国内月产能Top，氮化镓IDM行业新秀誉鸿锦授权世强硬创代理全线

时间： 2024-07-01 来源：世强

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众所周知，第三代半导体材料氮化镓具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、开关频率高、电子迁移率高以及电子饱和速度快等优势。

为扩大氮化镓产品在光电、射频、电力电子等领域应用，江西誉鸿锦材料科技有限公司（下称“誉鸿锦”）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）达成授权代理合作。

资料显示，誉鸿锦成立于2021年，致力于第三代半导体材料——氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用，包括氮化镓材料外延、功率氮化镓器件、光电氮化镓器件和射频氮化镓器件以及器件封装等。

目前其已研发出涵盖高性能氮化镓肖特基二极管势垒（SBD）、氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）、氮化镓射频/功率放大器（RF PA）、氮化镓深紫外发光二极管（UVC-LED）在内的多种产品。

据了解，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）不仅可以提供比硅和碳化硅器件更高的电子速度，更适合用于高频功率开关电路，而且该晶体管的高温操作可以减少硅基电力电子设备可能需要的散热器和冷却风扇的尺寸，从而可以进一步缩小电力电子设备的体积和重量。

另一款拳头产品氮化镓深紫外发光二极管（UVC-LED）凭借高效能输出、低功耗、长寿命、性能稳定等特性在紫外线光源市场中占据了一席之地。

与传统紫外线光源相比，誉鸿锦氮化镓深紫外发光二极管（UVC-LED）具有更低的功耗，不仅有助于节能减排，而且其体积小巧，便于集成到各种设备和系统中。

此外，誉鸿锦采取了高集成度的IDM模式，从外延生长、设计到流片、制造和封测都可以完成，全流程涉及包括自研MOCVD产品在内的50多种设备，使得整个生产周期最快只需7天就可以完成，研发周期相较于同行缩短2/3时间，制造效率大大提高，生产周期大大缩减。

从产能来看，当前设备规模产能达1.5万片，供应能力在业内表现十分强劲，待二期线建成投产后，月产能目标将达成25万片，产能有望实现行业领先；从应用来看，产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域，并与多家知名企业如成为了合作伙伴的紧密关系。

基于拥有超30年服务下游行业大客户的经验及业内独特的互联网分销模式，技术分销商世强先进成为了誉鸿锦的合作伙伴。关于本次合作，世强先进表示：“未来将依托旗下To B产业互联网平台世强硬创优异的新产品推广、方案设计、技术支持等创新服务，加速誉鸿锦产品实现全渠道触达市场，促使产品在项目中完成Design-IN到Design-Win的转变，从而提升业绩稳固市场地位。”

江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产，拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验，掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、射频/功率放大器（RF PA）、深紫外发光二极管（UVC-LED）等，这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。查看更多

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中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南

描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

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选型指南 - 中电国基南方 - 2024/7/30 PDF 中文下载

【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）

目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD

型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K

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华太固态射频功放管助力射频能量创新方案：频段覆盖2400-2500MHz，提供350W连续波饱和功率

随着射频能源技术的快速发展，固态半导体射频设备正逐渐取代传统的磁控管系统，成为射频加热应用的新选择。固态射频设备凭借更高的功率密度、精确控制和可靠性，在工业加热、干燥、解冻、以及医疗等多个领域展现出巨大的市场潜力。本篇文章华太将对关键器件——基于氮化镓技术的功率放大器在射频加热应用中的优势与应用场景进行讨论。

应用方案发布时间 : 2024-09-20

氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。

应用方案发布时间 : 2024-05-23