华润微电子IGBT和SiC二极管,短路耐受力强,抗浪涌能力优异,适合UPS电源应用

2024-07-08 华润微电子 官网
IGBT,中低压MOSFET,SiC二极管 IGBT,中低压MOSFET,SiC二极管 IGBT,中低压MOSFET,SiC二极管 IGBT,中低压MOSFET,SiC二极管

应用描述

5G时代数据中心电源系统等应用领域信息化建设步伐的加快 以及低碳经济的到来,使得UPS电源数字化、高频化以及优越的功率因数指标等成为主要技术发展趋势。目前变换电路频率的提高,使得用于滤波的电感、电容以及噪音、体积等大为减少,使UPS效率动态响应特性和控制精度等大为提高;因此适用高频应用,且低功耗、可靠性强的电力电子开关器件将成为UPS未来核心需求。


CRMICRO针对UPS 应用,充分考虑了更高开关频率和更高效率的要求,采用Trench FS技术,开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A 的全系列化IGBT产品,兼具短路耐受力强、低损耗的特点;


针对UPS中电池双向DC/DC电路应用,CRMICRO可提供电压范围30V~200V,电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品,满足12V—72V电池电压需求。


CRMICRO新推出650V、1200V系列的SiC二极管,其导通特性及反向恢复特性与国际品牌接近,且抗浪涌能力综合性能优异,适于高频高效的高端UPS应用。


产品特色

具有低Vce(sat)和开关损耗

SiC二极管抗浪涌能力优异,温度特性稳定

Vce(sat)正温度系数,易并联

产品均达到工业级可靠性标准       

器件具有强的雪崩耐量和短路耐受时间 


应用原理图

典型应用拓扑图

应用选型推荐

产品列表

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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AM40T120 IGBT 1200V, 40A, Irrm=12.3A IGBT

型号- AM40T120,AM40T120TL3FU,AM40T120TL3FVU

数据手册  -  AIT  - REV1.0  - DEC 2022 PDF 英文 下载

【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品,非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用

NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性,非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。

产品    发布时间 : 2024-06-26

【应用】IGBT功率模块充分利用三电平NPC拓扑,成为太阳能、UPS和蓄能应用的热门选择

本文对Vincotech推出的Flow 0封装100A IGBT功率功率模块中的两个芯片组进行了比较(P927F58和P927F53),但Vincotech可提供更多的组合。这些广泛的标准模块可满足每个客户和选择太阳能、UPS和储能应用的芯片组时等应用的要求。

应用方案    发布时间 : 2018-12-18

AM40T120A IGBT 1200V, 40A, Irrm=12.3A IGBT

型号- AM40T120A,AM40T120ATL3FVU,AM40T120ATL3FU

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CRG40T120AK3S Silicon FS Trench IGBT

型号- CRG40T120AK3S

数据手册  -  华润微电子  - V04  - 2021/12/24 PDF 英文 下载

最简单易用的7管封装的IGBT模块

IGBT的优势在于输入阻抗很高,开关速率快,导通态电压低,关断时阻断电压高,集电极和发射机承受电流大的特点,目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。

设计经验    发布时间 : 2019-07-11

AM10T65 IGBT 650V, 10A IGBT

型号- AM10T65VR,AM10T65,AM10T65R

数据手册  -  AIT  - REV1.0  - SEP 2022 PDF 英文 下载

混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频

基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲,主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响,以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法,点击视频一探究竟!

技术探讨    发布时间 : 2024-05-07

【视频】虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT,提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案

型号- HM01N100PR,HMS11N70Q,HMS7N80,HMS5N80,HMS5N90R,HM4N65R,HMS5N70R2,HMS20N80,HM3N150,HM8N100F,HMG20N65F,HMS5N70R,HMG20N65D,HMS10N80,HMS13N65Q,HMS15N80D,HM40N120AT,HMS11N65Q,HMG40N65AT,HMS5N65R,HM3N100,HM1N60R,HMS5N90R2,HM0565MR,HMN9N65D,HMS5N65R2,HMN11N65D,HM3N120,HM2N65R,HM40N120FT,HMG40N65FT,HM4N60R

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AM40T120B IGBT 1200V, 40A, Irrm=14.9A IGBT

型号- AM40T120B,AM40T120ATL3FVU,AM40T120ATL3FU

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