在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:图腾柱PFC实机评估
本文将介绍在相同的BEV电源架构的组成模块之一—OBC的双向图腾柱PFC中使用第4代SiC MOSFET时的实验结果。
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:图腾柱PFC实机评估
图腾柱PFC是作为可提高效率的PFC转换器在近年来备受关注的拓扑。另外,为了微电网系统更加稳定,并促进供需平衡,全球范围都在研究V2G(Vehicle To Grid),双向工作也变得越发重要。
图腾柱PFC电路工作
图1是电路框图。左桥臂(S1、S2)用于高频开关,右桥臂(S3、S4)用于工频(低频)整流。通过对S3和S4使用同步整流,可以实现双向工作(V2G)。
图1. 图腾柱PFC框图
图2是不同状态的工作示意图。在商用交流电的“正半周”期间,图腾柱低边开关(S2)作为升压转换器进行高频开关(图(a):期间D)。此时,S1进行整流工作(图(b):期间1-D),但如果体二极管的反向恢复较慢,则会产生较大的功率损耗。SiC MOSFET的反向恢复速度非常快,可以更大程度地减少功率损耗的影响,非常适合用作图腾柱PFC的功率器件。
接下来,在“负半周”期间,图腾柱高边开关(S1)作为升压转换器进行高频开关(图(c):期间D),S2进行整流工作(图(d):期间1-D)。S3和S4按照商用交流电的每半个周期切换一次。
图2.不同状态的工作示意图
图腾柱PFC实机评估
为了验证第4代SiC MOSFET在降低图腾柱PFC损耗方面的效果,我们使用实际应用板进行了实验。表1为PFC评估条件以及所用SiC器件的规格。如果输出电压为400V,则与耐压750V的SiC MOSFET相匹配。在这里我们使用的是SCT4045DR。
表1.PFC评估条件
图3为实际应用板的开关波形。从图中可以看到其开通和关断时间非常短,仅为20ns~30ns。
图3. 开关波形
图4为效率测试结果。当使用第4代SiC MOSFET时,在1.5kW半负载时实现了98%以上的高效率,在3kW满负载时实现了97.6%的高效率。
图4. 实测效率
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