT,RM8,MWSA,MWSA-S,MPL2520S4R7MHT,MWSA1206S-220MT,SDNT,MWSA-S SERIES,QC15W,MWLA-S,MWSA1206S-470MT,MWLA-S SERIES,MPH201210S2R7MT,MPL2520S2R2MHT,MPL2520S3R3MWT,SDNT0603C104F4250FTF,MPH252010C4R7MT,MWLA1206S-150MT

商品及供应商介绍  -  顺络  - 2022/2/7 PDF 中文 下载

泰高提供集成氮化镓驱动器与氮化镓FET的氮化镓电源芯片,易驱动且无反向恢复,适用于硬开关、快充等应用

泰高技术提供氮化镓电源芯片产品,芯片集成氮化镓驱动器与氮化镓FET,适合客户设计高功率密度和高效的AC/DC电源。以易驱动,无反向恢复的优势,非常适合于硬开关应用。

厂牌及品类    发布时间 : 2022-09-21

碳化硅肖特基二极管的优势及应用

肖特基二极管,又称热载流子二极管,通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒,实现整流。与普通PN结二极管相比,肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此,肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限。

技术探讨    发布时间 : 2024-07-04

【应用】效率高达96%的3KW 5G通信电源设计方案

如何低成本的建设低能耗、高可靠和高功率密度的通信电源系统,成为5G通信电源的挑战。本方案采用MOSFET作为主开关器件,搭配非隔离驱动IC、隔离驱动IC、保险、输入继电器、整流桥,隔离IC、TVS和4G通讯模组等器件,实现3KW的效率高达96%的5G通信电源的高功率密度设计。

应用方案    发布时间 : 2020-05-23

平伟推出基于GaN-FET+SiC-Diode的高功率密度快充解决方案,助力高功率密度开关电源的创新

传统的功率器件解决方案已经不能满足社会发展的需求。通常要在低成本、高可靠性、高效率、小体积以及优秀系统性方面有所取舍。平伟实业在第三代宽禁带半导体领域已经深耕多年,在这样一个技术需求的背景下,推出了一种基于氮化镓、碳化硅器件的高密度功率快充功率器件解决方案。

厂牌及品类    发布时间 : 2023-07-14

数据手册  -  国科赛思  - Revision 1.0  - 2023-7-31 PDF 中文 下载

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