瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产
近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性（AEC-Q101）测试认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅（SiC）晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。
瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，现有3款产品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于车载电驱动系统，凭借出色的性能表现，已获得多家车载电驱动客户的项目定点。
瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET特性
第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET，相比第二代工艺，元胞的Pitch缩小了超过20%。
同时在核心指标上，第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²，达到国际第一梯队的水平。同时，第三代产品的开关损耗，对比第二代产品进一步降低30%以上。
而且，第三代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数明显降低，在高温运行情况下，导通电阻增加较少。如下图所示，当Vgs=15V应用时，175℃时的Rds(on)对比25℃时的Rds(on)只有1.42倍；当Vgs=18V应用时，175℃时的Rds(on)对比25℃时的Rds(on)只有1.65倍。
在可靠性方面，首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证，获得车规级可靠性认证证书，而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括动态可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI），栅极负偏压下的HTRB等。
通过上述Beyond-AECQ和极限性能测试，充分验证了第三代工艺平台及产品在多种边界工况下的稳定性和鲁棒性，为迎接市场考验做好了充足的准备。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自瞻芯电子公众号，原文标题为:瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品，具备业界较低的损耗水平
瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V~18V，兼容性更好。
产品 发布时间 : 2024-03-13
【元件】瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET，TO263-7封装助力高效高密应用
瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
产品 发布时间 : 2024-01-17
【元件】瞻芯电子新品车规级1700V SiC MOSFET，导通电阻标称1Ω，助力高效辅助电源
瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅（SiC）MOSFET产品（IV2Q171R0D7Z）通过了车规级可靠性认证（AEC-Q101），导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要，现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。
产品 发布时间 : 2023-12-01
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（上）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。
设计经验 发布时间 : 2024-01-02
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。
设计经验 发布时间 : 2024-01-02
瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证
近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。
原厂动态 发布时间 : 2024-09-29
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。
应用方案 发布时间 : 2022-03-05
【选型】国产SIC MOSFET IV1Q06040T4用于V2G模块，导通电阻低至40毫欧
本文主要介绍上海瞻芯电子的SIC MOSFET 06040T4 用于V2G模块，其导通电阻低至40毫欧。在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率。
器件选型 发布时间 : 2022-01-19
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
新产品 发布时间 : 2020-10-21
【应用】使用TO-247封装SiC MOSFET的光伏升压变换器解决方案，效率达到99.4%
SiC二极管在光伏升压变换器设计中已得到了广泛的应用，SiC MOSFET在许多高性能逆变器的开发中也开始得到应用。本文介绍了使用TO-247封装SiC MOSFET和瞻芯电子IV1E系列SiC模组的150kW逆变器解决方案。
应用方案 发布时间 : 2021-05-03
电子商城
现货市场
服务
加工精度：精密平面磨床正负0.002；铣床正负0.02，ZNC放电正负0.01。CNC加工材料：铝、钢、聚合物等材料。专注于半导体行业、医疗器械、汽车行业、新能源行业、信息技术行业零部件加工。
最小起订量： 1个 提交需求>
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论