楼氏洞察 | 探索电动汽车技术发展的最新趋势(上):转向宽带隙半导体
市场需求和技术趋势不断演变,影响着电动汽车(EV)开发的方方面面。随着趋势的变化,对电动汽车电力系统的要求也在变化,这影响了对我们供应的部件的需求。因此,我们认为我们有责任紧跟不断变化的电动汽车趋势,与我们的客户分享我们的观察。本文将着眼于我们目前正在密切关注的影响电动汽车开发的三个关键趋势:包括半导体的发展变化、作为控制成本的车载系统集成以及电动汽车充电生态系统的演变。
趋势1:转向宽带隙半导体
随着消费者对电动汽车续航里程和快速充电能力的不断追求,电动汽车的电力系统正逐步适应在更高的电压和温度环境下运行。这种转变并未对电力系统的效率造成负面影响,反而提出了更高的效率要求。为满足这些需求,电池系统正经历一场革命性的变革,即从传统的硅基(Si)半导体转向更加先进的碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)宽带隙(WBG)半导体。
目前,基于碳化硅(SiC)的宽带隙(WBG)半导体正广泛应用于800V系统中的逆变器等关键组件中,这些组件凭借更高的开关频率,有效减小了系统的尺寸和重量。同时,氮化镓(GaN)基半导体也逐渐崭露头角,成为低功率系统如车辆辅助系统DC-DC转换器的优选材料。从功能框图级别观察(如图1所示),下表详细列出了我们对设备技术如何影响宽带隙半导体发展趋势的见解:
图 1.
随着这种技术转变的推进,研究人员在超宽带隙(WBG)半导体的研发道路上不断突破极限。这些前沿的半导体材料不仅能够在更高的电压和温度下稳定运行,而且通过采用创新材料制造,使得它们更加小巧、轻盈。关注这些激动人心的技术进展,以及它们在未来将如何被应用于各种组件中,无疑将为我们带来无尽的惊喜与期待!
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产品型号
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品类
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Size Code
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Termination Material
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Rated Voltage(Vdc)
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Capacitance Value(pF、nF、uF)
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Capacitance Tolerance(%、pF)
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Dielectric Classification
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0603J0500120JAB
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Multilayer Ceramic Chip Capacitor
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0603
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Nickel barrier
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50Vdc
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12pF
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±5%
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C0G/NP0(1B) to AEC-Q200
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选型表 - KNOWLES 立即选型
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