蓉矽半导体邀您共聚SEMI-e 2024第六届深圳国际半导体展

时间： 2024-07-09 来源：NOVUSEM（蓉矽半导体）微信公众号

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SEMI-e第六届深圳国际半导体展

SEMI-e第六届深圳国际半导体展已于6月26-28日在深圳国际会展中心(宝安)4/6/8号馆开幕，覆盖晶圆、封测、设计、芯片、检测、先进封装、碳化硅、氮化镓、前道设备、后道加工及各工序环节零部件等815家展商。

蓉矽半导体拥有高性价比的NovuSiC®(工业级)和高可靠性的DuraSiC®(车规级)碳化硅MOSFET、碳化硅二极管(EJBSTM)以及碳化硅模块(NovuPower®)产品。产品广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。蓉矽半导体受邀参展，将携最新产品和解决方案亮相本届盛会，敬请期待。

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2024年7月8日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。蓉矽半导体在E3馆3646号展位，重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM，以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。

2024-07-11 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

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碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管二极管栅控二极管晶圆 MCR单管肖特基二极管

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蓉矽1200V 30A SiC EJBS™（NC1D120C30KT）应用于40kW单向充电桩模块，整机损耗降低180W

蓉矽碳化硅二极管EJBS™产品采用PiN与SBD的复合结构，具有高抗浪涌电流能力、低反向漏电（Tj=25℃时，IR=11μA）、低正向导通压降（Tj=25℃时VF=1.41V）、零反向恢复电流、最高工作结温达175℃等优势。本次测试中，采用蓉矽NC1D120C30KT SiC EJBS™产品替换原机UFRD，整机损耗降低最高可达180W。

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