【元件】 从光伏到工业设备，时科SIC MOSFET SKSC120N016-T74如何引领高效能耗新时代
在新能源技术蓬勃发展的今天，SIC MOSFET在充电桩、光伏发电和工业设备中的应用变得越来越广泛。那么，如何选择高性价比的SIC MOSFET呢？时科的SIC MOSFET SKSC120N016-T74又具备哪些独特的优势？让我们一起来探讨一下。
01、如何选择SIC MOSFET
在选择SIC MOSFET，需要考虑以下几个关键特点和要求：
电压额定值（VDS）：
确保MOSFET的漏源电压高于电路中的最大工作电压。
电流额定值（ID）：
根据应用中的最大负载电流选择适当的额定电流，确保在最大负载下安全运行
导通电阻（Rds(on)）：
选择导通电阻低的MOSFET，以减少导通损耗，提高效率。例如，時科的SKSC120N016-T74在VGS=15V,ID=7A时的导通内阻仅为16mΩ。
栅极电荷（Qg）：
低栅极电荷可以降低驱动损耗，提升整体效率。
02、时科SIC MOSFET的优势
高性能：
高阻断电压：时科的SIC MOSFET具备极高的阻断电压，远超传统SI器件，为系统提供更高的电压保护。
低导通损耗：相比普通的SI器件，SIC MOSFET的导通损耗要小得多，且在不同温度下损耗变化较小，保证了更稳定的性能。
低能耗：
快速开关速度：由于SIC材料的热导系数是SI材料的2.5倍，饱和电子漂移率是SI的2倍，时科的SIC MOSFET可以在更高频率下高效工作。
低电容设计：时科的SKSC120N016-T74具有较低的电容，进一步减少能耗。
安全可靠：
易于并联和驱动：时科的SIC MOSFET设计便于并联使用，并且易于驱动雪崩。
坚固耐用：具备抗锁存能力，能够承受更高温度，确保长期稳定运行。
03、時科SKSC120N016-T74特性
漏源电压（VDS）： 1200V
连续漏极电流（ID）：140A
封装类型：TO-247-4L
阈值电压（VGS(th)）：2.9V
导通电阻（RDS(on)）：在VGS=15V、ID=75A的条件下标准值为16mΩ
04、典型应用
新能源充电桩
時科的SKSC120N016-T74应用在新能源充电桩上可发挥很多优势，因具有更低的导通电阻和断态漏电流，有助于提高充电桩的效率；可以以比硅器件高得多的频率进行开关，从而减小了电容器和磁性元件的尺寸和重量；具有更低的反向恢复电流和更高的导热率，能够承受更高的芯片温度，降低了散热要求，从而提高了充电桩的可靠性；SiC MOSFET优化了Qg和Coss/Ciss比值，降低了驱动损耗，提升了驱动抗干扰能力，还优化了EAS，增强了抗雪崩能力，提高了充电桩在极端条件下的稳定性；这些特性使得SiC MOSFET在充电桩上的应用能够提供更安全高效的充电解决方案，满足现代电动汽车快速充电的需求。
光伏发电
時科的SKSC120N016-T74导通电阻和开关损耗小，应用在光伏发电上，可以提高光伏逆变器的转换效率；不仅如此，在高温环境下仍然具有较高的性能，因此可以在高温环境下长时间运行，提高光伏逆变器的可靠性和寿命。而且，SiC MOSFET的体二极管虽然是PN二极管，但是少数载流子寿命较短，所以基本上没有出现少数载流子的积聚效果，与SBD一样具有超快速恢复性能，能够实现非常小的恢复损耗，同时还预期可以减少因恢复电流而产生的噪音，达到降噪。
工业设备
工业设备中往往需要满足高频率，损耗小的要求，而時科的SKSC120N016-T74开关速度快，开关损耗小，应用在工业设备中正好可以解决这些需求。
用于前级PFC电路
选择SIC MOSFET时需综合考虑电压、电流额定值、导通电阻、封装等关键参数，以确保产品的最佳性能和可靠性。而时科的SKSC120N016-T74凭借其优越的参数表现，成为高性价比解决方案的不二之选。
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