显著提升充电桩充电效率,基本半导体应用于高压快充的E2B碳化硅功率模块方案解析
摘要
充电桩采用碳化硅模块可以增加近30%的输出功率,减少50%的损耗。目前在充电桩领域,碳化硅应用处于快速增长阶段,预计到2025年将提升至35%,市场规模将达200亿元。
近年来,充电时长已经成为影响新能源汽车驾驶体验的关键因素,市场对提高车辆充电速度的需求变得越来越迫切。高电压和大电流都可缩短充电时间,但考虑到铜线损耗的因素,高压大功率比大电流方案更有效率。而要提升充电速度,必然要关注大功率充电,在不提高整车电压平台的条件下,必须增大充电电流,但这样也会导致端子、线缆的发热量增加,继而温度升高。持续高温容易损害充电装置,严重的还会引发安全事故,为避免这种情况,必须将充电枪端子及线缆的发热量及温升降低,常用的方法就是增大导体截面积。然而增大导体截面积后会增加线缆的重量,用户使用会很不方便。考虑到充电枪的电流约束,最适合的办法是通过提升电压平台实现大功率充电。
图1 高压快充架构下电池系统成本与低压大电流架构的对比
目前主流车企均在布局高压快充车型,预计2026年800伏以上高压车型销量将过半,但我国适配高压快充的高压充电桩数量不足。为此,主流车企和充电运营商正加快研发推出大功率快充桩,亟需更耐高压、耐高温、更小型化的新型功率器件,以满足充电设备对效率和安全的更高要求。
作为第三代半导体材料,碳化硅具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异特性。与传统硅材料比较,碳化硅器件能有效满足充电桩设备耐高压、耐高温、更小型化新型器件的需求,帮助实现新能源汽车快速充电的目标。此外,碳化硅还能提高单位功率密度,减小模块体积并简化电路设计,对降低充电桩成本起到重要作用。
图2 传统硅功率器件单向充电桩方案
图3 碳化硅功率器件双向充电桩方案
传统硅方案充电桩模块电源中,DC/DC拓扑采用650V硅基超结MOSFET组成两个全桥串联的LLC,使用1200V碳化硅MOSFET以后,系统可以简化为一个LLC谐振回路,器件数量大幅度减少,有利于提升系统可靠性。尤其是关断损耗更小的碳化硅MOSFET,更适合充电桩电源模块DC/DC部分的LLC/移相全桥等电路拓扑。
同时,1200V/40mΩ碳化硅MOSFET分立器件在风光储充、车载充电、汽车空调等领域的电源模块上被广泛应用,规模优势使碳化硅MOSFET成本进一步降低,使得用1200V碳化硅MOSFET的系统成本比使用650V硅基超结MOSFET的更低,产品更具有竞争力。
图4 基本半导体1200V碳化硅MOSFET
此外,大功率(50kW~60kW)的充电模块功率密度高,体积有限,如果采用分立器件,并联数量会很多,给均流、安装和散热带来了非常高的挑战,而采用碳化硅 MOSFET模块方案,则可以很好地解决上述问题。
图5 基本半导体1200V碳化硅MOSFET E2B半桥模块在充电桩中的应用
基本半导体PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R120E2G3基于高性能晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色。高温(Tvj=150℃)下的RDS(on)参数仅比常温(Tvj=25℃)时增加1.4倍左右。产品内置碳化硅肖特基二极管,使得续流二极管基本没有反向恢复行为,大幅降低模块的开通损耗。产品还引入氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板及高温焊料,可改善长期高温度冲击循环的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。
图6 PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R120E2G3
在高压快充的大背景下,以基本半导体为代表的碳化硅功率器件企业将不断加大研发力度,确保先进技术能紧跟行业趋势和市场需求,为充电桩设备制造企业提供更高性能的碳化硅功率器件。随着新能源汽车、光伏产业的快速发展,碳化硅器件在电力设备行业中还将有更广泛的应用,其市场规模还有巨大的成长空间,预计碳化硅功率器件在光伏逆变器的渗透率将从 2020年的10%增长至 2048年的85%。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自基本半导体 微信公众号,原文标题为:SiCer小课堂 | 显著提升充电效率,基本半导体应用于高压快充的E2B碳化硅功率模块方案解析,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【选型】基本半导体推出面向面向光伏及储能领域的碳化硅功率器件,电压达1200V
基本半导体面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅功率模块三类产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
器件选型 发布时间 : 2023-03-23
【选型】国产碳化硅MOSFET WM1A080120K可PIN-PIN替换C2M0080120D,工作结温更高
目前太阳能逆变器的高压DC/DC中主流产品有科锐(WOLFSPEED)C2M0080120D,对于光伏产业的大力发展,SIC MOSFET用量也在不断增加,需要一款成本更低、货源更稳定的产品作为替换。本文推荐中电国基南方的碳化硅SiC MOSFET WM1A080120K,该产品可pin-pin替代C2M0080120D,能够达到更高的工作温度-55℃到175℃,具有更低的开启电压2.3V。
器件选型 发布时间 : 2020-07-04
【选型】碳化硅MOSFET UF3C120080K4S可PIN-PIN替换C3M0075120K,驱动电压更宽且性能更优
市面上主流的SiC MOS管型号有Wolfspeed(科锐)的1200V/75mΩ C3M0075120K等,不过因供货交期和价格压力等因素,很多客户会选择一款好的替代方案,本文重点推荐UnitedSiC(联合碳化硅)的SiC MOS管 UF3C120080K4S,该产品不仅可pin-pin替代C3M0075120K,而且性能更优。
器件选型 发布时间 : 2020-02-16
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?
半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-23
【元件】基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块,更好满足客户对高功率密度需求
基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB基板等技术,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
产品 发布时间 : 2024-10-28
新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析
受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸,目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展,越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年,SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-22
碳化硅MOSFET在TO-247-3和TO-247-4封装中开关过程 ∣ 视频
相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-03
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
新产品 发布时间 : 2023-06-22
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?| 视频
今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家讲解什么是米勒现象?为什么驱动碳化硅MOSFET需要使用米勒钳位功能?以及基本半导体的创新性产品选型推荐。
设计经验 发布时间 : 2024-09-09
国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关,建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线
国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用,经过集智攻坚,团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线,在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术,形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。
原厂动态 发布时间 : 2024-03-04
【应用】SiC器件可在5G基建、新能源汽车充电桩、工业互联网等领域中提高电能利用率
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。
应用方案 发布时间 : 2023-08-04
【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感,爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM
2024年8月28日,亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开,爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计,内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。
产品 发布时间 : 2024-08-29
电子商城
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
根据用户的蓝牙模块,使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B,测试蓝牙1.0至5.1,包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度,生成测试报告。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论