SEMI-e第六届深圳国际半导体展盛大落幕,森国科斩获年度最具影响力奖项荣誉!
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6月28日,SEMI-e第六届深圳国际半导体展在深圳国际会展中心4/6/8号馆圆满落幕。本次展会精心设置了三馆六大区,涵盖了芯片设计、晶圆制造与封装、半导体专用设备与零部件、先进材料、第三代半导体/IGBT以及汽车半导体等主要产业链环节。第一天就吸引了23870位来自全球各地的专业观众,50多场精彩的主题活动轮番上演,创新的火花不断碰撞,为到场观众呈现了一场精彩纷呈的科技盛宴。
在本次盛会中,森国科携其领先的碳化硅功率器件和高端功率IC等系列产品及解决方案,在4号展馆璀璨亮相。展馆内,参观者络绎不绝,森国科的专业团队与众多来访的工程师进行了深入的技术交流和经验分享。
得益于森国科多年积累的技术沉淀与不断创新的发展实力,此次成功斩获2024SEMI-e年度最具影响力奖项荣誉,这不仅体现了业界对森国科强大实力的高度认可,更是对森国科在未来创新与发展道路上的极大鼓励。未来,森国科也将会一如既往地坚持创新引领,持续为低碳、双碳事业赋能,助力快速发展!
森国科展出产品
SiC二极管
森国科碳化硅二极管产品选型是目前国内选型最齐全、封装最多样化的,可为工业电源、快充、充电桩、光伏逆变器等领域提供服务。
碳化硅MOSFET
森国科推出的碳化硅MOSFET产品具备了高耐压、低导通电阻、高开关速度以及低电容等特性,采用带有单独驱动源引脚的优化封装,有利于节省开关损耗,提高电源转换效率。在减少寄生电感和优化栅极驱动效率上也表现突出,无卤素,符合RoHS标准。
森国科碳化硅MOSFET产品适用于太阳能逆变器、电动汽车电机驱动、高压直流变换器、开关电源等多个应用场景。
碳化硅模块
森国科推出了1200V碳化硅二极管模块、碳化硅MOSFET模块,凭借其超低损耗特性、高工作频率能力、零关断拖尾电流的高效性能以及常闭保护和高安全性能,广泛应用于充电桩、光伏发电系统、高效转换器/逆变器、电机驱动系统以及智能电网和分布式发电系统。这些特性使得它们在提高系统效率和可靠性方面表现出色,为用户带来了显著的优势。
SJ MOSFET
森国科的超结MOS场效应晶体管实现了低导通电阻,显著降低了开关与导通过程中的能量损耗,同时具备了较低的开关噪音。该系列产品已顺利通过雪崩测试,验证了其出色的性能和可靠性,非常适合应用于需要高性能功率管理的场景,如硬交换和软交换拓扑、PFC电路、工业和消费电源中。
功率芯片&板卡&方案
森国科功率IC产品采用了先进的高压特色工艺,包括功率管及模块的驱动、BLDC电机驱动。其团队在BCD工艺,UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累,成功推出了MCU、预驱芯片、GateDriver、IPM功率模块等多款产品,并提供配套的高性能、高性价比的多款智能小家电解决方案。
行车记录仪板卡&方案
面向网约车视频监控市场,森国科推出了国内领先的视频处理芯片及4G记录仪方案。方案采用了先进的图像处理技术和脱敏技术,能够在各种驾驶环境下捕捉高清晰度的图像,为驾驶场景提供了安全、可靠的记录。同时,设计考虑到了与车辆原有系统的安装对接,使得整车可以更加方便地将记录仪功能集成到车辆中。随着产品型号及方案的逐渐完善,使得森国科在AI DVR领域中的市场占有率得到了进一步的提高。
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SLKOR - MOSFET,SIC场效应晶体管,SCR,DIODE,REFERENCE POWER SUPPLY,石英晶体,超级结MOSFET,开关二极管,低压差线性稳压器LDO,瞬态抑制二极管,可控硅光耦,高速光耦,双向可控硅,TVS,ZENER DIODE,石英晶体谐振器,GBT单管,达林顿晶体管阵列,PHOTO TRIAC,单向可控硅,光耦合器设备,SIC备用电池,双极性结型晶体管,碳化硅肖特基二极管,静电放电,FAST RECOVERY DIODE,稳压二极管,HIGH-SPEED OPTOCOUPLERS,光电三端双向可控硅,静电保护器件,SIC MOSFET,肖特基二极管,DARLINGTON ARRAY,直流-直流,OPERATIONAL AMPLIFIER,HALL SENSOR,整流桥,光敏晶体管,电源IC,三极管,基准电源,碳化硅场效应管,RECTIFIER BRIDGE,快恢复二极管,参考电源,HALL传感器,齐纳二极管,SIC SBD,DC-DC,IGBT,LDO,高速光耦合器,ESD,OPTICALCOUPLER EQUIPMENT,PHOTO TRANSISTOR,碳化硅肖基特二极管,整流二极管,QUARTZ CRYSTAL,RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY DIODE,晶体管光耦,霍尔传感器,SWITCHING DIODE,SUPER JUNCTION MOSFET,超结场效应管,低压差线性稳压器,可控硅,BIPOLAR JUNCTION 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基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
基本半导体 - 工业级全碳化硅功率模块,单通道智能带功率器件短路保护检测驱动芯片,双通道隔离驱动芯片,低边驱动芯片,碳化硅MOSFET,栅极驱动器ICS,碳化硅MOSFET晶圆,功率模块,SIC功率半导体器件,碳化硅二极管,GATE DRIVER ICS,碳化硅功率器件,晶圆,汽车级TPAK碳化硅MOSFET模块,裸片,混合碳化硅分立器件,半桥MOSFET模块,单开关模块,碳化硅功率模块,SIC POWER SEMICONDUCTOR DEVICES,门极驱动芯片,全碳化硅,汽车级HPD碳化硅MOSFET模块,隔离驱动芯片,单通道隔离驱动芯片,碳化硅二极管晶圆,汽车级全碳化硅功率模块,汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1,储能设备,电机控制器,电源系统,车载电源,新能源汽车主逆变器,空调压缩机,光伏发电,大功率快速充电桩,OBC,车载充电器,不间断电源,电动汽车,UPS,混合动力汽车,光伏储能,PFC电源,字母S,PD快充,储能,电机驱动,工业控制,ESS,光伏组串逆变器,新能源汽车主驱逆变器,光储一体机,数据中心UPS,充电桩,新能源汽车,新能源汽车电机控制器,医疗电源,电力电子系统,EV充电,燃料电池DCDC,隔离式DC-DC电源,线性驱动器,家用电器,DC-AC太阳能逆变器,智能电网,AC-DC电源,轨道交通,通信电源,光伏逆变器
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
萃锦高效SiC器件在充电模块中的解决方案,降本增效实现电动车快速充电
为了提升充电模块的功率密度、缩短充电时间并提升电能转换效率,作为国内较早进入碳化硅领域的萃锦半导体,推出了一系列针对充电桩行业的碳化硅解决方案。
碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例:可显著改善效率和功率密度
碳化硅功率器件的不断发展,为光伏逆变器的性能提升和成本优化带来了新的可能。碳化硅器件应用于大功率集成度要求高的场合,可显著改善微型逆变器效率和功率密度。本文SMC介绍碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例。
萃锦半导体针对充电桩行业的碳化硅解决方案,有效减少充电模块磁性器件体积
萃锦开发的 SiC MOSFET 通过优化元胞结构,增强耐雪崩能力。导通损耗小,开关效率优,适合高频工作模态,有效减少充电模块磁性器件体积。萃锦SiC Diode反向恢复特性优,正向导通压降值低,损耗小。萃锦器件在应用上充分满足充电桩高效率、高功率密度以及高可靠性的要求。
科普 | 碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来
光伏发电是碳化硅器件除电动汽车以外的第二大应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备,主要作用是将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电。本文中SMC将为大家分析碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来,希望对各位工程师朋友有所帮助。
瑞之辰推出一系列碳化硅SiC功率器件,助力低空无人机起势,为高科技行业赋能新动力
瑞之辰推出一系列碳化硅SiC功率器件,可广泛应用于电动汽车、充电桩和低空无人机等领域,为高科技行业赋能新动力。
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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
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