充电桩模块选用瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH，提供高电压、低阻值的单管方案

时间： 2024-06-20 来源：瑶芯微

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截止至2023年底，我国充电基础设施累计数量已超过800万台，同期新能源汽车和充电桩的比例约为2.3：1。这距离工信部之前提出的“2025年实现车桩比2：1，2030年实现车桩比1：1”，还存在一定差距，我国的充电桩市场还有很大的发展潜力。

高效、可靠的充电桩组成模块是需要考虑的核心问题之一。这对功率半导体组件，特别是高效能的功率MOSFET，提出了更高的要求。功率MOSFET在电能转换效率、系统可靠性和成本控制方面扮演着核心角色。瑶芯微的碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH正是面向未来的一种先进解决方案，其高电压和低阻值特性使其成为大功率充电桩模块设计中的理想选择。

图1充电桩硬件系统组成框图

随着电动车市场的扩张，高功率充电桩的设计对MOSFET提出了更高的能效和稳定性要求。MOSFET需要在高电压和高电流环境下提供高效的电能转换，同时最小化能源损耗和热量产生，确保系统的运行效率。此外，良好的热稳定性是硬性指标，因为充电桩必须在长时间工作的高温条件下保持性能不衰退，避免因热量积聚而导致的性能不稳定甚至损坏。最后，电气性能的可靠性也同样重要，MOSFET在充电桩中必须展现出低导通电阻和快速开关能力，以保证在频繁的充放电过程中充电桩的高效和响应速度，确保用户体验和设备的长期稳定运行。

瑶芯微的AKCK2M016WAMH Silicon Carbide Power MOSFET 是专为满足60kW以上的大功率电源和逆变应用设计的，尤其适用于充电桩模块。这款MOSFET漏源之间最大耐压值可达1200V、16mΩ的导通电阻（R_DSON, TYP @V_GS= 18V），提供了一种高电压、低阻值的单管解决方案。它的设计不仅可以降低整体的设计成本，还提供了灵活性，以适应不同的系统设计要求。

图2 不同栅压下的导通电阻与温度关系

该MOSEFT标准工况下持续工作电流为125A，冲击电流为200A，具有优秀的电流承载能力。其最大功率耗散为600W，在各种工况下均能展现出卓越的能效。这些特性确保了在高功率应用中的高效率和低能耗。它还有着出色的热特性，如0.25°C/W的结到壳热阻，这保证了它在高温环境下的稳定运行和长期可靠性。

此外，该MOSEFT的温度工作范围为-55°C至+175°C，它可以在严苛气候条件下稳定工作，对经常被安装在室外或恶劣环境中的充电桩来说非常关键。这些优秀的性能使得AKCK2M016WAMH成为充电桩模块应用中的理想选择。

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