UMS参加自2020年10月开始的第31届ESREF活动，介绍了针对GH50-20技术的测试计划和主要结果

时间： 2020-11-07 来源：UMS

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ESREF是欧洲电子设备可靠性，故障物理和分析研讨会。在“微波设备和电路的可靠性”分会议框架下，UMS展示了“0.5μmGaN RF功率棒技术空间评估”的工作。该工作主要由Jerome Van de Casteele, Hannes Stuhldreier, Diane Bouw, Cyril Gourdon, Marianne Raoult, Erwan Durand, Sebastien Van Den Berghe, Marc Hollmer, Marco Grunwald, Benoit Lambert, Herve Blanck and Andrew Barnes (欧洲航天局)完成。

该展示介绍了UMS针对GH50-20技术的测试计划和主要结果。该技术已成功通过评估程序。空间测试结果主要为：在200°C下的寿命高于5E+06小时。UMS定义了SEE，TID和DD radhard安全操作区域，并确定在200°C下故障率可低于8 FIT。

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全部评论（1）

ACE Lv8. 研究员 2020-11-09

学习了

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硬创峰会独家：UMS、Littelfuse、EPC首度集中解读第三代宽禁带半导体材料SiC/GaN的发展趋势及最新技术

据预测，第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN的市场规模将在2020年达到近10亿美元，并将主要推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏逆变器等方面的需求。也由此，在3月15日举办的“世强•硬件创新峰会”上，高可靠性功率器件SiC/GaN拔得头筹，成为各大顶尖半导体企业争相探讨的议题。

2019-02-22 - 行业资讯

UMS宣布其0.25µm GaN（GH25）Pathwave ADS PDK支持新的电气和热设计功能

2020年1月29日-UMS宣布其0.25µm GaN（GH25）Pathwave ADS PDK支持新的电气和热设计功能。此新功能不仅包括在GH25 GaN PDK中，而且还包含在UMS PPH15X-20 GaAs功率pHEMT PDK中。

2020-02-27 - 行业资讯代理服务技术支持批量订货散热方案设计

SiC和GaN器件市场预测与项目进展：将持续保持25%-40%的高增速

全球SiC和GaN器件市场正处于高速增长的状态，在有更高要求的功率和射频等领域，SiC和GaN材料大放光彩，与传统硅材料不断抢夺市场份额。亚化咨询预计，未来几年内全球SiC和GaN器件市场将保持25%-40%的高增速。

2021-08-12 - 行业资讯代理服务技术支持批量订货

顶诺微电子（DNmicron）是一家高频大功率半导体供应商，致力于高效能第三代半导体功率芯片的研发与制造，主要产品包括射频和功率器件，主营方向为射频二极管、PIN二极管、大功率射频开关，射频功率放大器等。世强是顶诺微电子（DNmicron）官方授权一级分销商。

检波器功率放大器脉冲电源 GaN功率管

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【产品】RF/LO频率范围76GHz~77GHz的双通道射频混频器CHM2378a，W波段应用首选

UMS公司是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商, 同时也是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商,主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。UMS公司近日推出了一款GaAs单片W波段混频器CHM2378a，它采用双通道架构。CHM2378a混频器内部的非线性器件是高质量的肖特基二极管，可产生低转换损耗和非常低的噪声。

2019-01-16 - 新产品代理服务技术支持批量订货

UMS新推CHA7452-99F系列35.5-40.5GHz GaN HPA，适用于所有要求苛刻的微波应用

UMS最新推出的CHA7452-99F系列35.5-40.5GHz GaN HPA，输出功率高达9W。该器件具有29dB线性增益以及290mA@20V的低功耗特性，适用于Q-Band空间卫星通信应用及要求苛刻的微波应用领域。

2023-02-03 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】附加效率高达76%的140W氮化镓功率放大器CHKA012a99F，适用于雷达系统、射频大功率应用

UMS 2019年推出了一款140W的氮化镓高电子迁移率功率晶体管CHKA012A99F。该产品能够为4GHz以下的大功率应用提供比较好的解决方案。采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，SIC衬底，输出功率可达140W，小信号增益达19dB，CHKA012A99F能够在高电压（50V）条件下工作，具有氮化镓器件的特有的高附加效率（高达76％）。

2019-04-02 - 新产品代理服务技术支持批量订货

我感觉世强元件代理的都是一些低频的，控制和电源管理等方面的元器件，怎么没有看到微波毫米波类的器件比如低噪放、功放、数控移相器和衰减器类的器件呢？

世强的产品线还是比较全面的，微波毫米波类的器件的产品线有UMS(UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商。UMS的微波通信芯片覆盖L、S、C及以上波段，并提供微波频段的PA、LNA、VGA、SWITCH等的组合解决方案，真正的做到了产品全、覆盖广。），EMC-RFLBS(EMC在研制DC到Q波段无源温补衰减器和固定衰减器的技术处于世界领先地位，特色产品是具有专利的温补器产品。EMC还是射频微波终端负载前两大供应商之一，具有钻石射频负载专利产品。),ROGERS 提供业界最好的高频板材。

2018-08-01 - 技术问答

【技术】GH15 GaN工艺：针对高达40GHz的高功率、高功率附加效率和高线性度器件进行了优化

GH15 GaN工艺针对高达40GHz的高功率、高功率附加效率和高线性度器件进行了优化。受到一个热耗散SiC基底板加持，该功率密度高达4.2W/mm。MMIC流程包括MIM电容器，电感器，空气桥，金属电阻器，通过基板的通孔以及两个互联的金属层。

2022-07-28 - 新技术代理服务技术支持批量订货

【产品】1微米肖特基二极管工艺，优化混频器、收发器和功率检测器设计

全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商UMS近期推出了一款截止频率高达3THz的肖特基二极管工艺产品——BES，已成功通过宇航级品质评估，并列入欧空局（ESA）的欧洲优选器件列表（EPPL）。BES为1微米肖特基二极管工艺，为高达百GHZ级别的甚高频混频器或开关应用而优化。

2018-08-06 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】14W氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F，为射频功率应用提供了通用的宽带解决方案

UMS公司推出了一款功率为14W 的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。CHK8013-99F采用0.25μm栅极长度的GaN HEMT技术。器件建议采用裸芯片形式，需要外部匹配电路。

2020-03-11 - 新产品代理服务技术支持批量订货

世强代理那些ku波段的功率放大器，频率包括15GHz到18GHz，功率2到5W？

推荐UMS公司推出的GaN功率放大器CHK8015，功率可达16w，详细资料请查看https://www.sekorm.com/doc/308565.html，更多微波器件选型请参考https://www.sekorm.com/news/6407.html

2018-11-05 - 技术问答

三菱mgf0918a替代品推荐

你好，世强暂未提供相应产品，世强代理的UMS是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，UMS的微波通信芯片覆盖L、S、C及以上波段，并提供微波频段的PA、LNA、VGA、SWITCH等的组合解决方案，选型可参考：【选型】UMS 24G雷达芯片、射频微波器件选型指南

2020-02-25 - 技术问答

英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

2022/11/15 - 英诺赛科 - 选型指南

DC-DC电源项目，找一款GaN芯片，规格要求：650V 30mΩ 最好是TOLL封装，请问贵司有代理英诺赛科的产品吗？

推荐英诺赛科，INN650TA030AH。VDS（MAX），650V；ID 100A 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/3727321.html

2023-02-03 - 技术问答