MK米客方德SD NAND 1.8V IO电压应用分享

时间： 2024-07-13 来源：MK米客方德公众号

技术问答

近日，有客户询问MK 米客方德的SD NAND产品是否可以支持1.8V 的IO电压，原因是他们选择的低功耗蓝牙芯片，如阿波罗 Apollo 3.5或恒玄BES2700IBP，只支持1.8V的IO电压。没有直接选择1.8V SPI NAND的原因是，SPI NAND的坏块需要Host端来管理，而SD NAND内部集成了坏块管理和磨损平均算法；此外，8Gbit以上的SPI NAND也还没有面世。而MK米客方德的SD NADN容量最大为512Gbit，在容量的拓展上有非常多的选择。

今天，就跟大家分享一下SD NAND的应用场景以及软件调试。通常情况下，Card（SD NAND）刚上电时其信号电压一般都是处于3.3V的模式。当card进入准备状态后，为了节省功耗，需要考虑是否切换信号电压到1.8V。那么，主机和设备之间是如何进行内部初始化流程来切换信号电压的呢？

如上图所示，工作机制会利用CMD进行沟通, 如果想要host支持输出1.8V的信号电压的话，会将ACMD41的参数设置为1来告诉card。当card收到这个ACMD41时，如果自己允许切换到1.8V的信号电压模式，那么就设置response为1，否则设置为0。在host收到response后，可以向card发送CMD11命令，来通知card准备切换到1.8V的信号电压模式了。随后，host就可以将自己输出的信号电压切换到1.8V了。

经过客户在板子硬件设计和软件上的沟通与了解，后续开发板只需要1.8V的IO工作电压，MK SD NAND都是可以支持的。不过这些初始化的CMD，都在非常低的速度下运作, 所以一开始如果客户的平台host在1.8V发送过来，SD card是有机会收到并且回传的, 只要能够走到CMD11后，就能顺利切换到1.8V，之后真正data数据传输, 双方都在1.8V。工作起来就没有问题。也就是说, 即使一开始双方电压不对等, 但host同样走切换电压的流程, 只要CMD0=>CMD8=>ACMD41=>CMD11这几个低速的CMD能够沟通, 后面就调通了。

MK的SD NAND是储存卡的延伸，可直接贴片，其内部集成高性能的闪存控制器，兼容SD协议。基于SLC/MLC设计，可靠性高。内部设计了ECC校验、磨损均衡和坏块管理，尺寸大小为 6x8mm和9x12.5mm，容量高达64Gbit。目前，MK的SD NAND在智能穿戴设备上广泛使用，除此之外还广泛用于ST、TI、NXP、新唐等平台，在HMI、无人机、车载T-BOX、心率监测设备、指纹识别模组等产品上批量使用。

表一：MK SD NAND产品选型表

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由ll转载自MK米客方德公众号，原文标题为:MK 米客方德 SD NAND 1.8v IO电压应用分享，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

SD NAND关于3.3V和1.8V之间的转换

SD NAND如何支持1.8V的MCU？SD NAND默认是3.3V的，有些MCU只支持1.8V，为了适配1.8V，SD NAND需要内部用命令把3.3V转换成1.8V。

设计经验发布时间 : 2024-09-27

STM32+SD NAND，替代Nor Flash的优势之选

SD NAND与正点原子精英板的连接由于正点原子精英板没有SD NAND接口，只有TF卡接口，所以SD NAND需要用到转接板来连接。SD NAND正常运行现象本次实验的程序是正点原子的SD卡实验例程，先用读卡器把SD NAND接到电脑上，并复制一个文件进去，再插到开发板上；用送的数据线连接USB UART接口，下载好程序，打开电脑上的串口助手，按下KEY0，即可读取到数据。

设计经验发布时间 : 2024-07-04

MK米客方德SD NAND掉电保护机制

MK米客方德从推出业界第一颗基于SLC开发的SD NAND产品至今，出货量已逾3000万颗，容量覆盖128MB~64GByte，64GB大容量为Nano SD NAND。MK拥有先进的NAND Flash管理技术，如ECC纠错、坏块管理、磨损平均算法、掉电保护等，能大幅提升产品的速度和系统性能。这就是为什么SD NAND深受越来越多行业应用青睐的原因。

设计经验发布时间 : 2024-06-28

详解SPI NAND、SD NAND和eMMC三种存储技术的主要区别

SPI NAND、SD NAND和eMMC是三种不同类型的嵌入式存储技术，它们各自具有独特的特点和应用场景。本文，MK-米客方德详细介绍了这三种存储技术的主要区别。

技术探讨发布时间 : 2024-08-05

澜智集成电路（ZETTA）是一家致力于通用类 IC 芯片工艺开发、芯片设计、应用和销售的无晶圆厂设计公司。闪存和内存芯片累计出货量超过20亿颗。现已建成芯片成品测试与应用分析中心，完成自研存储器芯片测试系统V1.0，单月存储器芯片、电源芯片和MCU芯片测试能力超过1000万颗。

EEPROM NOR Flash Nand Flash SPI NAND eMMC Parallel SLC NAND SD NAND 8位MCU 32位 MCU

授权代理商 - 深圳市世强元件网络有限公司线上商城技术资料

展开

千亿级市场的“真空地带”，MK米客方德打出了一片新天地

MK米客方德是一家专注于嵌入式存储的半导体企业，利用自身优势，针对创客群体开发出小型化、差异化的SD NAND、SPI NAND和eMMC。其SD NAND解决储存卡在嵌入式应用中的可靠性问题、加速产品上市时间和降低系统成本，符合SD Association标准协议，具有小尺寸封装和完全兼容的软硬件容量，参照了SPI NAND和eMMC的可靠性要求。

原厂动态发布时间 : 2024-11-07

深圳米客方德半导体有限公司(简称“MK-米客方德”)，是一家专注于嵌入式存储的高新技术企业，总部位于深圳，研发中心设在合肥和新竹。MK-米客方德的核心成员均来自领先的半导体企业，具有相同的价值观、高效的执行力和强烈的使命感。MK-米客方德拥有Flash控制器软硬件开发能力，依托深耕中国的市场和渠道能力，推出一系列高可靠性、定制化、微型化特质的存储产品及解决方案。

工业级SD NAND eMMC 存储卡 Micro SD卡 SD卡

授权代理商 - 世强先进（深圳）科技股份有限公司线上商城技术资料

展开

澜智（ZETTA）闪存选型表

提供澜智闪存选型表：NOR Flash：容量可达2Mb~1Gb，SPI接口，可擦写次数达10万次；EEPROM：容量可达2Kb~1Mb，可擦写次数达300万次；NAND Flash：容量可达1Gb~8Gb，支持内嵌的4bits/256bytes的ECC处理，支持标准SPI口以及SLC，可擦写次数达10万次

产品型号	品类	Type	Density	Interface	Voltage	Package
ZD24C08A-SSGMT	I²C兼容（2线）串行EEPROM	EEPROM	8Kb	I2C	1.65V-5.5V	SOP8-150

选型表 - ZETTA 立即选型

世强硬创获米客方德授权，代理微型eMMC存储芯片面积仅为传统的43.5%

米客方德的产品包括嵌入式储存（NAND、SPI NAND、eMMC）、储存卡（Micro SD卡、SD卡）、SD NAND、SSD固态硬盘等。

签约新闻发布时间 : 2024-10-14

MK-米客方德存储卡选型表

MK-米客方德提供以下技术参数的存储卡选型，其中包含品类SD NAND FLASH、Micro SD Card、SD Card、eMMC，存储容量：128MB~128GB

产品型号	品类	存储容量	Flash类型	工作温度	时钟频率(fc)	工作电压	待机电流	接口类型	等级认证标准	湿敏等级	应用等级
MKDV1GIL-AST	SD NAND FLASH	1Gbit	SLC	-40℃~+85℃	50MHz	2.7V~3.6V	200uA	SD2.0	ROHS	LeveI3	工业级