MOS管在光伏逆变器中的关键角色与选型分析

时间： 2024-06-28 来源：辰达行（MDD辰达半导体公众号）

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随着全球能源需求的不断增长和环境污染问题的日益严峻，太阳能光伏发电作为一种清洁、环保的可再生能源技术，得到了前所未有的重视和快速发展。光伏逆变器是将太阳能光伏阵列产生的直流电转换为交流电的关键设备，其中MOSFET管（金属氧化物半导体场效应晶体管）在光伏逆变器中起着至关重要的作用。MOSFET管具有高开关速度、高效率和低导通电阻的特点，使其成为光伏逆变器中的理想选择。

MOSFET管是一种通过电场控制导通状态的半导体器件，分为N沟道和P沟道两种类型。其基本结构包括源极、漏极和栅极。通过在栅极施加电压，可以控制源极和漏极之间的电流导通或截止。MOSFET管的开关特性使其非常适用于高频、高效率的开关电路。

◆ DC-AC转换阶段：
在光伏逆变器的DC-AC转换阶段，MOSFET管用于全桥或半桥逆变电路，通过高频开关实现直流到交流的转换。此阶段要求MOSFET管具有高耐压和低导通电阻，以提高转换效率和可靠性。

◆ 功率因数校正（PFC）：
MOSFET管在PFC电路中用于提高系统的功率因数和降低谐波失真。高效的PFC电路可以显著改善电能质量，使逆变器更加高效和环保。

◆ 最大功率点追踪（MPPT）：
MPPT控制电路通过调节MOSFET管的工作状态，使光伏阵列在不同环境条件下始终工作在最大功率点。MOSFET管的快速响应特性对于实现高效的MPPT控制至关重要。

MPPT电路DC-DC应用中MOSFET管的开关频率高达几百kHz，对MOSFET管的动态参数要求较高，SGT管的低Ciss、Crss，低内阻的特性非常适合高频应用。DFN5*6 TO-252、TO-220/247封装为主。

整流电路应用贴片TTF封装，小尺寸大电流、快恢复特点，可显著提升效率，降低EMI，满足高效率和高功率密度的性能要求。

MOSFET管在逆变器应用主要为前级升压和后级逆变两部分。前级升压将电池电压升至高压，后级逆变将高压逆变成交流电。MOSFET管选型封装一般有TO-252，DFN5*6，TO-220，TO-247等为主。后级逆变常用拓扑结构为全桥逆变，一般选用650~1200V 高压MOS，封装TO-220/TO-247插件封装为主。

MDD辰达半导体推出的MOSFET管具有高可靠性、低导通损耗和高雪崩能力等特点，这些特性使其在逆变器应用中显得尤为重要和可靠。

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捷捷微电子公司创建于1995年，是集芯片研发、芯片制造、封测和销售为一体的江苏省高新技术企业，是国内领先的高品质功率半导体器件IDM，自2017年起便一直位列在中国半导体行业协会年选的中国半导体功率器件十强企业，中/低压 MOSFETs 技术达国际一线大厂水平。

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【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

优选器件方案 - WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V2.1 PDF 中文下载

泰科天润(GPT)成立于2011年，总部在北京，是中国碳化硅（SIC）功率器件产业化的倡导者之一，也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商，拥有一座完整的半导体晶圆厂和目前国内唯一一条批量化面对市场的碳化硅器件生产线。

碳化硅功率器件 SIC二极管 SIC MOS

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华太（Watech）成立于2010年3月16日，是集半导体器件与工艺开发、芯片设计、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业，以射频芯片和功率芯片业务为主航道，是国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商，聚焦万物互联和数字能源两大应用领域。

IGBT单管 SiC SBD 功率器件碳化硅单管 SIC MOS FS IGBT Hybrid IGBT SJ IGBT LVMOS单管 SGT MOS SGTMOS 功率模块 SIC 模块 IGBT 模块电源 IC LDO DC-DC 门极驱动

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【选型】无锡紫光微（UNIGROUP）半导体功率器件（半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO）选型指南

目录- 超结功率MOSFET（SJ MOSFET）金属氧化物半导体场效应管沟槽式金属氧化物半导体场效应管双沟槽金属氧化物半导体场效应管 IGBT 绝缘栅双极型晶体管 IGTO 集成发射极可关断晶闸管 SiC SBD & SiC MOSFET GaN MOSFET 半桥驱动电路

型号- 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

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