瞻芯电子推出采用SOT-227封装的SiC模块产品，助力高效、大功率工业应用
SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点，同时，SOT-227为内绝缘封装，安装简便，也更安全。
近日，瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点，同时，SOT-227为内绝缘封装，安装简便，也更安全。
产品特点
在芯片方面，碳化硅(SiC)器件对比硅(Si)器件具有更高耐压、更低损耗、更耐高温等优点。
在封装方面，SOT-227封装模块主要有下列优势特性：
1、外形小巧，SOT-227是一种紧凑的模块封装，它的基板（DBC）面积比TO-247封装大，可容纳数量更多或尺寸更大的功率芯片，但是模块体积比大功率模块小很多。
2、安全性好，SOT-227是一种内绝缘封装，内部功率芯片与基板之间，加装了绝缘陶瓷垫片，因而无需外加绝缘垫片与散热器隔离，更加安全可靠。
3、散热性强，一方面SOT-227内置绝缘陶瓷垫片，安装时无需外加高热阻的Al2O3陶瓷垫片，减少了外部热阻，另一方面SOT-227封装模块内部热阻较低，以1200V 17mΩ SiC MOSFET为例，对比TO-247封装从MOSFET结到散热器的热阻(Rө-jHs)降低50%以上，可简化热设计。
4、通流能力强，SOT-227封装的终端引脚更大，可承载更大电流，提升应用功率上限。以1200V 17mΩ SiC MOSFET为例，采用SOT-227封装的模块电流为121A @TC=25℃，对比TO-247封装111A @TC=25℃，通流能力提升了9%。
5、安装成本低，无需安装额外的绝缘垫片，少涂1层导热硅胶。
应用场景
通常不同封装的功率器件适用于不同功率段，比如TO-247封装适用数十千瓦功率的应用，而62mm、HPD和DCM等模块通常用于数百千瓦功率段的应用，而SOT-227封装模块正好为少数能填补数十千瓦与数百千瓦之间差距的产品之一。
图 1
表 1
SOT-227封装适用于多种拓扑结构，包括带有Kelvin源的单个MOSFET，两个独立的二极管，升压器（一个MOSFET和一个二极管）以及带有并联二极管的MOSFET等。通过并联或交替排列功率模块，设计可以灵活扩展电路功率等级。
对比并联TO-247 MOSFET的解决方案，SOT-227封装模块减少了板上空间和串联电感，有利于提高功率密度和系统效率。
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Product Brochure SiC Power Semiconductor and IC Solution
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瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南
目录- 公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
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