国内月产能Top,氮化镓IDM行业新秀誉鸿锦授权世强硬创代理全线
众所周知,第三代半导体材料氮化镓具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高、电子迁移率高以及电子饱和速度快等优势。
为扩大氮化镓产品在光电、射频、电力电子等领域应用,江西誉鸿锦材料科技有限公司(下称“誉鸿锦”)与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)达成授权代理合作。
资料显示,誉鸿锦成立于2021年,致力于第三代半导体材料——氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用,包括氮化镓材料外延、功率氮化镓器件、光电氮化镓器件和射频氮化镓器件以及器件封装等。
目前其已研发出涵盖高性能氮化镓肖特基二极管势垒(SBD)、氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)、氮化镓射频/功率放大器(RF PA)、氮化镓深紫外发光二极管(UVC-LED)在内的多种产品。
据了解,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)不仅可以提供比硅和碳化硅器件更高的电子速度,更适合用于高频功率开关电路,而且该晶体管的高温操作可以减少硅基电力电子设备可能需要的散热器和冷却风扇的尺寸,从而可以进一步缩小电力电子设备的体积和重量。
另一款拳头产品氮化镓深紫外发光二极管(UVC-LED)凭借高效能输出、低功耗、长寿命、性能稳定等特性在紫外线光源市场中占据了一席之地。
与传统紫外线光源相比,誉鸿锦氮化镓深紫外发光二极管(UVC-LED)具有更低的功耗,不仅有助于节能减排,而且其体积小巧,便于集成到各种设备和系统中。
此外,誉鸿锦采取了高集成度的IDM模式,从外延生长、设计到流片、制造和封测都可以完成,全流程涉及包括自研MOCVD产品在内的50多种设备,使得整个生产周期最快只需7天就可以完成,研发周期相较于同行缩短2/3时间,制造效率大大提高,生产周期大大缩减。
从产能来看,当前设备规模产能达1.5万片,供应能力在业内表现十分强劲,待二期线建成投产后,月产能目标将达成25万片,产能有望实现行业领先;从应用来看,产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域,并与多家知名企业如成为了合作伙伴的紧密关系。
基于拥有超30年服务下游行业大客户的经验及业内独特的互联网分销模式,技术分销商世强先进成为了誉鸿锦的合作伙伴。关于本次合作,世强先进表示:“未来将依托旗下To B产业互联网平台世强硬创优异的新产品推广、方案设计、技术支持等创新服务,加速誉鸿锦产品实现全渠道触达市场,促使产品在项目中完成Design-IN到Design-Win的转变,从而提升业绩稳固市场地位。”
江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒(SBD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、射频/功率放大器(RF PA)、深紫外发光二极管(UVC-LED)等,这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。 查看更多
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由覃晓莉提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
氮化镓器件在射频领域中的应用,具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势
碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长,氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。
【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F,兼容脉冲和CW操作模式
UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造,产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm,能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案,可运用于雷达和通信领域。
YHJ-65P150TK:(TO-220)共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- YHJ-65P150TK是一款采用级联配置的常关型氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,适用于高功率应用。该器件具有高击穿电压、高电流和高工作速度等特点。
型号- YHJ-65P150TK
【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频大功率放大器匹配设计
UMS的CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器,工作频段可以达到0~5GHz,在CW波的工作条件下,最高输出功率典型值可以达到35W,线性增益典型值可以达到16dB。
YHJ-65P150AMC:DFN 8x8共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管数据手册
描述- YHJ-65P150AMC是一款采用级联结构的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,具有高耐压、大电流和高工作速度等特点。该器件适用于高压应用,如开关电源、AC-DC/DC-DC转换器和电机驱动等领域。
型号- YHJ-65P150AMC
YHJ-65P080DA:(DFN 8x8)共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管规格书
描述- YHJ-65P080DA是一款采用级联配置的GaN HEMT器件,具有高耐压、高电流和高工作速度等特点,适用于高功率应用。该器件具有兼容的栅极驱动电压(-20V至+20V)、高工作频率和低Qrr特性。
型号- YHJ-65P080DA
【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管,射频功率应用首选
UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管,具有所有GaN关键优势,高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力,兼容脉冲和CW操作模式,为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案,非常适用于雷达和通信等领域中。
【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F,适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术,符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
CBNPL015 V1.0 GaN HEMT 28V 15W DC~6.5GHz 射频功率管
描述- CBNPL015是一款28V 15W GaN HEMT射频功率管,工作频率范围为DC~6.5GHz,具有高效率、高增益、高线性、宽带宽等特点。该产品适用于高效率、超小体积、对可靠性和稳定性要求严苛的射频功率放大器设计。
型号- CBNPL015
自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频
江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。
YHJ-65P150AMC:DFN 8x8共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管数据表(初步)
描述- YHJ-65P150AMC是一款采用级联结构的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,具有高压、大电流和高工作速度的特点,适用于高频功率应用。该器件具备良好的栅极驱动电压兼容性,低Qrr特性,适用于开关电源、AC-DC/DC-DC转换器和电机驱动等领域。
型号- YHJ-65P150AMC
CBNPL006 V1.0 GaN HEMT 28V 6W DC~6.5GHz 射频功率管
描述- CBNPL006是一款6W GaN HEMT射频功率管,工作频率范围为DC至6.5GHz,工作电压为12.0至36.0V。该产品具有高效率、高增益、高线性、宽带宽、高可靠性和高稳定性等特点,适用于高效率、超小体积和高可靠性的射频功率放大器设计。
型号- CBNPL006
CHK015A-qia15w功率封装晶体管SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 该资料介绍了名为CHK015A-QIA的15W功率封装晶体管。这款器件采用氮化镓HEMT工艺制造,适用于多种射频功率应用,包括雷达和电信。其主要特点是宽带能力(高达6GHz)、高功率(大于15W)和高效率(最高达70%)。此外,它还具有低成本塑料封装、低寄生元件和低热阻等特点。
型号- CHK015A-QIA
CBNTL100 GaN HEMT 28V 100W DC~3.0GHz 射频功率管
描述- CBNTL100是一款高性能的GaN HEMT射频功率管,工作频率范围为DC~3.0GHz,工作电压为28.0~32.0V。该产品具有高效率、高增益、高线性、宽带宽等特点,适用于各种高频射频功率放大器的设计。
型号- CBNTL100E,CBNTL100
CBNPL003 V1.0 GaN HEMT 28V 3W DC~6.5GHz 射频功率管
描述- CBNPL003是一款3W GaN HEMT射频功率管,工作频率范围为DC至6.5GHz,工作电压为12.0至36.0V。该产品具备高效率、高增益、高线性、宽带宽、高可靠性和高稳定性等特点,适用于高效率、超小体积和高要求的射频功率放大器设计。
型号- CBNPL003
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试;9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试,天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论