国内月产能Top，氮化镓IDM行业新秀誉鸿锦授权世强硬创代理全线
众所周知，第三代半导体材料氮化镓具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高、电子迁移率高以及电子饱和速度快等优势。
为扩大氮化镓产品在光电、射频、电力电子等领域应用，江西誉鸿锦材料科技有限公司（下称“誉鸿锦”）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）达成授权代理合作。
资料显示，誉鸿锦成立于2021年，致力于第三代半导体材料——氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用，包括氮化镓材料外延、功率氮化镓器件、光电氮化镓器件和射频氮化镓器件以及器件封装等。
目前其已研发出涵盖高性能氮化镓肖特基二极管势垒（SBD）、氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）、氮化镓射频/功率放大器（RF PA）、氮化镓深紫外发光二极管（UVC-LED）在内的多种产品。
据了解，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）不仅可以提供比硅和碳化硅器件更高的电子速度，更适合用于高频功率开关电路，而且该晶体管的高温操作可以减少硅基电力电子设备可能需要的散热器和冷却风扇的尺寸，从而可以进一步缩小电力电子设备的体积和重量。
另一款拳头产品氮化镓深紫外发光二极管（UVC-LED）凭借高效能输出、低功耗、长寿命、性能稳定等特性在紫外线光源市场中占据了一席之地。
与传统紫外线光源相比，誉鸿锦氮化镓深紫外发光二极管（UVC-LED）具有更低的功耗，不仅有助于节能减排，而且其体积小巧，便于集成到各种设备和系统中。
此外，誉鸿锦采取了高集成度的IDM模式，从外延生长、设计到流片、制造和封测都可以完成，全流程涉及包括自研MOCVD产品在内的50多种设备，使得整个生产周期最快只需7天就可以完成，研发周期相较于同行缩短2/3时间，制造效率大大提高，生产周期大大缩减。
从产能来看，当前设备规模产能达1.5万片，供应能力在业内表现十分强劲，待二期线建成投产后，月产能目标将达成25万片，产能有望实现行业领先；从应用来看，产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域，并与多家知名企业如成为了合作伙伴的紧密关系。
基于拥有超30年服务下游行业大客户的经验及业内独特的互联网分销模式，技术分销商世强先进成为了誉鸿锦的合作伙伴。关于本次合作，世强先进表示：“未来将依托旗下To B产业互联网平台世强硬创优异的新产品推广、方案设计、技术支持等创新服务，加速誉鸿锦产品实现全渠道触达市场，促使产品在项目中完成Design-IN到Design-Win的转变，从而提升业绩稳固市场地位。”
江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产，拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验，掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、射频/功率放大器（RF PA）、深紫外发光二极管（UVC-LED）等，这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。 查看更多
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由覃晓莉提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南（中文）
描述- 中电国基南方集团公司始终聚焦于第三代半导体器件研发和应用，在功率半导体领域，推出一系列更节能、更可靠、更具性价比的 SiC 电力电子器件，满足电动汽车、逆变器、电源高效、小型化要求。
型号- WS4A020120A,WM2V060090N,WS4A030120K,WM2V060090L,WS4A020120D,WM2HV011075L,WS4A040120K,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS3A010170D,WS4A040120D,WS4A010120A,WM2A050330L,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A020120K,WM2HV040120L,WS4A008065A,WS4A008065F,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120L,WM2A030065N,WM2HA140120K,WM2A030065L,WM2HA140120N,WM2A030065K,WM2HV040120N,WS1A030330D,WM2A025200L,WM1A045170K,WM1A045170L,WM2HVXX120L,WM2HV016120L,WM2A030065Y,WM2A040065L,WM2A040065N,WS4A006065F,WS4A006065E,WM2A025200K,WS4A010120J,WS4A004065A0,WM2A040065K,WM2A020170T,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A040065K,WS4A010065F,WM2V0XX065L,WS4A010065A,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HA040120T,WM2A020170K,WM2A020170L,WM2HA040120N,WM2HV020062L,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2A060065L,WM2A060065Y,WS1B001500V,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WM2HA030120L,WS4A005120E,WM2A040120L,WM2A040120N,WM2A070065L,WM1A650170K,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WM2A075120K,WS4A015120D,WM2A075120L,WS3A001330F,WM2A075120N,WS4A005120A,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WS4A020065A,WM2V075120N,WS4A020065D,WM2V075120K,WM2V075120L,WM1A080120K1,WTSD1A25170D,WM2HA020065L,WS3A050170D,WM2HA016120L,WS3A002120A,WS4A015120A,WM2HA016120K,WM2HV020065L,WS3A002120E,WM2HA020065N,WM2HV020065N,WM2HA016120T,WM2A020065Y,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2A060090N,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2HV030120N,WS4A020065K,WM2HV030120L,WM1A01K170L,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N
研讨会2024模拟电源信号链新技术研讨会
描述- 9月5日直播，带来光通讯、光模块、光伏储能（模拟ADC）、激光雷达（GaN驱动）、新能源、BMS、交换机（POE）、医疗健康、OBC、机器人、安防监控、电动工具、个人护理、数字电源、智能座舱、充电桩、T-BOX、变频伺服等领域模拟电源信号链新产品新技术，点击了解报名。
议题- 信号链：射频开关，ADC，DAC，运放，比较器，数模混合IC，温度传感器 | 电源管理：锂电管理，氮化镓驱动，马达驱动，高低边驱动，DC-DC，AC-DC，电压基准源 | 汽车：车身电子，HUD，激光雷达，智能座舱，OBC，充电桩，T-BOX，氛围灯，车载摄像头，倒车雷达，热管理，BMS | 光通讯，光模块，交换机（POE），AFE，个人护理，医疗健康 | 可再生能源：光伏储能（模拟ADC产品） | 工业：机器人，变频伺服 | 电力：数字电源，电动工具，安防监控 | SG Micro Corp（圣邦微电子）——十大中国IC设计公司之一，模拟集成电路领导者 | 模拟与嵌入式产品和解决方案供应商——思瑞浦（3PEAK） | 以模拟技术为优势的电子器件和微波产品，为客户提供最佳的模拟解决方案——Nisshinbo (日清纺) | 国产首款40V、5A 、AEC 、Q100车规级低能耗高可靠电源降压芯片生产商——芯洲科技（SCT） | 高性能模拟和数模混合半导体供应商——JW JOULWATT（杰华特） | 全球首家Force Touch SoC芯片供应商——芯海科技（CHIPSEA） | 全球电子成就奖●年度微控制器/接口产品奖获得者——国民技术（Nations） | 专业的高性能模拟器件及数模混合芯片解决方案供应商——拓尔微电子（TOLL） | 专注于高性能、高品质模拟/混合信号的芯片设计公司：润石科技(Runic) | 专注于高性能模拟及混合信号芯片设计——领慧立芯（legendsemi） | 致力打造世界一流高端模拟芯片方案供应商——治精微（ZJW） | 高端模拟及数模混合芯片和解决方案供应商——类比半导体（AnalogySemi） | 高性能全范围模拟信号链（放大器/ADC/DAC/基准/电源）芯片供应商——士模（CIMO） | 致力于向客户提供多品类、全系列电源管理芯片产品及解决方案供应商——ETA SEMICONDUCTOR（钰泰半导体） | 专注BMS，电源及可编程模拟芯片的知名半导体厂商——芯祥科技（EnergyMath） | 专注研发小型化、高可靠电源，为客户提供完整可靠的电源解决方案——ZOEYGO（中逸光） | 专业从事电源产品的研发、生产、销售及综合解决方案的模块电源生产厂家——TOPPOWER（顶源科技） | 模拟芯片领先设计商——微源半导体（LPSemi） | 领先的高密度神经刺激芯片和生物传感芯片供应商——Nanochap（暖芯迦） | 专注于高性能信号链集成电路产品研发——芯聚威（Silicoway） |
活动 发布时间 : 2024-06-28
【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）
目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD
型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F，兼容脉冲和CW操作模式
UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造，产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm，能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案，可运用于雷达和通信领域。
新产品 发布时间 : 2018-12-23
【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频大功率放大器匹配设计
UMS的CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器，工作频段可以达到0~5GHz，在CW波的工作条件下，最高输出功率典型值可以达到35W，线性增益典型值可以达到16dB。
应用方案 发布时间 : 2018-02-10
自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频
江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产，拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验，掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-04-26
氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势
碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。
应用方案 发布时间 : 2024-05-23
【产品】芯佰特100W GaN HEMT射频功率管CBNTL100 ，工作频率DC~3GHz，输入易匹配
CBNTL100是一款100W GaN HEMT射频功率管，工作频率DC~3GHz，工作电压28~32V。拥有高效率、高增益、高线性、宽带宽、高可靠性、高稳定性等优点。
产品 发布时间 : 2023-04-20
【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
新产品 发布时间 : 2019-04-03
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论