走进上汽交流对接日，真茂佳现场展示全系列中低压车规MOSFET产品及解决方案
6月14日，“走进上汽集团”对接交流日活动于上汽集团研发总院1楼展览大厅圆满完成，深圳真茂佳作为汽车芯片供应商参加了此次活动。此次活动由上汽集团牵引，上海市集成电路行业协会、上海市交通电子行业协会、ATC汽车技术平台等单位联合主办，汇聚了智能驾驶、智能网联、芯片设计、动力电池、电驱动等领域的汽车产业链供应商，整合了零部件厂商、汽车芯片企业与整车厂资源，共同探讨新能源汽车发展的新方向和新机遇。
产品系列
1、MOSFET
真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含RobustFETTM，SpeedFETTM和BPFETTM三大系列，击穿电压涵盖-30V~200V，具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ，其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高，低EMI等优点，目前已有超过20多种封装形式，190多款车规产品，主要应用于热管理 (引擎冷却风扇 & 水泵 & 油泵)，传统动力系统，底盘 (EPS & i-Boost & ESC & One-Box)，电动化 (逆变器 & DC-DC & OBC)，车身电子，网联化(T-box等)，智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。
2、SiC MOSFET
真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术，并开发出可靠、稳健的 SiC 供应链，为国内电源，动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。主打产品为 SiC MOSFET，产品电压涵盖 650V~2000V，电阻涵盖 15mΩ~1.5Ω，现已量产；1700V~3300V 产品在验证阶段；2000V 产品预计在 2024 年 Q4 推向市场。真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产 SiC 产品，使其具有优异的 FOM 特性和高可靠性，产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩，光伏逆变器，储能逆变器，工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。
3、IGBT
真茂佳有IGBT 芯片、成品及模块等，已量产产品电压通盞650V-1200V，其 VCESAT 典型值为 157V 和 1.67V;1700V-3000V 产品在验证阶段;1700V产品预计在2024年Q4推向市场,真茂佳 IGBT产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达 200A/cm2的电流密度等优点，真茂佳根据不同应用及市场需求开发了系列产品:H系列(高频}、T系列(最佳性能+低损耗)、S系列等,为客户提供高质解决方案。
4、GaN-HEMT
真茂佳的GaN主要开发650V, 100V~200V 电压的产品。产品将会应用在开关电源，快充，DC/DC转换OBC等领域。真茂佳立志为广大客户提供高易用性，高可靠性，高鲁棒性和高功率密度的GaN产品，解决客户在实际应用中遇到的问题。
5、高边开关
高边开关是面向汽车和工业应用创新型产品系列，与分立式解决方案相比，本产品用有更简单的控制方案，同时提供诊断功能和保护功能，并具备更高的可靠性。真茂佳的高边开关主要应用于12V平台，导通内阻4-120mΩ，集成了强大的保护功能，包括短路或过载电流限制保护、过温保护及过压保护。此外产品还具备诊断功能，用于指示电路的运行情况，并根据客户需求提供多种封装方案，为客户提供更节能、便捷、高效、稳定的应用方案。
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