瞻芯电子多款“芯”品集中亮相，2024慕尼黑上海展等你来探！
2024年7月8日-10日，瞻芯电子将于上海新国际博览中心参加慕尼黑上海电子展，展示碳化硅（SiC）分立器件和模块、驱动和控制芯片产品，以及多种参考设计方案，欢迎各界朋友莅临E4馆-4735展台参观和交流。
新品揭秘
在碳化硅器件方面，瞻芯电子将现场介绍最新的第三代1200V SiC MOSFET产品特点，同时展出多种新规格，比如1700V，2000V和3300V产品。
在SiC模块方面，我们将展出用于光伏MPPT的2000V 4相升压3B模块，以及用于EV主驱的SiC HPD和DCM模块。
在驱动芯片方面，我们将展示最新比邻驱动™系列芯片：具有隔离功能，且集成负压驱动或短路保护功能的SiC专用驱动芯片IVCO141x。
参考设计和应用案例展示
工业领域：效率98%+的高密度20kW All-SiC三相PFC；效率99%+的2.5kW图腾柱PFC；
汽车领域：高密度11kW三相电机驱动；固态预充继电器；200W&35W 1000V反激电源；
客户方案：高密度6.6kW双向OBC；3.5kW微型逆变器；H6封装SiC模块。
瞻芯电子展台E4-4735位置
参观预约
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瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南
公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
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产品手册SiC功率半导体和IC解决方案
瞻芯电子（InventChip Technology Co., Ltd.）是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体和集成电路解决方案的领先供应商。公司成立于2017年，总部位于上海。IVCT致力于开发SiC功率器件、功率模块、栅极驱动器和控制器IC，提供一站式芯片解决方案。公司拥有6英寸SiC MOSFET技术，并拥有汽车级SiC晶圆厂，致力于按时、高质量地交付SiC产品，并追求持续的技术创新。产品涵盖SiC功率器件、SiC功率模块、栅极驱动器和控制器IC等。
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浅谈多并联SiC MOSFETs不均流问题
随着宽禁带功率器件的发展，电力电子系统具有同时实现高效率和高功率密度的潜力。随着对更高驱动功率需求的增加，牵引逆变器中的开关器件对电流能力的要求越来越高。单个芯片的热机械应力限制了芯片上的有效面积，单个SiC MOSFET芯片的电流等级也受到限制。多芯片并联已成为提高电力电子系统电流能力的必然途径。然而，由于不对称的版图、不匹配的器件参数和不同的冷却条件，并联芯片之间的不平衡电流是不可避免的。
【视频】瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低高可靠性抗米勒效应1200V
瞻芯电子推出SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低，高可靠性，抗米勒效应，适用于1200V电压等级。方案通过优化驱动电路和器件选择，实现多管并联均流，提高系统性能和稳定性。
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瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案：成本低高可靠性抗米勒效应1200V
瞻芯电子推出SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低，高可靠性，有效抗米勒效应。该方案适用于1200V电压等级，旨在提高SiC MOSFET模块的功率密度和性能。方案涉及多管并联测试条件、影响因素分析以及驱动电路影响分析，旨在优化并联均流性能。
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【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应
SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样，由于存在米勒电容，都会有米勒效应的存在。由于SiC材料所带来的优势，SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下，这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计，使之能够较为有效地避免误触发。本文将主要介绍增加栅极电容的方式。
【产品】瞻芯电子SiC紧凑型栅极驱动IVCR1412实现量产，集成负压和米勒效应抑制功能
近期，瞻芯电子量产了一款比邻驱动®芯片IVCR1412，这是业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能，且为极紧凑SOT23-6封装的栅极驱动芯片，可为SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案。
碳化硅（SiC）助力光储系统升级，瞻芯电子邀您来探广州光伏展！
2024年8月8日-10日，瞻芯电子将于广交会B馆参加第16届广州国际太阳能光伏储能展，展示最新的1200V-2000V碳化硅（SiC）分立器件和模块产品，以及最新的SiC专用-隔离驱动芯片IVCO141x，欢迎各界朋友莅临10.1馆-S729展位参观，现场有精美小礼相送。
瞻芯电子参与编制SiC MOSFET可靠性和动态开关测试标准，助推行业技术共识
为了让测试足够精准和稳定，需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验，参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准，以助推行业形成广泛的技术共识，实现有效的溯源和评比。
SiC功率器件锤击及老化系统
本文介绍了用于碳化硅（SiC）功率器件开发和产品筛选的生产级应用测试系统设计。该系统模拟实际转换器操作，包括硬开关和软开关，并在设定条件下对功率器件进行应力测试。系统采用能量回收全桥拓扑结构以降低能耗。文章讨论了系统的组成部分、子系统电源电路、动态Rds_on感应、MOSFET温度传感以及测试设置和数据示例。此外，还强调了该系统在提高设备可靠性和产品质量方面的作用。
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【技术】SiC MOSFET替代Si MOSFET，只有单电源正电压时如何实现负压？
目前SiC MOSFET多为+15/-3V与+20/-5V电压驱动。要在Si MOSFET单电源正压驱动电路中中实现负压电路，可以在驱动回路中增加少量元件产生所需要的负压，如需要+15/-3V的驱动电压，则单电压需要提供+18V即可，具体两种方案可以实现，本文将具体讲解。
SL87N120A 1200V 17mΩSiC MOSFET
本资料介绍了SL87N120A SiC MOSFET的特性，包括其高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点。该产品适用于EV主驱逆变器、光伏逆变器、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。
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授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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