华润微电子IGBT和SiC二极管,短路耐受力强,抗浪涌能力优异,适合UPS电源应用
应用描述
5G时代数据中心电源系统等应用领域信息化建设步伐的加快 以及低碳经济的到来,使得UPS电源数字化、高频化以及优越的功率因数指标等成为主要技术发展趋势。目前变换电路频率的提高,使得用于滤波的电感、电容以及噪音、体积等大为减少,使UPS效率动态响应特性和控制精度等大为提高;因此适用高频应用,且低功耗、可靠性强的电力电子开关器件将成为UPS未来核心需求。
CRMICRO针对UPS 应用,充分考虑了更高开关频率和更高效率的要求,采用Trench FS技术,开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A 的全系列化IGBT产品,兼具短路耐受力强、低损耗的特点;
针对UPS中电池双向DC/DC电路应用,CRMICRO可提供电压范围30V~200V,电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品,满足12V—72V电池电压需求。
CRMICRO新推出650V、1200V系列的SiC二极管,其导通特性及反向恢复特性与国际品牌接近,且抗浪涌能力综合性能优异,适于高频高效的高端UPS应用。
产品特色
具有低Vce(sat)和开关损耗
SiC二极管抗浪涌能力优异,温度特性稳定
Vce(sat)正温度系数,易并联
产品均达到工业级可靠性标准
器件具有强的雪崩耐量和短路耐受时间
应用原理图
典型应用拓扑图
应用选型推荐
产品列表
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型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频
基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲,主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响,以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法,点击视频一探究竟!
技术探讨 发布时间 : 2024-05-07
【视频】虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT,提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案
型号- HM01N100PR,HMS11N70Q,HMS7N80,HMS5N80,HMS5N90R,HM4N65R,HMS5N70R2,HMS20N80,HM3N150,HM8N100F,HMG20N65F,HMS5N70R,HMG20N65D,HMS10N80,HMS13N65Q,HMS15N80D,HM40N120AT,HMS11N65Q,HMG40N65AT,HMS5N65R,HM3N100,HM1N60R,HMS5N90R2,HM0565MR,HMN9N65D,HMS5N65R2,HMN11N65D,HM3N120,HM2N65R,HM40N120FT,HMG40N65FT,HM4N60R
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品牌:数明半导体
品类:Single-Channel, High-Speed, Low-Side Gate Driver
价格:¥0.7059
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