上海贝岭携汽车电子产品参展SEMI-e2024第六届深圳国际半导体展,车规功率器件助力新能源汽车降本增效

2024-06-29 上海贝岭公众号
电能计量芯片,1200V特高压硅基N沟道增强型平面MOSFET,一通道线性LED驱动器,自钳位绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件 电能计量芯片,1200V特高压硅基N沟道增强型平面MOSFET,一通道线性LED驱动器,自钳位绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件 电能计量芯片,1200V特高压硅基N沟道增强型平面MOSFET,一通道线性LED驱动器,自钳位绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件 电能计量芯片,1200V特高压硅基N沟道增强型平面MOSFET,一通道线性LED驱动器,自钳位绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件

BLQG3040A

BLQG3040A系列——一款专门为汽车点火器设计的自钳位绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件,符合AEC-Q101标准。可适用于各种汽车点火应用。


应用功能参数:

· 高雪崩能力(ESCIS=300mJ@TJ=25 °C,ISCIS=14.2A)

· 低温度系数,满足宽温范围应用

 ·低通态损耗

· 低导通阈值(简化驱动设计)

 ·400V钳位电压,匹配点火应用

MEDS92630

MEDS92630 是一个一通道线性LED驱动器,具有模拟和PWM调光控制。该器件的全面故障检测和内置保护使其成为可达到中等功率范围的可变强度LED照明应用的理想选择。


应用功能参数:

3通道LED驱动器(模拟和PWM调光)

宽输入电压范围:5V-40V

可调恒定输出电流

最大电流:150mA每通道

最大电流:450mA并联工作模式

精度:在I(IOUTX)>30mA时,每通道± 2%

精度: ± 2.5%每个器件在I(IOUTX)>30mA

使用多个IC或单个IC的多个通道并行,以实现更高的电流低电压降


BLQGMS820T75FEDL7HPD模块

BLQGMS820T75FEDL7(HPD模块)采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构;具有极低的Vcesat,正温系数,优化的栅电荷和米勒电容;具有强的抗EMI能力和短路能力。


应用:

适用于电动汽车和混动汽车的逆变主驱,以及电机驱动等应用。

BLQ3N120

BLQ3N120是1200V特高压硅基N沟道增强型平面MOSFET,采用先进的MOSFET技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,增强了雪崩能量,并通过了AEC-Q101汽车级可靠性测试。


适用:

动力电池BMS高压检测、电动汽车主驱辅助电源、SMPS、高速开关和各种通用场景应用。

BL0942

BL0942电能计量芯片采样贝岭最新的免校准技术,具有高精度,外围简单,高可靠性等特点。


应用:

充电桩、智能插座、智能家电等应用。

展会信息

展会举办时间:6月26日-6月28日

展会举办地点:深圳国际会展中心(宝安)


演讲嘉宾


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