时科750V SiC功率MOSFET SKSC075N005-S7，连续漏极电流达355A，高效能与高可靠性的完美结合

时间： 2024-07-02 来源：時科電子公众号

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SiC材料相比于传统的Si材料，具备诸多优越性能，使其在功率电子器件中愈发受到青睐。时科推出的750V SiC功率MOSFET——SKSC075N005-S7，以其卓越的性能和广泛应用前景成为众多高效能和高可靠性要求设备的理想选择。

SiC材料的优势

01、高温工作能力

SiC材料的热导率远高于Si材料，使得其能够在高温环境下稳定工作。这一特性在极端工作条件下尤为重要，显著提高了器件的可靠性和使用寿命。

02、高阻断电压

SiC材料具有较高的禁带宽度，赋予其高击穿场强，使SiC MOSFET能够承受更高的电压。这为高电压应用提供了更安全、更可靠的选择。

03、低损耗

SiC MOSFET相比Si MOSFET，导通电阻和开关损耗大幅降低。低导通电阻和低开关损耗不仅提高了效率，还减少了能量损耗，节省了运行成本。

04、快速开关速度

SiC MOSFET具备更高的开关速度，使其能够在更高频率下工作。这对于高频应用如开关电源和高压DC/DC转换器尤为重要。

SKSC075N005-S7的独特优势

01、高性能参数

时科SKSC075N005-S7是一款750V的碳化硅功率MOSFET，采用先进的宽带隙SiC MOSFET技术。其主要性能参数如下：

漏源电压 (VDS)：750V

连续漏极电流 (ID)：常温下可达355A

封装类型：SOT-227，具有低热阻，良好的散热特性

阈值电压 (VGS(th))：典型值为2.8V

导通电阻 (RDS(ON))：在VGS=18V，ID=120A的条件下不超过8mΩ

02、应用领域广泛

SKSC075N005-S7在多种应用中表现出色，包括但不限于：

· 开关电源：其高开关效率和低损耗特性，使其在开关电源中能显著提高整体效率。

· 可再生能源：在光伏发电和风力发电等可再生能源应用中，SKSC075N005-S7能够提供高可靠性和高效能。

· 马达驱动器：其高电流密度和快速开关速度，使其在马达驱动应用中能够提供更稳定的性能。

· 高压DC/DC转换器：在高压DC/DC转换器中，SKSC075N005-S7的高耐压和低内阻特性，显著提升了转换效率和稳定性。

03、高效散热与可靠性

SKSC075N005-S7采用SOT-227封装，低热阻设计确保了良好的散热性能。本体散热快，能够有效解决设计中的散热难题。此外，其高耐压低阻抗特性，进一步提升了产品的可靠性，满足了各种苛刻应用环境下的需求。

结语

时科的SKSC075N005-S7 SiC MOSFET，以其优异的高温工作能力、高阻断电压、低损耗和快速开关速度，成为各类高效能电子设备的理想选择。无论是在开关电源、可再生能源系统，还是在马达驱动器和高压DC/DC转换器中，SKSC075N005-S7都能以其卓越的性能和高可靠性，助力设计者实现更高效、更稳定的解决方案。

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