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京东旗下首款氮化镓65W双口PD快充,内置真茂佳ZMS040N10N MOS管
京东京造推出了一款65W氮化镓快充充电器,输出采用ZMJ真茂佳ZMS040N10同步整流。大大降低了整流器的损耗,提高变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。
谷峰电子授权世强硬创代理SiC/SJ MOSFET、沟槽/平面型MOSFET
所有产品的市场应用覆盖中小功率充电器、适配器、工业电源、LED驱动电源、BMS、电动工具、电机、5G基站、商业显示屏、汽车电子、通讯、能源等领域。
上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用
USB-PD,英文全称为USB Power Delivery,是USB的标准化组织USB-IF推出的一个快速充电的标准。目前为止,我们现有的使用消费类产品大部分停留在USB-PD 3.0的时代。本文介绍上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用。
GC11N65多外延SJ金属氧化物半导体
描述- 该资料介绍了GOFORD公司生产的GC11N65功率MOSFET器件。该器件采用先进的超结技术,具有低导通电阻、低栅极电荷和低门电压操作等特点,适用于AC-DC转换器(PFC)、开关电源(SMPS)和工业电力应用。
型号- GC11N65J,GC11N65K,GC11N65,GC11N65T,GC11N65F
NCE01H29T NCE N沟道增强型功率MOSFET
描述- NCE01H29T是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和高效率同步整流等特点,适用于DC电机驱动、SMPS高效率同步整流、不间断电源、高速电力开关和硬切换高频电路等多种应用。
型号- NCE01H29T
WMO175N10LG4 100V N沟道增强型功率MOSFET
描述- WMO175N10LG4是一款采用Wayon第四代功率沟槽MOSFET技术的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高效率快速切换应用。该器件具有低导通电阻和优异的开关性能,适用于同步整流、DC/DC转换和电源管理开关等应用。
型号- WMO175N10LG4
G110N06K N沟道增强型功率MOSFET
描述- G110N06K是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于多种应用,包括电源开关和DC/DC转换器。
型号- G110N06K
GT025N06AM N沟道增强型功率MOSFET
描述- GT025N06AM是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于多种应用,包括电源开关、DC/DC转换器和同步整流。
型号- GT025N06AM
GT011N03TE N沟道增强型功率MOSFET
描述- GT011N03TE是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于多种应用,包括电源开关和DC/DC转换器。
型号- GT011N03TE
GT025N06AT N沟道增强型功率MOSFET
描述- GT025N06AT是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于多种应用,包括电源开关、DC/DC转换器和同步整流。
型号- GT025N06AT
适用于PD VBUS以及散热风扇控制的MOSFET新品
描述- 2021年12月24日,广东省终端快充行业协会成立并发布了移动终端融合快速充电技术规范(UFCS),这是中国首个快充兼容标准,支持PD和QC协议。扬杰科技基于此标准推出了N30V系列化产品,采用Trench工艺增强短路与ESD能力。同时,针对服务器电源需求,扬杰科技还推出了采用TSMT8封装的N+P双芯片合封MOSFET,用于小型散热风扇。
型号- YJQ65N03A,YJQ35N03A,YJU4606A,YJU3724A
G020N03T N沟道增强型功率MOSFET
描述- G020N03T是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于多种应用,包括电源开关和DC/DC转换器。
型号- G020N03T
9926沟槽MOSFET
描述- 该资料介绍了GOFORD公司生产的9926型号MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术设计,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种电源开关应用。
型号- 9926
G020N03D5 N沟道增强型功率MOSFET
描述- G020N03D5是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。该产品适用于多种应用,包括电源开关和DC/DC转换器。
型号- G020N03D5
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