“汽车＆光储充与SiC技术大会”，蓉矽半导体受邀出席并带来《SiC技术助力充电与储能技术更加高效节能》主题报告
SiC技术助力充电与储能技术更加高效节能
6月14日，由“行家说三代半”举办的第2届“汽车/光储充SiC技术应用及供应链升级大会”在上海虹桥新华联索菲特大酒店进行。作为碳化硅行业的专业盛会，此次活动受到众多汽车及光储充终端企业的高度关注和支持，有数百位行业精英参会并将围绕3大主题发布最新的技术报告——8英寸碳化硅量产技术、车规级应用以及光储充应用。
蓉矽半导体受邀出席并带来《SiC技术助力充电与储能技术更加高效节能》的主题报告。
01关于储能变流器
储能变流器(Power Conversion System，简称PCS)是电化学储能系统中的关键设备，用于连接储能电池系统和电网的双向电流可控转化装置，主要功能是实现蓄电池与电网之间的能量交换。因此，储能变流器的性能直接影响着储能系统的整体效率。碳化硅 (SiC) 器件在高电压和大电流应用中具有更多优势，可以带来更低损耗、更高功率密度的解决方案。
02蓉矽半导体致力于推动新型储能系统技术的发展
蓉矽半导体一直致力于与储能行业重点客户紧密合作，通过提供采用1200V NovuSiC® MOSFET的T型三电平解决方案，在双向应用中可以有效解决IGBT+FRD热分布不均的问题，助力PCS降本增效。
此外，蓉矽半导体基于市场应用端切实需求，瞄准1500V储能系统并推出2000V的SiC功率器件系列，为新型储能系统技术的发展做出积极贡献。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由拾一转载自NOVUSEM（蓉矽半导体）微信公众号，原文标题为:看现场！“汽车&光储充与SiC技术大会”正在进行中，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
爱仕特携新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案亮相SEMI-e深圳国际半导体展
作为业内资深的碳化硅功率器件及应用方案提供商，爱仕特受邀参加此次展会，将在4号馆【4A30-8】展位进行创新成果展示。展品范围涵盖650～3300V的碳化硅MOSFET（包括最新3300V大电流产品）、650～1700V的碳化硅功率模块以及在新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案。
扬杰携创新产品和应用解决方案，亮相2024行家说三代半汽车＆光储充SiC技术应用及供应链升级大会
备受关注的2024行家说三代半汽车＆光储充SiC技术应用及供应链升级大会在上海圆满落幕，扬杰科技携创新产品和应用解决方案亮相大会，与客户、研究者等众多业内精英们进行了精彩对话，重点分享了碳化硅行业的前沿资讯和研究成果。
积极布局光伏市场，爱仕特科技SiC功率器件助力光伏逆变器企业提高转换效率、降低系统损耗
面向光伏逆变器功率更大、效率更高、体积更小、成本更低，以及组串式逆变器配置灵活、易于安装的发展方向，爱仕特科技依托技术驱动，推出了全新一代SiC MOS以及EasyPACK、EasyPIM模块产品，已通过相关电性能测试评估及可靠性考核，实现功率密度最大化。
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
使用德欧泰克的功率MOSFET DI100N10PQ-AQ的汽车辅助驱动
DIOTEC德欧泰克的DI100N10PQ-AQ是一款100V耐压的N沟道功率MOSFET，可提供高达80A的最大电流需求。其非常低的导通状态电阻典型值为4.5mOhm，有助于降低功率损耗，从而降低结温。该器件广泛应用于水泵、油泵或类似的各种汽车驱动中。
蓉矽半导体邀您参加慕尼黑上海电子展！
慕尼黑上海电子展(electronica China)将于2024年7月8-10日在上海新国际博览中心举办。展会聚焦新能源汽车、储能、第三代半导体等应用领域，紧跟行业重点，汇聚了国内外优质电子企业加入。蓉矽半导体将在E3馆3646号展示第二代1200V/20mΩ SiC MOSFET以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案，诚邀您莅临交流。
蓉矽受邀参加2024新能源光储充产业创新发展高峰论坛并发表主题演讲，荣获“年度创新明星供应商”
2024年5月15-17日，“2024新能源光储充产业创新发展高峰论坛”在合肥市举行。NOVUSEM蓉矽半导体受邀进行“高频高效：基于SiC的光储充解决方案”的主题演讲并荣获“2024光储充及制氢产业链年度创新明星供应商”。
NOVUSEM蓉矽半导体出席2024新能源光储充及制氢产业创新发展高峰论坛并发表主题演讲
5月15-17日，“2024新能源光储充产业创新发展高峰论坛”将在合肥市举行。NOVUSEM蓉矽半导体应用工程部总监王德强受邀进行“高频高效：基于SiC的光储充解决方案”的主题演讲。本次演讲中，他将首次分享蓉矽半导体第二代1200V/20mΩ SiC MOSFET的设计亮点、关键特性、应用优势、量产平台及规模等，敬请期待！
NEPCON Japan顺利收官，蓉矽半导体携自主研发MOSFET加速拓展海外市场！
蓉矽半导体自成立以来就致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发，产品关键指标可达到现今国际最先进技术标准，在新能源汽车、充电桩、电驱控制等领域应用前景广阔，拥有符合IATF 16949的完整供应链和来自台湾汉磊的坚实产能保障。
ROHM（罗姆）SiC功率器件产品介绍
描述- Rohm SiC功率器件开发状况介绍
型号- P02SCT3040KR-EVK-001,2ASC-12A1HP,EVSM1D72J3-934MH93,BSM300C12P3E201,EVSM1D72J2-145MH26,SCT3XXXKLHR,BSM600D12P3G001,BSMGD3C12D24-EVK001,SCT3XXXKL,BSM120D12P2C005,SCT3XXXKR,BSMGD3G12D24-EVK001,BSM180C12P2E202,SCT3XXXAW7,SCT3040KR,BSM400D12P3G002,SCT2080KE,BSM080D12P2C008,BSM180D12P3C007,BSM400D12P2G003,BSM300C12P3E301,2ASC-17A1HP,SCT3XXXALHR,BSM300D12P2E001,SCT3040KL,SCT3XXXAL,BSM120C12P2C201,SCT3XXXKW7,P01SCT2080KE-EVK-001,BSM600C12P3G201,BSM SERIES,BSMGD2G12D24-EVK001,SCT2XXX,SCT3XXXAR,BSM250D17P2E004,BSM250,2DU SERIES,2DU180206MR04,EVSM1D72J2-145MH16,2DU180206MR02,SCT3XXXAW7HR,2DU180206MR01,BSM180C12P3C202,BSM400C12P3G202,BSM180D12P2E002,EDCA1,2DU180506MR03,EDCA2,2DU180506MR02,EDCA3,SCT3XXXKW7HR,SCT3XXX,2DU180506MR04,2DU180506MR01,BSM300D12P3E005
【经验】采用隔离驱动器+MOSFET替换传统SSR的电源优化方案
Silicon Lbs推出的SI875X加MOS FET的方案来替代传统的设计，Si875x无需使用庞大的机械继电器，这些继电器可能难以组装到PCB上并向系统添加开关噪声。 可以支持全面的工业和汽车温度范围，稳定性更高，寿命更长。
蓉矽半导体即将携碳化硅光伏、储能等应用解决方案亮相EESA第二届中国国际储能展！
2023年8月30日-9月1日，蓉矽半导体将参加在苏州国际博览中心举办的EESA第二届中国国际储能展览会暨第十届中国国际光储充大会。蓉矽半导体将携碳化硅光伏、储能等应用解决方案亮相，为绿色未来注入强劲动力。
【产品】0.17A/100V的汽车级MOSFET TBSS123，采用SOT-23封装
创瑞科技(AiT)推出的TBSS123为汽车级MOSFET，其中TBSS123-A满足AEC-Q101，采用SOT-23封装，结温和储存温度范围均宽至-55°C～+150°C，漏源电压100Vdc，漏极直流电流为0.17Adc，可很好应用于汽车领域。
【经验】解析使用缓冲电路在保护基于SiC功率器件方面的优势
基于SiC的功率器件可以处理的电压比只使用Si的要高10倍，并且开关损耗也更低。由于具备这些优点，这类功率器件成为了电力电子、工业设备和电动汽车（EV）充电站等应用的绝佳选择。Knowles将深入探讨使用缓冲电路在保护基于SiC功率器件方面的优势。
瞻芯将赴车规级功率半导体年会分享车用SiC功率器件与芯片技术
瞻芯电子已研发量产一系列按车用标准设计产品包括650V-1200V碳化硅(SiC)MOSFET, 1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)，SiC专用栅极驱动芯片等，多款已获车规级认证，并批量“上车”应用。
电子商城
现货市场
服务
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论