【元件】 爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET，导通电阻低至58mΩ
近日，爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求，爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率，使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。
▲爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET
目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几，据全网最新公开数据，爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A碳化硅MOSFET的厂商。早在2018年，爱仕特已成功研制3300V碳化硅MOSFET样品，而此次3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产，充分体现了爱仕特在碳化硅功率器件领域过硬的正向研发实力，有助于打破国外碳化硅厂商的垄断，在高压大功率电力电子器件领域占领一席之地。
▲爱仕特3300V系列碳化硅MOSFET
相较于硅基IGBT，爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET可以构建更小型、更轻量、更经济的设计，能够更有效地转换能量，并且支持各种终端应用。
产品特点
1、高耐压能力
器件的耐压能力高达3300V，远超传统硅基MOSFET和IGBT的耐压水平（900V～1200V）
2、低导通电阻
器件具有极低的导通电阻，在18V驱动电压下低至58mΩ，配合低热阻新型TO-247-4L封装设计，可以有效提升电流能力，满足大功率应用需求
3、高温稳定性
器件能够在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种环境条件，提高了应用的灵活性
▲器件在不同结温下的稳定性
4、高开关速度
碳化硅材料的电子迁移率比硅高，能够更快地响应外部信号，器件因此具有更高的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的动态性能
5、高功率密度
搭载自主研发的碳化硅MOSFET芯片，器件能够在较小的尺寸下承受更大的电流，提升了功率密度
新型TO-247-4L封装设计，能够满足器件在现代电力电子系统中日益增长的高功率密度需求，使系统设计更为紧凑和高效
▲自主研发的碳化硅MOSFET芯片
6、高可靠性
新型TO-247-4L封装设计使得器件具有更高的爬电距离和间隙、更高的直流母线电压，提供了更高的过压保护裕量，减少了因电压突波导致的损坏风险
一流的散热性与防潮性能够保证器件在高负载高频率开关条件、潮湿环境下的稳定运行，延长了使用寿命
▲新型TO-247-4L封装尺寸图
产品优势
1、提高能源效率
无源储能装置尺寸减小，能在更高开关频率下运行，进一步提升系统效率
牵引电机谐波损耗减少，有助于提高牵引电机的效率和寿命
2、实现小型化和轻量化
器件的高热导率显著降低了其对散热系统的要求，减少了散热组件的尺寸和重量
更小的散热组件有助于减小系统体积和重量，从而实现电源系统的小型化和轻量化
3、增强系统可靠性
在高电压、高开关频率、高温运行条件下，器件具备快速响应能力，确保系统的连续运行不受影响
器件在各种复杂、恶劣的工作条件下都能保持稳定、可靠的运行状态，减少了维护成本和系统停机时间
4、降低系统成本
更小的安装半导体芯片面积，提高系统功率密度的同时，也降低了材料成本
器件拥有体二极管，无需额外并联二极管，从而减少了物料清单成本（BOM）
5、拓宽应用领域
在传统硅基MOSFET和IGBT难以胜任的大功率高端细分领域得到应用，如列车和牵引系统、工业不间断电源、工业电机驱动、重型车辆、智能电网、3300Vac牵引变频器、光伏逆变器、储能电源、高压DC/DC变换器、特种军用车等
爱仕特掌握国内领先的碳化硅核心技术，新一代的碳化硅工艺可降低芯片成本近15%，同等规格下的芯片面积比国内同行小15%—20%，能够为客户创造更大的经济效益。
▲爱仕特“三位一体”模式
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【选型】CISSOID 晶体管/功率开关/二极管/线性稳压器/电压参考/DC-DC转换器/栅极驱动和马达驱动器/模数转换器/比较器/放大器/逻辑门/定时器/时钟发生器选型指南
目录- Company profile DISCRETE LINEAR VOLTAGE REGULATORS DC-DC CONVERTERS GATE DRIVERS AND MOTOR DRIVERS MIXED SIGNAL comparator AMPLIFIERS LOGIC devices OSCULLATOR&TIMERS
型号- CMT-OPA,CHT-PMOS300X,CHT-74021,DIODES,10-BIT ULTRA LOW POWER ADC,CMT-74021,CHT-NMOS40XX,LINEAR VOLTAG E REGULATORS,CHT-AMAZON,TIMERS,EVK-HADES®,CHT-CG50-LP,CMT-7474,ADJUSTABLE LINEAR VOLTAG E REGULATORS,CHT-NMOS4005,CHT-74132,VESUVIO®,CMT-555,AMPLIFIERS,CHT-PALLAS,EVK-THEMIS-ATLAS,CMT-RHEA,SWITC HES,HIGH-SPEED,CHT-NMOS4010,TRANSISTORS,STROMBOLI,CMT-7486,EREBUS,CHT-NEPTUNE,DC-DC CONVERTER ICS,MERCURY,EREBUS-40,CHT-CALLISTO,CHT-NILE,CHT-HYPERION,PWM CONTROLLER,CHT-SNMOS80,EREBUS®,CHT-7474,DUAL NMOS TRANSISTOR,POWER MOSFET PMOS 30V,CONVERTERS,DIODES,CHT-LDOS-XXX,CHT-FUJI,SMALL SIGNAL MOSFET TRANSISTORS,FUJI,CMT-7408,CHT-PTC8,EREBUS-50,GATE DRIVERS AND MOTOR DRIVERS: TITAN,CHT-RHEA,CMT-7400,CHT-VOLGA,CMT-7404,VENUS,CHT-7400,DC-DC CONVERTER,CHT-7486,CHT-SPMOS30,CHT-555,CHT-7404,STROMBOLI®,TRANSCEIVERS,CHT-OPA,POWER MOSFET NMOS 80V,OSCILLATOR,COMPARATORS,SATURN,LINEAR VOLTAGE REGULATORS AND VOLTAGE REFERENCES: STAR,CHT-NMOS8005,CHT-BG3M-XXX,CHT-NMOS8001,CHT-NMOS80XX,CMT-7432,CHT-ADC10,POWER SWITCHES,BRIDGE ISOLAT ED SIC GAT E DRIVER,CHT-MAGMA,DUAL SMALL SIGNAL DIODES,8-BIT PROGRAMMABLE COMPARATOR,CHT-THEMIS-ATLAS,POWER MOSFET NMOS 40V,3A DUAL DIODE,CHT-PMOS3002,CHT-7408,CHT-LDOP-XXX,CHT-NMOS8010,CMT-THEMIS-ATLAS,CHT-GANYMEDE,EARTH,CHT-PMOS3008,VESUVIO,CHT-PMOS3004,CHT-MAGMA: VERSATI LE VO LTAG E-MODE PWM CO NTROLLER,DC-DC CONVERTERS: VOLCANO,CHT-BG03M,CHT-LDNS-XXX,DUAL ISOLAT ED TRANSCEIVER,VOL1088B,CHT-MOON,CHT-CG50,CHT-NMOS4020,HIGH-PRECISION DUAL OP AMP,CHT-7432,CHT-RIGEL,YELLOWSTONE,HADES®,OSCILLATOR & TIMERS: PULSAR,CMT-74132,AMPLIFIERS: GEMSTONE,CHT-VEGA,CHT-OPAL,DC-DC CONVERTER TECHNOLOGIES,CHT-LDN-025,MARS,CHT-AMALTHEA,CHT-74-4040,CHT-RUBY
【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上，Rds为45mΩ
目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%，对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说，功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中，可以有效降低热损耗。
应用方案 发布时间 : 2022-12-02
纳芯微可再生能源与电源系统解决方案
型号- NSI6801,NSI1311,NSI1312,NSI6601,NSIP884X,NSR2240X,NPD0X0N120A,NCA8244,NSM2017,NIRSP31,NSI33085,NSM2019,NSM2013,NSIP83086,NSM2015,NSI68515,NSM2011,NSI8300XE,NSR28C4X,NSR33XXX,NSOPA9XXX,NSI1300,NSI6801M,NSI824X,NSIP21,NSREF31XX,NSCSA24X,NPS0X0N065A,NSI10,NSR7808,NSR EF30XX,NSI8100,NSHT3X,NSD7312,NSD2621,NIRS21,NSIP8942,NSOPA8XXX,NCA9555,NSI1200C,NSIP31,NSI823X,NSIP894X,NSD1026V,NCA1042B,NSCSA21X,NPC0X0N120A,NCA1042E,NCA3176,NSI83086,NSI83085,NSI6602V,NSM2311,NSM2113,NST235,NSR31XXX,NSIP1042,NSD1624,NS16801,NPI030N065A,NST20,NSR35XXX,NSR104XX,NIRS31,NSD1224,NSREF30XX,NCA1043(B),NSI1042,NS0PA9XXX,NSI6611,NSI1400,NSI822X,NS0PA8XXX,NCA1051A,NSI6601M,NCA3485,NCA1042B2,NST1002,NST1001,NSM211X,NSI82XX,NSI8200,NSI1050,NSI3190
Medical Equipment Applications--China Market
型号- CS20-16IO1,IXTH24N50L,IXFK120N65X2,VUO160-16,UCC21520,IX 614,IXBF32N300,IXDN604,GBO,IXFB44N100P,438,IXFH46N65X2,IXGH6N170,DSP45-16,VBO,CS20-25MO1F,IXTH30N50L2,IXFK52N100X,IX4340,IXTH3N150,IXFH14N85X,IXFH34N65X2,PSR,LSIC1MO170T0750,440,IXFH80N65X2,466,467,324,IX4427,501,326,IX_606,IXFH22N65X2,VUO82-16,606
爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展
2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。
原厂动态 发布时间 : 2024-09-11
艾创微授权世强硬创代理，电源管理芯片应用于汽车电子域控系统等关键领域
艾创微的电源管理芯片以其高效率、强大的适应性和多样化的保护功能在市场中占据显著优势。
签约新闻 发布时间 : 2024-06-07
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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