【IC】 MK米客方德推出业界第一颗基于SLC开发的大容量SD NAND，容量覆盖128MB~8GByte
MK米客方德从推出业界第一颗基于SLC开发的SD NAND产品至今，出货量已逾3000万颗，容量覆盖128MB~8GByte（1Gbit~64Gbit），应用范围涉及消费、车载、电力、医疗等行业。
随着SD NAND产品应用的扩展和延伸，先前的6x8mm，最大8GByte的容量已逐步不能满足客户对存储容量的要求。在此背景下，MK 米客方德的大容量Nano SD NAND应运而生。因为MK的大容量SD NAND与Nano SIM卡尺寸相近（12mmx9mm），故命名Nano SD NAND，据悉，MK 米客方德的Nano SD NAND未来有望拓展到256GByte。
图 1
下面，我们针对市场上应用比较广泛的8GByte和32GByte容量的产品，与业界认可度较高的品牌友商Micro SD做个性能对比测试（OEM市场更注重可靠性和性价比，故此次对比测试的型号是SDSDQAB-008G(8GB)和SDSDQAB-032G-1(32GB)。
表 1
图 2
表 2
图 3
由以上两个表格可以看到：
1. MK 的Nano SD NAND 在连续和随机读写速度上，表现亮眼。主要原因是MK在硬件上使用了32-bit Flash控制器和高品质的NAND Flash。
2. 作为内嵌式系统碟时（系统从Nano SD NADN启动）, 随机读写速度是整个系统流畅度的重要指标。MK的32GByte Nano SD可通过SDA协议标准最高随机读写要求的A2等级. (图表上4K速度, A2需满足写16MB/s约4000IOPS以及读8MB约2000IOPS)，此规格可作为系统碟+数据碟。
3. 8GB也可满足A1(4K写2MB/s约500IOPS, 读8MB/s约2000IOPS) 在内嵌式系统上运作也是够用的。
除了读写性能外，在可靠性上，MK米客方德的Nano SD NAND除了拥有传统SD/TF卡的ECC校验、坏块管理、磨损平均算法外，还特别针对嵌入式应用的场景，加强了固件的保护，以确保产品经高达约250℃的高温回流焊后，数据的完整性。需要特别说明的是，MK 32GByte以上的Nano SD NAND采用SSD级别的LDPC纠错算法，可靠性更强。
目前，MK的Nano SD NAND产品，4GByte、8GByte、16GByte、32GByte、64GByte均已处于量产的状态。
表 3
MK米客方德拥有SD NAND整套的烧录器件，方便工程师进行产品测试和验证工作。
图 4
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产品型号
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品类
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存储容量
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工作温度
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接口类型
|
Flash类型
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时钟频率(fc)
|
工作电压
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顺序读/写
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随机读/写
|
湿敏等级
|
待机电流
|
应用等级
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等级认证标准
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|
MKEV004GCB-SC510
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eMMC
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4GB
|
-25℃~+85℃
|
eMMC 5.1
|
MLC
|
400MHz
|
VCC=3.3V
VCCQ=1.8V&3.3V
|
160/55MB/S
|
3000/2000 iops
|
/
|
/
|
商业级
|
ROHS
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