华润微电子IGBT和SiC二极管,短路耐受力强,抗浪涌能力优异,适合UPS电源应用

2024-07-08 华润微电子 官网
IGBT,中低压MOSFET,SiC二极管 IGBT,中低压MOSFET,SiC二极管 IGBT,中低压MOSFET,SiC二极管 IGBT,中低压MOSFET,SiC二极管

应用描述

5G时代数据中心电源系统等应用领域信息化建设步伐的加快 以及低碳经济的到来,使得UPS电源数字化、高频化以及优越的功率因数指标等成为主要技术发展趋势。目前变换电路频率的提高,使得用于滤波的电感、电容以及噪音、体积等大为减少,使UPS效率动态响应特性和控制精度等大为提高;因此适用高频应用,且低功耗、可靠性强的电力电子开关器件将成为UPS未来核心需求。


CRMICRO针对UPS 应用,充分考虑了更高开关频率和更高效率的要求,采用Trench FS技术,开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A 的全系列化IGBT产品,兼具短路耐受力强、低损耗的特点;


针对UPS中电池双向DC/DC电路应用,CRMICRO可提供电压范围30V~200V,电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品,满足12V—72V电池电压需求。


CRMICRO新推出650V、1200V系列的SiC二极管,其导通特性及反向恢复特性与国际品牌接近,且抗浪涌能力综合性能优异,适于高频高效的高端UPS应用。


产品特色

具有低Vce(sat)和开关损耗

SiC二极管抗浪涌能力优异,温度特性稳定

Vce(sat)正温度系数,易并联

产品均达到工业级可靠性标准       

器件具有强的雪崩耐量和短路耐受时间 


应用原理图

典型应用拓扑图

应用选型推荐

产品列表

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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