【元件】从光伏到工业设备，时科SIC MOSFET SKSC120N016-T74如何引领高效能耗新时代

时间： 2024-06-25 来源：时科（時科電子公众号）

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在新能源技术蓬勃发展的今天，SIC MOSFET在充电桩、光伏发电和工业设备中的应用变得越来越广泛。那么，如何选择高性价比的SIC MOSFET呢？时科的SIC MOSFET SKSC120N016-T74又具备哪些独特的优势？让我们一起来探讨一下。

01、如何选择SIC MOSFET

在选择SIC MOSFET，需要考虑以下几个关键特点和要求：

电压额定值（VDS）：

确保MOSFET的漏源电压高于电路中的最大工作电压。

电流额定值（ID）：

根据应用中的最大负载电流选择适当的额定电流，确保在最大负载下安全运行

导通电阻（Rds(on)）：

选择导通电阻低的MOSFET，以减少导通损耗，提高效率。例如，時科的SKSC120N016-T74在VGS=15V,ID=7A时的导通内阻仅为16mΩ。

栅极电荷（Qg）：

低栅极电荷可以降低驱动损耗，提升整体效率。

02、时科SIC MOSFET的优势

高性能：

高阻断电压：时科的SIC MOSFET具备极高的阻断电压，远超传统SI器件，为系统提供更高的电压保护。

低导通损耗：相比普通的SI器件，SIC MOSFET的导通损耗要小得多，且在不同温度下损耗变化较小，保证了更稳定的性能。

低能耗：

快速开关速度：由于SIC材料的热导系数是SI材料的2.5倍，饱和电子漂移率是SI的2倍，时科的SIC MOSFET可以在更高频率下高效工作。

低电容设计：时科的SKSC120N016-T74具有较低的电容，进一步减少能耗。

安全可靠：

易于并联和驱动：时科的SIC MOSFET设计便于并联使用，并且易于驱动雪崩。

坚固耐用：具备抗锁存能力，能够承受更高温度，确保长期稳定运行。

03、時科SKSC120N016-T74特性

漏源电压（VDS）： 1200V

连续漏极电流（ID）：140A

封装类型：TO-247-4L

阈值电压（VGS(th)）：2.9V

导通电阻（RDS(on)）：在VGS=15V、ID=75A的条件下标准值为16mΩ

04、典型应用

新能源充电桩

時科的SKSC120N016-T74应用在新能源充电桩上可发挥很多优势，因具有更低的导通电阻和断态漏电流，有助于提高充电桩的效率；可以以比硅器件高得多的频率进行开关，从而减小了电容器和磁性元件的尺寸和重量；具有更低的反向恢复电流和更高的导热率，能够承受更高的芯片温度，降低了散热要求，从而提高了充电桩的可靠性；SiC MOSFET优化了Qg和Coss/Ciss比值，降低了驱动损耗，提升了驱动抗干扰能力，还优化了EAS，增强了抗雪崩能力，提高了充电桩在极端条件下的稳定性；这些特性使得SiC MOSFET在充电桩上的应用能够提供更安全高效的充电解决方案，满足现代电动汽车快速充电的需求。

光伏发电

時科的SKSC120N016-T74导通电阻和开关损耗小，应用在光伏发电上，可以提高光伏逆变器的转换效率；不仅如此，在高温环境下仍然具有较高的性能，因此可以在高温环境下长时间运行，提高光伏逆变器的可靠性和寿命。而且，SiC MOSFET的体二极管虽然是PN二极管，但是少数载流子寿命较短，所以基本上没有出现少数载流子的积聚效果，与SBD一样具有超快速恢复性能，能够实现非常小的恢复损耗，同时还预期可以减少因恢复电流而产生的噪音，达到降噪。