如何选择合适的SIC肖特基二极管？

时间： 2024-07-09 来源：時科電子公众号

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在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)是确保电路性能和可靠性的关键步骤。碳化硅材料的优越性能使其在高功率、高温、高频应用中得到了广泛应用。小编将详细介绍碳化硅肖特基二极管的选型要求和标准，帮助您在选择产品时做出明智的决策。

反向耐压(VRRM)

反向耐压是指二极管能够承受的最大反向电压。为了避免击穿，反向电压必须小于此最大值。选择时，应确保反向耐压高于电路中可能出现的最大反向电压。例如，時科的Q-SSC20120-T二极管的反向耐压为1200V，适用于需要高耐压的应用场合。

额定电流(IF)

额定电流是二极管在长期运行时允许的平均电流值。选择二极管时，应确保其额定电流大于电路中的实际电流。時科的Q-SSC20120-T具有73A的额定电流，适用于高电流需求的应用，如大功率电源和充电桩。

导通压降(VF)导通压降是二极管正向导通时的压降，较小的VF有助于降低功耗。选择时，应尽量选择导通压降较小的二极管，以提高系统效率。Q-SSC20120-T在10A电流下的导通压降为1.45V，具有较低的导通损耗。

反向饱和漏电流(IR)

反向饱和漏电流是在反向电压下流过二极管的电流。较低的IR意味着更小的漏电流损耗。选择肖特基二极管时，应尽量选择IR较小的型号。Q-SSC20120-T的反向饱和漏电流仅为5μA，表现出优异的漏电流特性。

封装类型

封装类型影响二极管的散热性能和安装方式。根据应用需求选择合适的封装类型，如TO-220、TO-247等。Q-SSC20120-T采用TO-220-2封装，具有良好的散热性能，适用于高功率应用。

热阻(RθJA, RθJC)

热阻参数决定了二极管的散热能力，低热阻有助于将热量更有效地传导出去，防止过热。选择时，应关注热阻参数，确保二极管在工作时保持适宜的温度。

综合考虑反向耐压、额定电流、导通压降、反向饱和漏电流、封装类型和热阻参数，可以选择出最适合的碳化硅肖特基二极管。時科的Q-SSC20120-T凭借其高反向耐压、低导通压降和优异的漏电流特性，是各种高功率应用的不二之选。

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