【元件】 爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET，导通电阻低至58mΩ
近日，爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求，爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率，使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。
▲爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET
目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几，据全网最新公开数据，爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A碳化硅MOSFET的厂商。早在2018年，爱仕特已成功研制3300V碳化硅MOSFET样品，而此次3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产，充分体现了爱仕特在碳化硅功率器件领域过硬的正向研发实力，有助于打破国外碳化硅厂商的垄断，在高压大功率电力电子器件领域占领一席之地。
▲爱仕特3300V系列碳化硅MOSFET
相较于硅基IGBT，爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET可以构建更小型、更轻量、更经济的设计，能够更有效地转换能量，并且支持各种终端应用。
产品特点
1、高耐压能力
器件的耐压能力高达3300V，远超传统硅基MOSFET和IGBT的耐压水平（900V～1200V）
2、低导通电阻
器件具有极低的导通电阻，在18V驱动电压下低至58mΩ，配合低热阻新型TO-247-4L封装设计，可以有效提升电流能力，满足大功率应用需求
3、高温稳定性
器件能够在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种环境条件，提高了应用的灵活性
▲器件在不同结温下的稳定性
4、高开关速度
碳化硅材料的电子迁移率比硅高，能够更快地响应外部信号，器件因此具有更高的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的动态性能
5、高功率密度
搭载自主研发的碳化硅MOSFET芯片，器件能够在较小的尺寸下承受更大的电流，提升了功率密度
新型TO-247-4L封装设计，能够满足器件在现代电力电子系统中日益增长的高功率密度需求，使系统设计更为紧凑和高效
▲自主研发的碳化硅MOSFET芯片
6、高可靠性
新型TO-247-4L封装设计使得器件具有更高的爬电距离和间隙、更高的直流母线电压，提供了更高的过压保护裕量，减少了因电压突波导致的损坏风险
一流的散热性与防潮性能够保证器件在高负载高频率开关条件、潮湿环境下的稳定运行，延长了使用寿命
▲新型TO-247-4L封装尺寸图
产品优势
1、提高能源效率
无源储能装置尺寸减小，能在更高开关频率下运行，进一步提升系统效率
牵引电机谐波损耗减少，有助于提高牵引电机的效率和寿命
2、实现小型化和轻量化
器件的高热导率显著降低了其对散热系统的要求，减少了散热组件的尺寸和重量
更小的散热组件有助于减小系统体积和重量，从而实现电源系统的小型化和轻量化
3、增强系统可靠性
在高电压、高开关频率、高温运行条件下，器件具备快速响应能力，确保系统的连续运行不受影响
器件在各种复杂、恶劣的工作条件下都能保持稳定、可靠的运行状态，减少了维护成本和系统停机时间
4、降低系统成本
更小的安装半导体芯片面积，提高系统功率密度的同时，也降低了材料成本
器件拥有体二极管，无需额外并联二极管，从而减少了物料清单成本（BOM）
5、拓宽应用领域
在传统硅基MOSFET和IGBT难以胜任的大功率高端细分领域得到应用，如列车和牵引系统、工业不间断电源、工业电机驱动、重型车辆、智能电网、3300Vac牵引变频器、光伏逆变器、储能电源、高压DC/DC变换器、特种军用车等
爱仕特掌握国内领先的碳化硅核心技术，新一代的碳化硅工艺可降低芯片成本近15%，同等规格下的芯片面积比国内同行小15%—20%，能够为客户创造更大的经济效益。
▲爱仕特“三位一体”模式
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型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
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实验室地址： 西安 提交需求>
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