阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！
6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，本次展会在国家会展中心（上海），吸引了来自95个国家和地区的3200多家企业参展。阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。
1、1200V/500A NPC2 IGBT模块
为满足150KW光伏逆变器及光储一体机，大功率超充的应用需求，阿基米德半导体推出基于1200V H7 IGBT技术的500A NPC2三电平功率模块。具有更低的杂散电感更低的损耗，更高的效率。
产品特性
Ø1200V H7 IGBT技术
Ø光伏，储能两个配置产品可选
Ø可选内置直流电容
Ø低VCEsat 低开关损耗，VCEsat正温度系数
Ø低热阻三氧化二铝（AL2O3)衬底，采用DBC+铜基板技术
ØHV-H3TRB，UL
2、650V 375/450A NPC1 IGBT模块
随着314Ah电芯的推出，储能PCS产品的功率也随之增大，阿基米德半导体650V 375A/450A的产品可适用125KW-135KW功率段。采用650V HS IGBT+ Ultrafast FRD，低损耗，低杂感，模块满载效率高达98.5%。
产品特性
Ø650V HS IGBT 技术
Ø可选内置直流电容
Ø低VCEsat 低开关损耗，VCEsat正温度系数
Ø低热阻三氧化二铝（AL2O3)衬底，采用DBC+铜基板技术
ØHV-H3TRB，UL
3、1200V/400A NPC1 IGBT混合SiC模块
对于215KW储能，现有产品体积大，效率低，阿基米德推出的1200V 400A 混合SiC单模块解决方案，助力客户实现215KW，大大缩小产品体积，提升功率密度，同时集成SiC器件，大幅度降低了功率损耗，提升了充放电效率，模块满载效率高达99%，为客户带来更高的经济效益。
产品特性
Ø1200V H7 IGBT技术
Ø集成SiC二极管
Ø可选内置直流电容
Ø低VCEsat 低开关损耗，VCEsat正温度系数
Ø低热阻三氧化二铝（AL2O3)衬底，采用DBC+铜基板技术
ØHV-H3TRB，UL
4、650V 150/300A NPC1 IGBT模块
现有1000V储能系统，主要出货装机产品大多还是采用105KW的PCS，阿基米德IGBT模块在此功率段大批量应用，产品封装兼容所有行业通用封装，已经成为多家头部PCS企业首选或唯一供应商。
产品特性
Ø650V HS IGBT技术
Ø可选内置直流电容
Ø低VCEsat 低开关损耗，VCEsat正温度系数
Ø低热阻三氧化二铝（AL2O3)衬底，采用DBC+铜基板技术
ØHV-H3TRB，UL
5、1200V 600/900A IGBT半桥模块
对于MW级储能产品，随着产品的竞争，可靠性的验证及服务能力的提高，目前国产替代也在越来越多，阿基米德该产品采用成熟晶圆，同时产品通过车规可靠性验证，已经在多家厂商考核验证中。
产品特性
Ø1200V IGBT4技术
Ø饱和压降低，为正温度系数
Ø短路承受时间10µs，内置快恢复二极管
Ø高可靠性及热稳定性，低杂感
Ø低VCEsat 低开关损耗，VCEsat正温度系数
Ø低热阻三氧化二铝（AL2O3)衬底，采用DBC+铜基板技术
ØHV-H3TRB，UL
6、1200V/1.8mΩSiC单面塑封水冷模块
随着新能源汽车的发展，800V高压系统目前已经成为主流，对此功率器件的要求就越来越高，阿基米德推出的单面塑封水冷模块采用国际大厂晶圆，整体损耗比行业降低20%左右，同时工厂全自动化的生产线，通过车规认证，保证了产品的稳定可靠。
产品特性
Ø采用第三代半导体材料-碳化硅晶圆
Ø 阻断电压1200V低内阻、低开关损耗
Ø低电感设计 ，最大工作结温175℃
Ø高性能氮化硅陶瓷 ，铜直接冷却底板
Ø集成NTC
ØCu Clip互联方案，Cu Pinfin冷却底板
7、1200V 75A/100A H7 IGBT单管
在日趋激烈的竞争中，对于成本，技术路线的方向上，各家企业也有不同的考量，单管方案在市场也受到部分厂商的喜爱，为此阿基米德推出了第七代H7技术的IGBT单管，该产品整体性能媲美国际大厂，同时采用略大的晶圆面积，保证了产品的耐冲击性能，也让产品更加稳定可靠。
产品特性
Ø1200V H7 IGBT技术
Ø3pin，4pin产品可选
Ø正温度系统
Ø低开关损耗，低电磁干扰
Ø软恢复反并联二极管
Ø最高结温175℃
8、1200V 40mΩ/70mΩ顶部散热 SiC MOSFET
为了适应空调压缩机，工业电源等一些市场需求，阿基米德联合客户一起研发出顶部散热的内绝缘SiC MOSFET产品，该产品采用263-7的封装，适配客户对高效，小体积的一些需求。
产品特性
Ø具有低电容的高速开关
Ø高阻断电压和低RDS（on）
Ø易于并联，易于驱动
Ø符合ROHS标准，无卤素
Ø陶瓷DBC，内绝缘
本次展会现场，阿基米德产品受到众多客户的关注
2024 SNEC展会落下帷幕，但新能源的持续发展依然是全球关注的热点，阿基米德半导体将持续进行技术创新，为各合作伙伴提供最全面的功率模块解决方案，期待大家的携手合作，一起为双碳时代谱写新篇章！
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【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案
描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。
型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
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型号- SF300R12E6HS
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【产品】可在四象限运行的1500V/150A的三电平NPC(I型)IGBT模块，适用于光伏逆变器等产品
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型号- SF200R12E6H
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