蓉矽半导体携高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列参加中国电力电子技术产业大会（苏州站）

时间： 2024-06-28 来源：蓉矽半导体公众号

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SiC MOSFET,1200V 75/40/20mΩ SiC MOSFET,2000V SiC MOSFET,NovuSiC®

6月22日，中国电力电子技术产业大会将在苏州举办。大会设置两大会场，包含光伏、储能、新能源汽车等多产品应用领域。

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，1200V 75/40/20mΩ SiC MOSFET和2000V SiC MOSFET契合光伏逆变器主拓扑应用和储能系统需求，通过了AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，并量产交付新能源行业头部厂商。

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