【元件】 新洁能150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品：较上一代导通损耗降幅43%
新洁能150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度。同时，二极管反向恢复特性大幅优化，反向恢复电荷Qg相对上一代降低43%，更利于减小电路应用中的电压、电流尖峰，增强电路系统稳定性。另外，从器件本身出发，通过设计优化，加强了栅极抗振荡能力，使其更不易发生米勒振荡，减少电路应用的开发时间和成本。全系产品的阈值电压Vth相对上一代产品也做了提升，最大程度防止误开启现象。
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品广泛适用于新能源汽车OBC、通信服务器、光伏储能、不间断电源UPS、电机驱动等领域，可提供TO-220、TO-263、TO-247、TOLL、DFN5x6等封装形式。
产品型号
产品特点
◆ 超低特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）
◆ 极优品质因子FOM（导通电阻Ron*栅极总电荷Qg）
◆ 更高阈值电压Vth，防止误开启
◆ 超低反向恢复电荷Qrr、超快反向恢复时间Trr
◆ 更低反向恢复电流Irrm
◆ 极高功率密度
◆ 更优抗振荡能力
◆ 更强鲁棒性
应用价值
◆ 在使用相同封装的情况下，相对上一代产品，导通损耗降幅高达43%
◆ 根据应用的不同，采用150V Gen.3产品，可使用更小的封装
◆ 针对并联MOSFET以减少漏源导通电阻的应用，150V Gen.3可尽可能减少并联MOSFET数量甚至避免并联，所需空间更少，更具成本优势
◆ 更快的二极管反向恢复能力，利于减小电路应用中的电压尖峰、电流尖峰，对EMC特性和能效产生了积极影响
◆ 优化抗振荡能力，相同外围条件下，相对上一代产品更不易发生米勒振荡，减少开发时间和成本
应用领域
◆ 新能源汽车OBC
◆ 通信服务器
◆ 光伏储能
◆ 不间断电源UPS
◆ 电机驱动
附：新洁能Gen.3 SGT MOSFET命名规则
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
|
VGS(th)(V)
|
CISS(pF)
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QG(nC)
|
PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
|
工业级
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Trench
|
P
|
-12
|
-9
|
-0.7
|
11.5
|
18
|
14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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选型表 - NCE 立即选型
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产品型号
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品类
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Package
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IC(A) Tj=100℃
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VTH-Typ(V)
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VCE(sat)(V) @VGE=15V Typ
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VCE(sat)(V) @VGE=15V Max
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Switching Frequency
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Voltage（V)
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NCEM40W120HA34
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IGBT Module
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34mm
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40
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5.5
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2
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2.4
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10~40KHz
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1200
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选型表 - NCE 立即选型
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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V(BR)CES (V)
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IC(A)100℃
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PD(W)25℃
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VGE(V)
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VTH(V)Typ
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VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Typ
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VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Max
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Switching
Frequency
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Tsc(us)
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NCE15TD120BT
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Trench FS II Fast IGBT
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TO-247
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1200
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15
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300
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±30
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5.5
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1.55
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1.8
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1~20KHz
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10
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