MK米客方德SD NAND掉电保护机制
MK米客方德从推出业界第一颗基于SLC开发的SD NAND产品至今，出货量已逾3000万颗，容量覆盖128MB~64GByte，64GB大容量为Nano SD NAND。MK拥有先进的NAND Flash管理技术，如ECC纠错、坏块管理、磨损平均算法、掉电保护等，能大幅提升产品的速度和系统性能。这就是为什么SD NAND深受越来越多行业应用青睐的原因。在此，今天就和大家深入探讨MK的SD NAND的掉电保护机制。
图 1 SD NAND产品图
众所周知，掉电可以分正常掉电和异常掉电，正常掉电不会导致数据的丢失。而在设备日常工作中，异常掉电的发生不可避免，当发生异常掉电时，如果没有合理的掉电保护机制，就会引发很多问题，最终导致所有用户数据的丢失。
所谓的异常掉电，就是设备(Device)在没有收到主机(Host)的掉电通知时就被断电；或者收到主机的掉电通知，但还没有来得及处理缓存的用户数据、映射表以及闪存的块信息等写入闪存就被断电了。异常掉电可能会导致数据的丢失，比如缓存在存储芯片中的数据来不及写到闪存，掉电导致这部分数据丢失。所以，异常掉电保护机制的目的一方面是尽可能恢复用户数据，把损失减到最低；另一方面是让存储芯片经历异常掉电后还能正常工作。
现在主要讲一下SD NAND异常掉电恢复SPOR (Sudden Power Off Recovery)，MK SD NAND的异常掉电恢复主要就是映射表的恢复重建。如果我们读取物理地址Pa x，就能读到元数据x和用户数据x，而元数据是有逻辑地址La x和时间戳的，因此我们就能获得映射：La x→Pa x。元数据和用户数据存储示例如表一所示。
表 1闪存空间
那么，MK SD NAND又是如何快速恢复映射表的呢？这就需要定期把SD NAND中RAM的数据(包括映射表和缓存的用户数据)和相关的状态信息如擦写次数，读取次数及其它信息等写入到闪存中去。
图 2定期给eMMC拍照
假设在做完快照C后，做下一个快照D之前，在X处发生了异常掉电，那么设备重上电的话，就可以在闪存中读取到最新的快照信息，由于异常掉电，从快照C处到X处新产生的映射关系丢失。由于之前绝大多数的映射关系都被快照C保存,因此需要重建的映射关系仅仅是快照C之后产生的映射关系，这部分关系的恢复，仅需扫描一些局部的物理空间，由此可见，映射表重建速度大大加快。
图3：异常掉电时刻X
嵌入式芯片由于封装芯片形式所受限，如果在硬件上设计异常断电防护功能会有所限制，因此一般掉电保护主要依靠主控端的固件算法来实现的。而MK米客方德的一系列产品均有做强化异常断电防护机制，在不同的测试场景下进行异常断电测试10000次，保证数据的存储可靠性。
表 2 SD NAND产品型号选型参数表
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自MK-米客方德，原文标题为:MK米客方德SD NAND掉电保护机制，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
SD NAND关于3.3V和1.8V之间的转换
SD NAND如何支持1.8V的MCU？SD NAND默认是3.3V的，有些MCU只支持1.8V，为了适配1.8V，SD NAND需要内部用命令把3.3V转换成1.8V。
STM32+SD NAND，替代Nor Flash的优势之选
SD NAND与正点原子精英板的连接由于正点原子精英板没有SD NAND接口，只有TF卡接口，所以SD NAND需要用到转接板来连接。SD NAND正常运行现象本次实验的程序是正点原子的SD卡实验例程，先用读卡器把SD NAND接到电脑上，并复制一个文件进去，再插到开发板上；用送的数据线连接USB UART接口，下载好程序，打开电脑上的串口助手，按下KEY0，即可读取到数据。
MK米客方德SD NAND 1.8V IO电压应用分享
本文MK 米客方德为大家分享一下SD NAND的应用场景以及软件调试。 通常情况下，Card（SD NAND）刚上电时其信号电压一般都是处于3.3V的模式。当card进入准备状态后，为了节省功耗，需要考虑是否切换信号电压到1.8V。
详解SPI NAND、SD NAND和eMMC三种存储技术的主要区别
SPI NAND、SD NAND和eMMC是三种不同类型的嵌入式存储技术，它们各自具有独特的特点和应用场景。本文，MK-米客方德详细介绍了这三种存储技术的主要区别。
江波龙发布多款新品，PTM商业模式推动汽车存储创新
江波龙在本次海外展会中首次推出了多款新品和PTM商业模式，重点围绕工业、汽车存储解决方案，满足全球不同行业智能化发展的存储需求。 针对德国这一工业和汽车大国，江波龙展示了包括xSPI NOR Flash和车规级Grade2 LPDDR4x在内的高可靠性工规级和车规级产品。而Lexar品牌则带来JumpDrive® 行车记录U盘、PCIe Gen5 SSD等产品，覆盖更广泛的汽车消费级市场。
RD530M|SD 6.1|microSD卡
SMART的RD530m microSD存储卡是一款符合microSD UHS-I SDR 104标准的存储卡，采用3D TLC NAND闪存技术，容量从64GB到256GB。该卡专为满足严格的工业操作和环境要求而设计，具备错误检测和纠正算法、静态和动态磨损平衡技术，确保长期可靠运行。
SMART - MICROSD存储卡,MICROSD卡,MICROSD MEMORY CARDS,MICROSD CARD,RD530M,医学,工业物联网,汽车,IIOT,军事的,MEDICAL,AUTOMOTIVE,MILITARY
为什么NAND Flash需要进行坏块管理而NOR Flash不需要？
NOR Flash和NAND Flash是两种不同类型的闪存技术，它们在存储单元的连接方式、耐用性、坏块管理等方面存在差异。本文米客方德解析了NAND Flash的坏块管理步骤及原因，并介绍了SD NAND的坏块管理机制。
MK-米客方德eMMC储存器、Micro SD卡选型表
eMMC储存器、Micro SD卡选型表参数：其中包含品类SD NAND FLASH、Micro SD Card、SD Card、eMMC，存储容量：128MB~128GB
|
产品型号
|
品类
|
存储容量
|
工作温度
|
接口类型
|
Flash类型
|
时钟频率(fc)
|
工作电压
|
顺序读/写
|
随机读/写
|
湿敏等级
|
待机电流
|
应用等级
|
等级认证标准
|
|
MKEV004GCB-SC510
|
eMMC
|
4GB
|
-25℃~+85℃
|
eMMC 5.1
|
MLC
|
400MHz
|
VCC=3.3V
VCCQ=1.8V&3.3V
|
160/55MB/S
|
3000/2000 iops
|
/
|
/
|
商业级
|
ROHS
|
选型表 - MK-米客方德 立即选型
千亿级市场的“真空地带”，MK米客方德打出了一片新天地
MK米客方德是一家专注于嵌入式存储的半导体企业，利用自身优势，针对创客群体开发出小型化、差异化的SD NAND、SPI NAND和eMMC。其SD NAND解决储存卡在嵌入式应用中的可靠性问题、加速产品上市时间和降低系统成本，符合SD Association标准协议，具有小尺寸封装和完全兼容的软硬件容量，参照了SPI NAND和eMMC的可靠性要求。
世强硬创获米客方德授权，代理微型eMMC存储芯片面积仅为传统的43.5%
米客方德的产品包括嵌入式储存（NAND、SPI NAND、eMMC）、储存卡（Micro SD卡、SD卡）、SD NAND、SSD固态硬盘等。
SD NAND的UECC现象和原因
UECC（Uncorrectable Error Correction Code）则是一种错误纠正码，用于检测和纠正存储设备中的数据错误。UECC 的功能对SD NAND是非常重要的，MK-米客方德的SD NAND芯片都是带有UECC功能的。
电子商城
服务
可烧录MCU/MPU，EPROM,EEPROM,FLASH,Nand Flash, PLD/CPLD,SD Card,TF Card, CF Card,eMMC Card,eMMC,MoviNand, OneNand等各类型IC,IC封装：DIP/SDIP/SOP/MSOP/QSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN.
最小起订量： 1 提交需求>
拥有IC烧录机20余款，100余台设备，可以烧录各种封装的IC；可烧录MCU、FLASH、EMMC、NAND FLASH、EPROM等各类型芯片，支持WIFI/BT模组PCBA烧录、测试。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论