芯诺科技诚邀您参加慕尼黑上海电子展,将展示半导体分立器件产品解决方案,共同探讨行业前沿技术和发展趋势
尊敬的客户
您好!芯诺科技邀请您于2024年7月8-10日(9am-17pm)前来上海新国际博览中心参加2024慕尼黑上海电子展。届时将在(展位号E3-3150),与您共同探讨行业前沿技术和发展趋势,体验芯诺科技的创新和品质!
公司简介
山东芯诺电子科技股份有限公司,采用全产业链垂直整合(IDM)一体化的经营模式,是一家领先的军民融合企业。主营产品:半导体芯片、电子元器件、军工高可靠器件、集成电路及模组。芯诺为实现半导体国产化,始终践行研发创新是发展的第一推动力。
展馆平面图
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参观指引
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10N60 600V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了10N60型号的600V N-Channel Power MOSFET(功率场效应晶体管)。该器件具有快速开关能力、低栅极电荷、符合欧盟RoHS指令的无铅封装,适用于各种高电压应用。
型号- 10N60,DMK10N60-TU,DMT10N60-TU,DMF10N60-TU,DMG10N60-TU,DMG10N60-TR
5N65 650V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了650V N-Channel Power MOSFET(功率MOS场效应晶体管)的技术规格和应用。该器件具有快速开关能力,适用于多种电源管理应用。
型号- DMK5N65-TU,5N65,DMP5N65-TU,DMD5N65-TR,DMG5N65-TR,DMD5N65-TU,DMF5N65-TU,DMG5N65-TU,DMT5N65-TU
5N60 600V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了5N60型号的600V N-Channel Power MOSFET(功率MOS场效应晶体管)的技术规格和应用。该器件具有快速开关能力,符合欧盟RoHS指令的要求,采用绿色模具化合物,提供多种封装选项。资料包含了绝对最大额定值、热数据、电气特性、动态特性、开关特性和源漏二极管特性等内容。
型号- DMF5N60-TU,DMG5N60-TU,DMG5N60-TR,DMD5N60-TR,DMK5N60-TU,5N60,DMD5N60-TU,DMP5N60-TU,DMT5N60-TU
6N60 600V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了600V N-Channel Power MOSFET(6N60)的技术规格和应用。该器件具有快速开关能力、低栅极电荷,符合欧盟RoHS指令的无铅要求,并采用绿色模具化合物。资料提供了详细的绝对最大额定值、热数据、电气特性、动态特性、开关特性和二极管特性。
型号- DMK6N60-TU,DMT6N60-TU,DMG6N60-TU,6N60,DMF6N60-TU,DMG6N60-TR
7N60 600V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了7N60型号的600V N-Channel Power MOSFET。该器件具有快速开关能力,适用于多种电源应用。它符合欧盟RoHS指令的无铅标准,采用绿色模具化合物制造。提供不同的封装选项,包括TO-251、TO-252、TO-220和ITO-220。资料还提供了详细的电气特性、热数据、测试电路图和典型特性曲线。
型号- DMP7N60-TU,DMK7N60-TU,DMG7N60-TU,DMD7N60-TU,DMG7N60-TR,DMD7N60-TR,DMT7N60-TU,DMF7N60-TU,7N60
5N50 500V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了5N50型号的500V N-Channel Power MOSFET(功率MOS场效应晶体管)的技术规格和应用。该器件具有快速开关能力,符合欧盟RoHS指令的无铅标准,并采用绿色成型化合物。资料提供了详细的电气特性、热数据、测试电路波形以及不同封装类型的机械图。
型号- DMT5N50-TU,DMD5N50-TR,DMD5N50-TU,DMF5N50-TU,DMP5N50-TU,DMG5N50-TR,DMG5N50-TU,DMK5N50-TU,5N50
6N70 700V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了型号为6N70的700V N-Channel Power MOSFET。该器件具有快速开关能力、低栅极电荷,符合欧盟RoHS指令的无铅要求,采用绿色模具化合物。提供多种封装选项,包括TO-251、TO-252、TO-220、ITO-220和TO-262/TO-263。资料提供了详细的绝对最大额定值、热数据、电气特性、典型特性和测试电路。
型号- DMD6N70-TR,DMT6N70-TU,DMF6N70-TU,6N70,DMP6N70-TU,DMK6N70-TU,DMD6N70-TU,DMG6N70-TU,DMG6N70-TR
10N65 650V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了650V N-Channel Power MOSFET(10N65)的技术规格和应用。该器件具有快速开关能力、低栅极电荷,符合欧盟RoHS指令的无铅要求。资料提供了绝对最大额定值、热数据、电气特性、动态特性、开关特性和二极管特性等信息。
型号- DMT10N65-TU,DMF10N65-TU,DMK10N65-TU,10N65,DMG10N65-TU
DMD50N06 60V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DMD50N06型60V N-Channel Power MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、低输入电容和低漏电流等特点,适用于各种电源管理应用。
型号- DMD50N06-TU,DMD50N06,DMD50N06-TR
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可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围:250~36000 mPa·s,硬度范围:50Shore 00~85Shore D,其他参数如外观颜色,固化能量等也可按需定制。
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