【元件】 爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET，导通电阻低至58mΩ
近日，爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求，爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率，使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。
▲爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET
目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几，据全网最新公开数据，爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A碳化硅MOSFET的厂商。早在2018年，爱仕特已成功研制3300V碳化硅MOSFET样品，而此次3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产，充分体现了爱仕特在碳化硅功率器件领域过硬的正向研发实力，有助于打破国外碳化硅厂商的垄断，在高压大功率电力电子器件领域占领一席之地。
▲爱仕特3300V系列碳化硅MOSFET
相较于硅基IGBT，爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET可以构建更小型、更轻量、更经济的设计，能够更有效地转换能量，并且支持各种终端应用。
产品特点
1、高耐压能力
器件的耐压能力高达3300V，远超传统硅基MOSFET和IGBT的耐压水平（900V～1200V）
2、低导通电阻
器件具有极低的导通电阻，在18V驱动电压下低至58mΩ，配合低热阻新型TO-247-4L封装设计，可以有效提升电流能力，满足大功率应用需求
3、高温稳定性
器件能够在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种环境条件，提高了应用的灵活性
▲器件在不同结温下的稳定性
4、高开关速度
碳化硅材料的电子迁移率比硅高，能够更快地响应外部信号，器件因此具有更高的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的动态性能
5、高功率密度
搭载自主研发的碳化硅MOSFET芯片，器件能够在较小的尺寸下承受更大的电流，提升了功率密度
新型TO-247-4L封装设计，能够满足器件在现代电力电子系统中日益增长的高功率密度需求，使系统设计更为紧凑和高效
▲自主研发的碳化硅MOSFET芯片
6、高可靠性
新型TO-247-4L封装设计使得器件具有更高的爬电距离和间隙、更高的直流母线电压，提供了更高的过压保护裕量，减少了因电压突波导致的损坏风险
一流的散热性与防潮性能够保证器件在高负载高频率开关条件、潮湿环境下的稳定运行，延长了使用寿命
▲新型TO-247-4L封装尺寸图
产品优势
1、提高能源效率
无源储能装置尺寸减小，能在更高开关频率下运行，进一步提升系统效率
牵引电机谐波损耗减少，有助于提高牵引电机的效率和寿命
2、实现小型化和轻量化
器件的高热导率显著降低了其对散热系统的要求，减少了散热组件的尺寸和重量
更小的散热组件有助于减小系统体积和重量，从而实现电源系统的小型化和轻量化
3、增强系统可靠性
在高电压、高开关频率、高温运行条件下，器件具备快速响应能力，确保系统的连续运行不受影响
器件在各种复杂、恶劣的工作条件下都能保持稳定、可靠的运行状态，减少了维护成本和系统停机时间
4、降低系统成本
更小的安装半导体芯片面积，提高系统功率密度的同时，也降低了材料成本
器件拥有体二极管，无需额外并联二极管，从而减少了物料清单成本（BOM）
5、拓宽应用领域
在传统硅基MOSFET和IGBT难以胜任的大功率高端细分领域得到应用，如列车和牵引系统、工业不间断电源、工业电机驱动、重型车辆、智能电网、3300Vac牵引变频器、光伏逆变器、储能电源、高压DC/DC变换器、特种军用车等
爱仕特掌握国内领先的碳化硅核心技术，新一代的碳化硅工艺可降低芯片成本近15%，同等规格下的芯片面积比国内同行小15%—20%，能够为客户创造更大的经济效益。
▲爱仕特“三位一体”模式
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自爱仕特 微信公众号，原文标题为:重磅 | 爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准
ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。
【产品】N沟道碳化硅MOSFET ASC30N1200MT3，静态漏源导通电阻典型值80mΩ
ASC30N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET，采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性；低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，也确保了该产品具有低电容和栅极电荷。
【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM
2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。
爱仕特碳化硅器件助力深圳超充之城建设
不管是超充还是新能源汽车的增加，都需要用碳化硅芯片，整个碳化硅产业将迎来井喷式爆发，近几年将会是爱仕特快速成长的黄金发展时期。随着新能源汽车的销量增长，爱仕特每年的销售额翻番增长，目前还有积累的大量订单待交付。
集成负偏置的IVCR1402Q 35V 4A SiC和IGBT 8引脚驱动器
描述- 该资料介绍了InventChip公司的IVCR1402Q是一款AEC-Q100认证的单通道高速智能驱动器，适用于高效安全地驱动碳化硅MOSFET和IGBT。它具有内置负偏置、欠压锁定（UVLO）、过流保护等功能，适用于电动汽车充电器、逆变器、交流/直流转换器和电机驱动等领域。
型号- IVCR1402Q,IVCR1402DPQR
ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。
型号- ASC30N650MT7
【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上，Rds为45mΩ
目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%，对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说，功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中，可以有效降低热损耗。
ASC40N1700MT4 1700V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC40N1700MT4型1700V N-Channel MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该产品采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器等领域。
型号- ASC40N1700MT4
ASC75N1200MT4PB 1200V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC75N1200MT4PB型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气特性、热特性以及封装信息。该MOSFET采用碳化硅（SiC）技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻等特性，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。
型号- ASC75N1200MT4PB
ASC20N1200MT3PB 1200V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC20N1200MT3PB型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数、应用领域和订购信息。该产品采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻、高阻断电压和快速反向恢复等特性，适用于可再生能源、高压直流/直流转换器、开关电源和不间断电源等领域。
型号- ASC20N1200MT3PB
DIW170SiC070碳化硅（SiC）MOSFET
描述- 本资料介绍了DIOTEC公司的SiC MOSFET产品DIW170SIC070。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流转换器、电源、电机驱动和电动工具等领域。
型号- DIW170SIC070
ASC60N1200MT4 1200V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC60N1200MT4型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数、应用领域和封装信息。该产品采用碳化硅(SiC)技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关性能和低电容等特点，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电等领域。
型号- ASC60N1200MT4
爱仕特携新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案亮相SEMI-e深圳国际半导体展
作为业内资深的碳化硅功率器件及应用方案提供商，爱仕特受邀参加此次展会，将在4号馆【4A30-8】展位进行创新成果展示。展品范围涵盖650～3300V的碳化硅MOSFET（包括最新3300V大电流产品）、650～1700V的碳化硅功率模块以及在新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案。
ASC100N1700MT4 1700V N沟道MOSFET\n
描述- 该资料详细介绍了ASC100N1700MT4型1700V N-Channel MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该MOSFET采用碳化硅（SiC）技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻等特点，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器等领域。
型号- ASC100N1700MT4
电子商城
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论