【产品】采用封装DFN8的N沟道增强型MOSFET AM7520，最高结温150℃
AIT推出的AM7520是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM7520可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、连续漏极电流24A、最大耗散功率1.78W。最高结温150℃、存储温度范围-55°C~ 150°C。
产品描述：
AM7520采用DFN8(3.3x3.3)封装，引脚分布图如下：
产品特性：
30V/50A
当VGS =10V 时， RDS(ON) = 1.8mΩ(最大值)
当 VGS =4.5V时，RDS(ON) = 3.1mΩ(最大值)
100% UIS + RG测试
额定的雪崩值
产品可靠且稳固
AM7520采用DFN8(3.3x3.3)
应用：
笔记本电脑，便携式设备和电池供电系统的电源管理应用
订购信息：
引脚描述：
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AIT 低压MOS管选型表
AIT提供以下参数选型，V(BR)DSS (V)：-60 to 600；VGS (V)：±6 to ±30；多种封装：TO-220，SC-89，SOT-23S，TO-252，SOT-23等。
|
产品型号
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品类
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V(BR)DSS (V)
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VGS (V)
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IDS (A) (25°C)
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VGS(TH) (V) Min/Max
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RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ
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Type
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ESD
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Vgs=±4.5V (mΩ) Typ
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Vgs=±2.5V (mΩ) Typ
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Vgs=±1.8V (mΩ) Typ
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Package Type
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AM0292
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低压MOS管
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100
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±20
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120
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2.0/4.0
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4
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N
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–
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–
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–
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–
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TO-220
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选型表 - AIT 立即选型
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可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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授权代理品牌：接插件及结构件
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