无锡市委常委、江阴市委书记赴昕感科技视察指导,合力推动功率半导体芯片项目建设
2024年6月14日上午,无锡市委常委、江阴市委书记许峰以市人大代表的身份,来到高新区参加市人大代表“履职问计活动周”专题视察活动,聚焦教育办学、项目建设等工作重点,深入一线、现场视察,听取民意、汇集民智,不断开创江阴高质量发展新局面。
市人大常委会主任计军,市委常委、高新区党工委副书记、管委会副主任顾文瑜,高新区党工委委员、管委会副主任赵志军参加活动。
昕感科技作为代表企业受到许峰书记一行视察指导。
走进昕感科技功率半导体芯片项目,热火朝天的施工景象映入眼帘。许峰一行详细了解项目建设进度,询问企业产品技术优势、市场布局等情况。江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片的研发及产业化,产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。昕感科技功率半导体芯片项目总投资20亿元,预计8月份设备进场调试,12月底正式投产,项目满载后产值可达数十亿元。
看到项目拔地而起、建设进度日新月异,许峰一行十分欣慰,希望企业在确保施工安全的前提上加快项目建设,加大产品关键技术研发攻关力度,并与江阴优质企业强化对接、形成合力,共同把企业做强,为江阴勇当发展新质生产力的排头兵赋能加持。高新区要主动作为、靠前服务,帮助企业及时解决项目建设过程中存在的困难和问题,推动项目早竣工、早投产、早见效。
昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产,致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。
昕感科技产品性能和可靠性对标国际一流企业,已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产,部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中,1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等导通电阻规格,模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。截至目前昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家,产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。昕感科技是国内为数不多可进行6吋晶圆特色工艺生产的IDM厂商,后续可为客户提供更好的支持与服务。
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碳化硅:第三代半导体材料的性能优势与应用前景
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行业资讯 发布时间 : 2024-11-11
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI) | 中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE) | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes) | 中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip) | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG ) | Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER) | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics) | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY) |
活动 发布时间 : 2024-10-12
【元件】中瑞宏芯半导体1200V 14mΩ SiC MOSFET正式发布,175℃、800V下短路3.5μS安全通过
近日,随着可靠性测试的完成,macrocore semiconductor中瑞宏芯正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET新产品——HX1M014120K的量产计划,成为国内极少数可批量提供该规格大电流低导通电阻SiC MOSFET产品的半导体厂商之一。
产品 发布时间 : 2024-11-07
新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析
受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸,目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展,越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年,SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-22
阿基米德半导体(Archimedes)IGBT分立器件/功率模块选型指南
型号- AMGO75B65FPH3RB,ADH040N12HT5,AMG006L12P2C3RB,ADG075N65CT5,AMG006L12P2C3RA,ADG040N65HT5,AMG225L12L1H3RB,ADH075N12MT7,AMG375L65L1S5RC,AMG150L70P2H3RA,AMG200L12L1H3RA,AMG200L12L1H3RB,AMG100L65P2H3RB,AMG225L65F2S5RC,AMG950H75H1H3RA,ADG100N12BT7,AMG100L65P2H3RA,AMG200H12S1M3RA,AMG080L12F1H3RA,ADG050N12AT7,AMG450L65P4S5RE,ADH075N65FT5,AMG450L65P4S5FC,AMG400L12P4H3RA,AMG400L12P4H3RB,AMG300H12S1M3RA,ADG075N70CT5,ADG060N65BT5,AMG450L65P4S5RD,AMG450L65P4S5RC,AMG150L12L1H3RA,ADG050N65CT5,AMG225L65P4S5RC,ADG075N65FT5,AMG300H12E1M3RA,AMG300L12P4H3RA,ADG150N65FT7,ADG075N65BT5,ADG050N65KT5,AMG820H75H1H3RA,ADG100N65FT7,AMG600H12E1M3RA,AMG450H12E1M3RB,AMG300L65F2S5RC,AMG300L65F2S5RA,AMG300L65F2S5RB,AMG600H75H1H3RA,ADG100N12MT7,AMG150L65P2H3RB,ADG075N12MT7,AMG150L65P2H3RA,AMG600H12E1M3RB,ADG040N12HT5,ADG050N12HT7,AMGO80L12F0H3RA,AMG080L12F0H3RB,AMG450L65F2S5RC,AMG450L65F2S5RB,ADG040N12AT5,ADS080N12GT8,AMG300L65P4S5RC,AMG600H12S1M3RA,AMG160L12F1H3RB,AMG160L12F1H3RA,AMG450H12E1L3RA,AMG900H12E1M3RA,AMG375L65P4S5RC,AMG600H12H1H3RA,ADS040N12GT8,AMG450H12S1M3RA,AMG160L12F2H3RB,AMG160L12F2H3RA
中国新能源汽车几何式发展,瑞之辰布局SiC市场
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。深圳瑞之辰率先察觉这一趋势,早已布局SiC(碳化硅)领域,正发力推动行业高质量发展。
行业资讯 发布时间 : 2024-11-01
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
新产品 发布时间 : 2023-06-22
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块,可替代硅基IGBT芯片的模块,系统损耗降低三分之一
又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块,实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
产品 发布时间 : 2024-11-01
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可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围:250~36000 mPa·s,硬度范围:50Shore 00~85Shore D,其他参数如外观颜色,固化能量等也可按需定制。
最小起订量: 1 提交需求>
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