能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件，器件阈值电压提高约60%

时间： 2024-06-21 来源：世强

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氮化镓（GaN）半导体功率器件,氮化镓功率器件,氮化镓外延片,氮化镓（GaN）外延片

为满足无线基站和射频等领域器件对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等严苛要求，江苏能华微电子科技发展有限公司（下称“能华半导体”，英文：CorEnergy）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）签署授权代理合作协议，旨在加速氮化镓产品在国内外市场的应用。

资料显示，能华半导体专注于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的研发、设计、外延、制造，并销售可用于高性能电源转换应用的氮化镓（GaN）半导体功率器件。也是全球少有能同时掌握增强型氮化镓（GaN）技术、耗尽型氮化镓（GaN）技术以及耗尽型氮化镓（GaN）直驱方案的IDM公司。

从分类来看，能华半导体的氮化镓外延片基于衬底材料的不同，主要分为硅基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）、蓝宝石基氮化镓（GaN-on-sapphire）和氮化镓基氮化镓（GaN-on-GaN），这些外延片通过了>1000h的HTRB测试，具备绝对的竞争力。

而氮化镓功率器件则是按照增强型和耗尽型两种技术分类。E-mode GaN产品采用增强型氮化镓（GaN）技术，较常规产品来说，其阈值电压（VTH）提高约60%。结合低开关损耗以及较小的栅极电荷（Qg）特点，以及不需要并联小MOS使用，有助于简化电路设计且降低系统成本。

D-mode GaN产品采用耗尽型氮化镓（GaN）技术，其栅极耐压可达±20V，具有较低的漏电流和较高的电流承载能力。这种设计使得其在开关操作时损耗较低，加之面积小有助于提高应用设备的可靠性。

不同的技术特点使这两种产品在不同的应用场景中发挥着重要作用。E-mode GaN适用于对开关损耗和器件尺寸有严格要求的应用如消费电子，而D-mode GaN则更适合于需要高电压和高电流驱动的应用如工业及汽车电子。

值得一提的是，能华半导体生产的氮化镓（GaN）外延片、晶圆产能都处于国内外领先水平。其氮化镓器件也实现了量产，应用市场包括消费电子、电动工具、数据中心、照明电源、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网等领域。

截至当前，能华半导体所有产品已经上线至世强先进搭建的创新研发及供应平台世强硬创，用户进入平台搜索“能华半导体”即可获取新产品信息以及技术服务支持。

关于本次合作，一方面可以借助世强先进丰富的客户资源以及超30年技术分销经验，依托世强硬创的选型帮助、设计方案、国产替代等服务，进一步扩大氮化镓（GaN）产品的市场覆盖范围，推进第三代半导体材料器件的国产及应用进程；

另一方面，结合能华半导体自身技术优势，通过世强硬创对市场行情的收集与反馈，可以促进能华半导体及时更新迭代产品，为客户提供高功率、高频、高性价比的氮化镓（GaN）外延片及器件。

能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售。能华的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件涵盖40V-1200V。目前，公司已实现了GaN器件全功率范围的量产，主要应用市场包括消费电子、电动工具、数据中心、照明电源、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网等领域。查看更多

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zwjiang Lv9. 科学家 2024-08-19

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Aaron Lv5. 技术专家 2024-08-10

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小云帆 Lv7. 资深专家 2024-07-24

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小蛮大人 Lv9. 科学家 2024-07-10

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