TMC2024圆满落幕，扬杰科技邀您共赏精彩时刻！
7月5日，为期两天的第十六届汽车动力系统技术年会(简称TMC2024)在青岛东方影都会议中心顺利落幕。扬杰科技作为中国功率半导体前三强企业，产品和服务获得客户的广泛认可，本次大会，扬杰科技如约而至。
大会回顾
本次大会，我司围绕汽车电子领域，带来SiC、IGBT等产品，产品可以用于新能源汽车主逆变器，充电桩的直流/直流(DC/DC)转换器、车载充电器(OBC)、PTC等更多关键部件。创新出众的产品，完善专业的应用解决方案，引来现场观众的热切咨询和互动，公司专业的销售、FAE、市场团队与在场观众进行了热烈的沟通交流。
扬杰演讲
同时，扬杰科技也为现场观众带来以《低Ron,sp 碳化硅平面栅MOSFET 相关技术开发》为主题的专业演讲。
“如今碳化硅上车尤其是800V平台电动汽车上已经是主流趋势，而国产化碳化硅的替代浪潮也会较预期提前到来。本次会议，扬杰科技给汽车客户带来了客人们广泛关心的碳化硅芯片技术迭代过程中的海内外玩家们的实际状态和技术瓶颈，并分享了扬杰科技关于这些瓶颈技术的研究方案和取得的研究成果，同时展示了扬杰科技新一代SiC产品优秀的鲁棒性能力，让业界和客户们进一步认可了扬杰科技在碳化硅芯片技术上的研发实力与产品竞争力。”
—杨程
扬杰科技SiC研发&产品总监
共创共享-百年扬杰
扬杰科技致力于引领中国功率半导体产业发展，以客户需求为基石，在产品研发上追求严格、创新、领先，打造强悍全面的产品竞争力，为更多客户创造价值，我们期待将来能携手更多合作伙伴，共创产业盛举!
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DGW50N120CTL1J IGBT分立器件
描述- 该资料详细介绍了DGW50N120CTL1J型号的IGBT器件的技术规格和应用。内容包括其电气特性、热阻、开关特性、封装尺寸等，适用于频率转换器、交流直流伺服驱动放大器和不间断电源等领域。
型号- DGW50N120CTL1J
SIC产品及应用介绍
描述- 本资料介绍了SiC（碳化硅）产品的特性、应用领域、制造工艺、产品家族及客户信息。资料重点阐述了SiC材料的高电场击穿强度、热稳定性、高载流子饱和漂移速度和高导热性等优势，以及其在高电压、高频、高温、耐辐射等大功率场景中的应用。此外，资料还展示了SiC产品在能源、消费、工业和高端市场等领域的典型应用案例，并提供了SiC产品的封装类型和部分产品列表。
型号- ASZM01K170P,ASZM016120S7,ASZM080120N,ASZM480FB2N120HD,ASZD030120G,ASZM01K170T,ASZM080120P,ASZM025065P,ASZM080120T,ASZD030120C,ASZM600FB2N120HD,ASZM030120P,ASZM040120D88,AS3D006065A,ASZM030120T,AS3D020065A,ASZM360FB3N120HD,ASZD005120C,ASZM025065T,ASZM060065T,ASZM040065T,ASZM028120T,ASZD040120C-Q1,ASZD010120C,ASZM104065P,AS7D040120C,ASZM028120P,AS1M040120P,AS3D010065A,ASZM040065L,ASZM160120T,ASZM160120P,ASZM032120T,AS1M060065P,ASZM032120P,ASZM100HB13N120E2,ASZD030120P2,ASXM090065P,AS1M080120P,ASZM016120T,ASZD020120P2,ASZM040120T,ASZD002120C,ASZM040120P,ASZD015120C,ASZM040120N,ASZM01K70T,ASZM016120T-Q1,ASZD040120P2,ASZD020120G,AS1M025120P,AS3D008065A,AS2M060065P,ASZD020120C
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AM40T120A IGBT 1200V，40A，IRRm=12.3A IGBT
描述- AM40T120A是一款1200V、40A的IGBT，具有快速开关、低VCE(sat)和正温度系数等特点。该产品适用于UPS、焊接转换器和高频转换器等应用。
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DGW50N65CTL2A IGBT分立器件
描述- 本资料介绍了DGW50N65CTL2A型号的IGBT器件，包括其电气特性、热阻、开关特性、封装信息和标记信息。该器件适用于频率转换器、交流直流伺服驱动放大器和不间断电源等领域。
型号- DGW50N65CTL2A
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可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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