CRMICRO推出的新材料SiC二极管器件,更能满足大功率电源的高能效标准等级性能要求

2024-07-02 华润微电子 官网
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应用描述

现代信息社会数据耗量节节攀升,加之5G通信普及,通信电源等大功率电源领域正面临着体积、重量、工作效率、抗干扰性能、电池兼容、待机能耗以及安全性等诸多方面的严苛要求考验。


高压超结MOS 导通电阻的降低,有效提高了通信开关电源性能。CRMICRO针对大功率电源等应用自主研发了采用先进多层外延和注入技术的高压超结MOS,有国内领先的Rsp和FOM(QG *RDS(on)) CRMICRO推出的第四代、第五代SJ MOS优化元胞结构的同时也特别优化过渡区和终端设计,因此具有电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好特点,可满足客户的高效率高可靠性需求。为达到大功率电源严苛的能效目标,可采用CRM的同步整流中低压SGT MOS。CRM的SGT MOS常用于开关电源、电机驱动、BMS等领域。选用CRM的SJ MOS配合SGT MOS,可实现较高的转换效率,坚固耐用,系统成本较低。


高压超结MOS 导通电阻的降低,有效提高了通信开关电源性能。CRMICRO针对大功率电源等应用自主研发了采用先进多层外延和注入技术的高压超结MOS,有国内领先的Rsp和FOM(QG *RDS(on)) 另外,CRMICRO推出的新材料SiC二极管器件,具有导通损耗小,开关损耗小,抗雷击浪涌能力强特性,在应用上更能满足大功率电源的高能效标准等级性能要求。


产品特色

SJ MOS较低的FOM值,利于提升系统效率

产品参数一致性好

SGT MOS较小的导通电阻,可满足温升、效率的要求

高可靠性


应用原理图


典型应用拓扑图


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型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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