美浦森半导体携新款超高压VDMOS、超高压多层外延超结MOS等产品亮相2024慕尼黑上海电子展
2024慕尼黑上海电子展（electronica China）将于7月8日-10日在上海新国际博览中心举办。本届展会规模再度扩大，涵盖整个电子产业链，多个细分领域，包括半导体、嵌入式系统、显示、微纳米系统、传感器技术、测试与测量、电子设计、无源元件、电机/系统外围设备、电源、PCB、其他电路载体及EMS、组件及子系统、汽车电子及测试、无线技术、信息采集及服务等。
作为国内专业从事功率器件产品供应商，美浦森半导体在本次展会中推出了超高压VDMOS、超高压多层外延超结MOS、中低压SGT MOS产品系列。
电力电源技术的不断发展，对高总线电压电路系统需求日益增加，如母线电压高达380V-800V的使用场景，美浦森半导体最新研发的900V-1500V超高压VDMOS可满足该场景要求。采用横向变掺杂（VLD）技术 ，搭配复合场板，利用特殊的晶胞设计，研发出雪崩电流及电压更高、导通内阻更低、可靠性更好的超高压系列VDMOS管，主要应用场景为变频器电源、逆变器、DC-DC转换、工业三相智能电表、LED照明驱动等辅助电源。
美浦森半导体采用先进多层外延工艺自主研发超高压SJMOS系列，具有领先的Rsp和FOM(QG *RDS(on）)、电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好特点，可满足客户的高效率高可靠性需求。
最新的800V、900V GT系列超高压SJMOS，可用于低功率SMPS市场，如LED照明、智能电表、手机充电器、笔记本适配器、辅助电源等，还可用于中大功率的工业SMPS、医疗电源、太阳能逆变器、工业逆变器、三相拓扑等电源。
超高压VDMOS产品特点
1. 横向变掺杂（VLD）技术、雪崩电流及电压更高、导通内阻更低。
2. 散热性能好，高温漏电小，可靠性更好
3. 开关速度较低，具有更好的EMI兼容性。
超高压SJMOS产品特点
1. 采用了国际先进的多层外延工艺，该工艺的超结MOS产品应用可靠性更高，EAS及EMI通过性更好。
2. 优化了终端结构设计及晶圆工艺，从而满足器件的高可靠性要求。
3. 精细化的元胞设计， RSP水平与国际主流品牌相当。
（三相升压拓扑）
（反激式拓扑）
800V多层外延超结MOSFET、65mΩ超低内阻
900V多层外延超结MOSFET、实际耐压可达1000V以上
美浦森半导体推出的新一代40V&100V SGT系列产品，使用先进的HDP沉积技术以及双层外延材料，具有更低的输入电容、更低的Rdson；采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（Split Gate Trench）技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时全面提升了产品的导通电阻温度特性，有效控制了器件的导通电阻随温度增加而上升的幅度，从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。产品的大电流关断能力和短路能力提升20%以上，配合先进的封装技术，满足客户更高可靠性的需求，产品的性价比也进一步提升。
该系列产品提升了在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。
40V N -Channel MOSFET SLM100N04G
100V N -Channel MOSFET SLP036RN10G
100V N -Channel MOSFET SLP120N10G
展台信息
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