【元件】 基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证,全力推进新能源汽车高效应用
近日,基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证,产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求,至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
AB2M080120H基于第二代碳化硅MOSFET技术平台研发,产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗,可支持更高开关频率运行等特点,可应用于车载OBC、车载DCDC及汽车空调压缩机领域。此次通过AEC-Q101认证,显示AB2M080120H碳化硅MOSFET器件在极端环境下具备优异性能,满足汽车行业高功率密度、高能效、高可靠性的需求。
产品特性
· 通过AEC-Q101可靠性认证
· 符合PPAP质量认证
· 高可靠性及高鲁棒特性
· 低开关损耗,适合更高频率运行
典型应用
此外,基本半导体同步推出了1200V 80mΩ和40mΩ规格的车规级碳化硅MOSFET系列产品,封装覆盖TO-247-3、TO-247-4和TO-263-7,可满足汽车行业多样性的应用场景需求。
AEC-Q101认证是汽车电子委员会(Automotive Electronics Council)制定的车用分立半导体元件可靠性测试标准,在全球汽车产业都具有极高的权威性。AEC-Q101认证门槛高,测试项目覆盖广,对分立器件的设计质量、安全性、可靠性要求极为严苛,是分立半导体厂家进入汽车领域的重要通行证。
基本半导体自2017年开始布局车规级碳化硅器件研发和制造,逐步建立起规范严谨的质量管理体系,将质量管理贯穿至设计、开发到客户服务的各业务过程中,保障产品与服务质量。公司分别在深圳、无锡投产车规级碳化硅芯片产线和汽车级碳化硅功率模块专用产线;自主研发的汽车级碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点,是国内第一批碳化硅模块量产上车的头部企业。
随着新能源汽车行业的快速发展,市场对高性能功率半导体的需求日益增长。未来,基本半导体将继续加大研发投入,提高质量管理能力,优化产品性能,为汽车行业客户研发更多高性能的车规级碳化硅功率器件产品,全力助推碳中和愿景下的汽车产业电动化技术创新发展!
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型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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