如何选择合适的SIC肖特基二极管？
在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)是确保电路性能和可靠性的关键步骤。碳化硅材料的优越性能使其在高功率、高温、高频应用中得到了广泛应用。小编将详细介绍碳化硅肖特基二极管的选型要求和标准，帮助您在选择产品时做出明智的决策。
反向耐压(VRRM)
反向耐压是指二极管能够承受的最大反向电压。为了避免击穿，反向电压必须小于此最大值。选择时，应确保反向耐压高于电路中可能出现的最大反向电压。例如，時科的Q-SSC20120-T二极管的反向耐压为1200V，适用于需要高耐压的应用场合。
额定电流(IF)
额定电流是二极管在长期运行时允许的平均电流值。选择二极管时，应确保其额定电流大于电路中的实际电流。時科的Q-SSC20120-T具有73A的额定电流，适用于高电流需求的应用，如大功率电源和充电桩。
导通压降(VF)导通压降是二极管正向导通时的压降，较小的VF有助于降低功耗。选择时，应尽量选择导通压降较小的二极管，以提高系统效率。Q-SSC20120-T在10A电流下的导通压降为1.45V，具有较低的导通损耗。
反向饱和漏电流(IR)
反向饱和漏电流是在反向电压下流过二极管的电流。较低的IR意味着更小的漏电流损耗。选择肖特基二极管时，应尽量选择IR较小的型号。Q-SSC20120-T的反向饱和漏电流仅为5μA，表现出优异的漏电流特性。
封装类型
封装类型影响二极管的散热性能和安装方式。根据应用需求选择合适的封装类型，如TO-220、TO-247等。Q-SSC20120-T采用TO-220-2封装，具有良好的散热性能，适用于高功率应用。
热阻(RθJA, RθJC)
热阻参数决定了二极管的散热能力，低热阻有助于将热量更有效地传导出去，防止过热。选择时，应关注热阻参数，确保二极管在工作时保持适宜的温度。
综合考虑反向耐压、额定电流、导通压降、反向饱和漏电流、封装类型和热阻参数，可以选择出最适合的碳化硅肖特基二极管。時科的Q-SSC20120-T凭借其高反向耐压、低导通压降和优异的漏电流特性，是各种高功率应用的不二之选。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玉鹤甘茗转载自時科電子公众号，原文标题为:如何选择合适的SIC肖特基二极管，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
碳化硅肖特基二极管的优势及应用
肖特基二极管，又称热载流子二极管，通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限。
开关电源中为什么要用快恢复二极管？
快恢复二极管在电源应用中，确保高效率、可靠性和长期稳定运行，在电路中作用显著。本文中辰达行将为大家解析开关电源中为什么要用快恢复二极管的问题。
开关电源中二极管发挥什么作用？
在开关电源中，二极管的主要作用是整流。按照整流电路中交流电的频率，开关电源中的整流电路可以分为一次整流电路(低频整流)和二次整流电路(高频整流)。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）
描述- SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析：光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩
碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）在现代电子设备中扮演着重要角色，尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用，包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。
时科肖特基二极管SK10U100AA，导通压降仅0.63V，高效电源管理和快速开关应用的理想选择
在现代电子市场中，高效、低损耗的电子元件需求不断增加。随着可再生能源和智能设备的普及，选择合适的二极管变得尤为重要。肖特基二极管由于其低导通压降和快速开关特性，成为市场的热门选择。时科小编将带你深入探讨肖特基二极管的选型要求。
【产品】650V SiC肖特基二极管WS3A003065A，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性
WS3A003065A是中电国基南方推出的一款650V SiC肖特基二极管，器件采用TO-220-2封装，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，正向电流最高达11A，耗散功率为46.8W，工作结温与储存温度为-55℃~175℃
【元件】开关电源的优质搭档——時科MUR860F超快恢复二极管，承受最大100A浪涌电流，1.6V正向压降
开关电源在电子电源中起着重要作用，因其具有小型化、轻量、高功率密度、高转换效率、广泛输入电压范围以及低热损耗等多种优点，在各种电子产品中迅速取代线性电源。時科MUR860F超快恢复二极管可快速提高电源整机效率和可靠性。
时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T，光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择
在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢？本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势，帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
【产品】20A/1200V SiC肖特基二极管NF20120，耐175℃结温，可用于续流二极管和逆变器
南方半导体推出的SiC肖特基二极管NF20120，具有VF正温度系数和高频应用等特性；最大直流阻断电压和可重复最高反向电压值均为1200V，工作结温度范围为-55~+175℃；可用于续流二极管和逆变器等方面。
蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展，重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案
2024年7月8日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。蓉矽半导体在E3馆3646号展位，重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM，以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。
中电国基南方SiC肖特基二极管应用手册
描述- 本资料主要讲解了以下内容：（1）SiC半导体的材料特性、优点；（2）SiC肖特基二极管特性；（3）SiC SBD产品系列介绍、可靠性测试报告；（4）SiC的应用和优势示例应用优势。
型号- WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A008120J,WSXAXXXXXX0,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A003120B,WS3A005120E,WS1A030330B,WS3A003120E,WS3A020120J,WS1A025170B,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A020120A,WS3A010065J,WS2A015120B,WS2A015120D,WS2A015120A,WS3A016120K,WS1A025170D,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A005120B,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A012065J,WS3A003120J,WS3A012065K,WS3A008065A,WS3A008065B,WS2A030120K,WS3A008065J,WS3A004065A,WS3A004065B,WS3A012065F,WS3A005170D,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A012065B,NSD10220B,WS3A005170B,WS3A012065A,WS3A020065J,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A020065B,WS3A006065E,WS3A020065A,WS3A006065F,WS3A002065B,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WS3A015120B,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A015120D,WS3A002065F,WS3A002065E,WS3A010065D,WS2A040120B,WS3A010065E,WS3A010065B,WS3A002065J,WS3A015170B,WS2A040120D,WS3A006065A,WS3A006065B,WS3A015170D,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS3A010065A,WS3A020065K,WS3A012120K,WS3A004065J,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WS1A050065D,WS1A050065B,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120B,WS3A015065B,WS3A002120E,WS3A015065A,WS3A006120J,WS3A015065D,WS3A010120D,WS3A010120E,WS3A015120E,WS3A002120J,WS3A010120B,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WS3A006120B,WS3A040120K,WS3A010120A,WS3A030065A,WS3A030065B,WS3A030065J,WS3A030065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
CRMICRO推出的新材料SiC二极管器件，更能满足大功率电源的高能效标准等级性能要求
华润微电子针对大功率电源等应用自主研发了高压超结MOS，有国内领先的Rsp和FOM，华润微电子推出的第四代、第五代SJ MOS优化元胞结构的同时也特别优化过渡区和终端设计，为达到大功率电源严苛的能效目标，可采用CRM的同步整流中低压SGT MOS。CRM的SGT MOS常用于开关电源、电机驱动、BMS等领域。选用CRM的SJ MOS配合SGT MOS，可实现较高的转换效率。
【产品】采用TO-252封装的1200V SiC肖特基二极管WS3A002120E，几乎没有开关损耗
WS3A002120E,WS3A006120E,WS3A010120E是中电国基南方（CETC）推出的三代1200V SiC肖特基二极管，其采用TO-252封装，符合RoHS标准，其正向导通电压具有正温度系数，工作结温最高可达175℃，开关损耗基本为零，可以应用于开关电源、功率因数校正器、电机驱动，光伏逆变器和风力发电站等领域。
开关电源双管正激，输出整流二极管该如何选用
开关电源的输出二极管，一般会选择快恢复二极管或者肖特基二极管，首先需要确认电源的开关频率，频率越高，反向恢复时间则需要越短，其次是输出电压，由于肖特基二极管电压基本在200V以下，所以一般低压输出低Vf要求，推荐肖特基二极管，输出是高压，推荐快恢复二极管，世强电商平台目前代理的主要二极管品牌有Diotec，新电元和强茂，这些都是专业的二极管品牌，DIOTEC的资料参考：【选型】Diotec（德欧泰克）SMD封装的二极管/整流器 选型指南；新电元的资料参考：【选型】Shindengen（新电元）功率器件选型指南；强茂的资料参考：【选型】PANJIT（强茂）SiC肖特基二极管/整流器/MOSFET/保护组件快速选型表。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论